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陈忠辉

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇施主
  • 2篇砷化镓
  • 2篇GAAS
  • 1篇声子
  • 1篇施主杂质
  • 1篇激发态
  • 1篇极化子
  • 1篇极化子效应
  • 1篇反对称
  • 1篇高激发
  • 1篇高激发态
  • 1篇半导体
  • 1篇SI
  • 1篇硅
  • 1篇CARLO模...
  • 1篇LO声子
  • 1篇MONTE
  • 1篇磁场

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇石晓红
  • 3篇史国良
  • 3篇陈张海
  • 3篇陈忠辉
  • 3篇刘普霖
  • 3篇沈学础
  • 2篇胡灿明

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇1998
  • 2篇1997
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
掺施主杂质半导体中LO声子的反对称光电导响应的Monte Carlo模拟
1998年
本文基于一个伴随ＬＯ声子发射的光激发电子被重新俘获的物理模型，采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法，对掺施主杂质的半导体光电导谱中与ＬＯ声子相对应的反对称谱峰结构进行了理论模拟，并与Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ及ＩｎＰ的实验结果作了比较．
陈张海陈忠辉刘普霖石晓红史国良胡灿明沈学础
关键词：LO声子半导体
GaAs中与施主高激发态有关的共振极化子效应被引量：1
1997年
报道了ｎ型ＧａＡｓ的杂质磁光电导谱．在相对低的磁场下观察到束缚电子高激发态与ＬＯ声子的共振相互作用；讨论了共振极化子光电导响应随磁场强度变化的行为。
陈张海陈忠辉刘普霖石晓红史国良沈学础
关键词：砷化镓施主高激发态
GaAs中由磁场引起的与Si施主有关的高亚稳态
1997年
本文报道了GaAs中Si浅施主的博里叶变换红外（FTIR）磁光电导谱．观察到非零磁场下从类氢束缚基态到施主高亚稳态的跃迁．采用变分方法计算了跃迁能量以及这些高亚稳态的离化能的磁场关系，并与实验结果进行了比较．
陈张海陈忠辉刘普霖史国良胡灿明石晓红沈学础
关键词：砷化镓硅
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