- 一种栅控二极管触发的可控硅整流式静电释放保护电路结构
- 一种栅控二极管触发的可控硅整流式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属于电子技术领域。本发明通过集成一个击穿电压较低的栅控二极管，将常规SCR ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱结的击穿电压转变为栅控N<Su...
- 蒋苓利樊航张波乔明林丽娟喻钊钟昌贤
- 一种栅控二极管触发的可控硅整流式静电释放保护电路结构
- 一种栅控二极管触发的可控硅整流式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属于电子技术领域。本发明通过集成一个击穿电压较低的栅控二极管，将常规SCR ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱结的击穿电压转变为栅控N<Su...
- 蒋苓利樊航张波乔明林丽娟喻钊钟昌贤
- 文献传递
- 一种用于离线式开关电源的内部电源电路被引量：4
- 2006年
- 结合高压启动恒流源设计了一种用于离线式开关电源的内部电源电路。采用0.6μmBCD工艺模型对该电路进行了仿真,结果表明所设计的电路在不同的负载电流下均可为芯片内部提供较稳定的电源电压,并可实现高压恒流充电功能,简化了系统启动时间的控制。
- 陈志军钟昌贤张波
- 功率半导体器件与集成电路的体内场优化理论、技术与应用
- 张波李泽宏乔明方健李肇基杜秋平李利平梁伯勋林中军卢世勇肖科贺江平钟昌贤
- 功率半导体器件与集成电路是功率电子学的重要领域，实现高效、高可靠性、超稳定性的功率控制和电源管理，而且减少系统自身的功耗、体积、重量和成本，对实现军事装备和民用装置的小型化、智能化和节能化有着重要的意义。在功率单片集成技...
- 关键词：
- 关键词：功率半导体器件
- 一种二极管触发的可控硅整流式静电释放保护电路结构
- 一种二极管触发的可控硅整流式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属于电子技术领域。本发明通过集成一个击穿电压较低的二极管，将常规SCR ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱结的击穿电压转变为N<Sup>+</S...
- 蒋苓利张波樊航乔明刘娟韩山明钟昌贤
- 文献传递
- 一种基于带隙比较器的过热保护电路被引量：1
- 2007年
- 设计了一种基于带隙比较器的过热保护电路。该电路可用于功率集成电路和电源管理芯片中。采用0.6μmBiCMOS工艺对电路进行了仿真。结果表明,该电路对温度灵敏度高,关断和开启温度点受电源电压和工艺参数变化的影响很小。通过比较器的迟滞功能防止了热振荡现象的发生。
- 陈志军钟昌贤张波
- 关键词：过热保护BICMOS
- 应用于PWM转换器的高性能误差放大器
- 2011年
- 基于整个环路稳定性的分析,提出一种高性能误差放大器,该电路与芯片外围的反激式应用电路一起完成负反馈调节。基于700 V BCD工艺,对该电路的应用芯片进行仿真和流片。测试结果表明,该电路产生的动态阻抗为18Ω,PWM增益为-25.3%/mA,满足工程应用要求,实现系统稳定输出。
- 宋晓贞钟博唐荣荣钟昌贤张波
- 关键词：误差放大器负反馈
- 一个1.2V,9ppm/℃的CMOS带隙电压基准源被引量：5
- 2006年
- 基于传统CMOS带隙电压基准源电路的分析，结合曲率补偿技术设计了一种带衬底驱动运算放大器的低电源电压的电压基准源电路，主体电路采用电流模式基准源结构，并结合所采用的衬底驱动运放作为基准源的负反馈运放。整个电路采用0.5ym标准CMOS工艺实现，在电源电压1．2V的条件下用HSpice进行仿真，仿真结果表明输出基准电压在-40-120℃范围内温度系数为9ppm／℃。
- 钟昌贤张波周浩卢杨
- 关键词：低压曲率补偿电压基准源
- 一种二极管触发的可控硅整流式静电释放保护电路结构
- 一种二极管触发的可控硅整流式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属于电子技术领域。本发明通过集成一个击穿电压较低的二极管，将常规SCR ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱结的击穿电压转变为N<Sup>+</S...
- 蒋苓利张波樊航乔明刘娟韩山明钟昌贤
- 一种基于0.8μm CMOS工艺的斩波调制带隙基准源设计
- 基于0.8μm的CMOS工艺,设计了一种包含斩波调制运放的电压带隙基准源.采用斩波调制运算放大器消除失调和噪声.HSPICE仿真结果显示,运放闭环增益70dB,基准源的PSRR 95dB.采用环形振荡器产生斩波频率,设定...
- 向泱方健张波钟昌贤周咏
- 关键词：带隙基准源运算放大器电路设计频率特性
