陈长青
- 作品数：5 被引量：10H指数：2
- 供职机构：云南大学化学与材料工程学院更多>>
- 发文基金：云南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 磁控溅射生长SiC薄膜的拉曼光谱研究被引量：4
- 2005年
- 用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上制备出衬底温度分别为300,450,600℃的碳化硅薄膜,并对薄膜进行了拉曼光谱和原子力显微镜测试分析。结果表明,用溅射法在玻璃衬底上生长出微晶SiC(μc-SiC)薄膜和在Si(100)衬底上生长出立方碳化硅(β-SiC)薄膜。并且薄膜材料的结晶度随着衬底温度的升高而改善。
- 毛旭陈长青周祯来杨宇吴兴惠
- 关键词：半导体技术SIC薄膜磁控溅射拉曼光谱
- SiC薄膜红外及紫外-可见光谱的研究被引量：5
- 2005年
- 报道了在单晶Si衬底上采用RF磁控溅射技术异质外延生长SiC薄膜的研究。由傅立叶红外谱用双声子组合法计算出SiC的基本声子能量是TO=0.049eV,LO=0.048eV,TA=0.0045eV,LA=0.0078eV;SiC的所有傅立叶红外吸收峰均可用这些声子能量按不同组合方式得到,并在紫外-可见光谱中,光跃迁引起的吸收或放射的声子的能量也可以用这些基本声子能量按不同方式组合得到。
- 陈长青毛旭周祯来陈刚杨宇
- 溅射生长碳化硅薄膜的研究
- 本文介绍了采用射频磁控溅射法在低温下生长SiC薄膜的工艺过程，研究了薄膜质量与制备条件的关系及薄膜的光学性质。通过X射线衍射，原子力显微镜，拉曼散射仪，傅立叶红外吸收光谱仪，紫外可见吸收光谱仪，及椭圆偏振仪对薄膜的结构，...
- 陈长青
- 关键词：磁控溅射碳化硅薄膜退火工艺光学性质
- 文献传递
- 射频磁控溅射纳米SiC薄膜及其拉曼和红外分析被引量：2
- 2004年
- 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出一系列衬底温度不同的纳米碳化硅薄膜,衬底温度分别为室温,200、400、600、700℃,并对样品进行了Raman和傅立叶红外测试分析.结果表明,随衬底温度的升高,薄膜结晶度提高,其晶粒尺寸为纳米数量级.通过FTIR不仅观察到SiC的TO声子在红外被激活,而且LO声子在粒径很小或薄膜很薄时也能在红外被激活,体现了纳米SiC较强的红外吸收特性.
- 陈长青毛旭周祯来陈刚刘焕林杨宇
- 关键词：磁控溅射纳米碳化硅红外吸收
- 离子束沉积技术室温生长Si/Ge薄膜的晶化研究
- 2004年
- 研究Si的室温晶化生长对微电子应用技术是十分重要的.本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构,对样品进行X射线和拉曼散射实验表征.研究表明:Ge可诱导膜中Si薄层的室温晶化,当Ge厚度略小于Si薄层厚时,获得最佳的Si室温晶化效果.
- 杨宇陈刚邓书康高立刚刘焕林吴国元俞帆陈长青陈亮郝瑞亭
- 关键词：离子束外延XRDRAMAN散射
