邢昆山
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 激光再结晶SOM材料及压力传感器研究
- 1989年
- 用CW Ar^+激光对B^+注入(60keV,5×10^(15)cm^(-2))非晶硅SOM材料进行辐照再结晶,获得了高灵敏度的压阻材料,其GF在30左右。结晶后的晶粒增大到10μm×40μm,且杂质分布均匀,电学性质大大提高。用该材料制备的桥路压力传感器,灵敏度为6mV/V bar,具有良好的输出线性度。
- 邢昆山许学敏林成鲁陈莉芝谭松生邹世昌
- 关键词：传感器SOM
- As_2^+注入硅的辐射损伤和退火行为研究
- 1990年
- 本文研究了500keV As_2^+和250keV As^+注入单晶硅引起的辐射损伤及其退火行为.结果表明,As_2^+注入比As^+注入在硅中引入更大的辐射损伤;经快速热退火后,两类注入样品均能消除损伤,获得高的杂质替位率和电激活率;As_2^+和As^+注入样品的载流子浓度的分布有所不同,这是由于As_2^+注入引入较大辐射损伤引起杂质的快速扩散所致.
- 林成鲁方子韦邢昆山倪如山邹世昌
- 关键词：硅离子注入退火
- 一种消除局部注氧隔离形成绝缘层上硅(SOI)中边界应力的方法
- 本发明提供一种局部注氧隔离形成绝缘层上硅(SOI)材料的边界应力消除方法,属于微电子领域,本发明提供的方法特征是将硅工艺中的局部氧化工艺与传统的硅中注氧隔离技术结合起来,采用先区域氧化然后再高温退火工艺,与硅集成电路工艺...
- 王连卫林成鲁多新中范秀强邢昆山
- 文献传递
