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陈登元

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 2篇短沟道
  • 2篇锁存
  • 2篇铁电
  • 2篇逻辑电路
  • 2篇解析模型
  • 2篇挥发性
  • 2篇沟道
  • 2篇FET
  • 2篇MOS
  • 1篇电子领域
  • 1篇亚阈值
  • 1篇亚阈值电流
  • 1篇锁存器
  • 1篇铁电薄膜
  • 1篇铁电电容
  • 1篇阈值电流
  • 1篇阈值电压
  • 1篇阈值电压解析...
  • 1篇解析解

机构

  • 4篇复旦大学

作者

  • 4篇汤庭鳌
  • 4篇陈登元
  • 1篇程君侠
  • 1篇汤祥云
  • 1篇虞惠华

传媒

  • 3篇Journa...

年份

  • 1篇2002
  • 1篇1998
  • 2篇1989
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
不挥发逻辑电路的铁电锁存技术
本发明是不挥发逻辑电路的铁电锁存技术。现有电子领域逻辑电路除不挥发存储器外,均是挥发性的。本发明用两个铁电电容和两个MOS晶体管并各将它们的一个端点与锁存电路的输出及其互补输出连接构成不挥发锁存电路。本发明实现了逻辑电路...
陈登元汤庭鳌
文献传递
双离子注入短沟道MOS FET的阈值电压解析模型
1989年
本文对短沟道MOSFET沟道区的硼、砷离子注入分布采用二次函数及指数函数的分段函数分布近似,并利用格林函数法求解二维泊松方程,从而导出非均匀分布短沟道MOS FET的表面势和阈值电压的解析模型.它计及注入能量、剂量、退火温度、退火时间等工艺参数的影响,也包含了漏极电压V_D和栅氧化层厚度等因素的影响.本解析模型的结果与用MINI-MOS数值模拟的结果符合得很好,具有简单、实用的特点.适用于改进有关电路分析程序例如SPICE中的模型.
汤庭鳌陈登元Carlos Araujo
关键词：泊松方程解析解
新型铁电不挥发性逻辑电路的分析和实现
2002年
提出了一种利用与 CMOS工艺相容的铁电薄膜来实现使一般逻辑电路成为非挥发性的新技术 .通过电路模拟及对锁存器和触发器实验电路进行测试 。
汤庭鳌陈登元汤祥云程君侠虞惠华
关键词：逻辑电路挥发性铁电薄膜锁存器
短沟道MOS FET亚阈值电流的解析模型被引量：1
1989年
利用二维泊松方程的解析解,得到了短沟道MOS FET亚阈值电流的解析模型.在弱反型区,解析模型的结果与数值模拟的结果符合较好.
陈登元汤庭鳌C.A.Paz de Araujo
关键词：亚阈值电流表面势短沟道
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