袁铮
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科委重大科技攻关项目上海市教育委员会重点学科基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 低压布里奇曼法CdZnTe晶体生长及其热应力模拟被引量：4
- 2007年
- 采用有限元方法,对晶体结晶结束位置处的晶体内部热应力分布进行了数值模拟,结果表明:晶体在石英安瓿内壁附近,变径处以及头部尖端处的热应力较大,应力值约在108N/m2数量级,晶体中部热应力分布较小且比较均匀,约为107N/m2。为了防止晶体在生长过程中头部尖端处以及变径处的位错延伸至晶体内部,提出了在不同生长阶段采用不同下降速度,并且在晶体下降至变径处采用“回熔”操作的新工艺。实验结果表明:利用新工艺生长的晶体位错密度明显降低,约为2×102cm-2,同时显著地提高了晶体的利用率。
- 刘洪涛桑文斌袁铮闵嘉华詹峰
- 关键词：探测器
- 掺In CdZnTe晶体生长研究
- Cd<,1-x>Zn<,x>Te晶体有着广泛的用途，生长结构性能好，电学性能好的高质量Cd<,1-x>Zn<,x>Te晶体一直是人们研究的热点。为了进一步提高Cd<,0.9>Zn<,0.1>Te晶体的质量，本文利用有限元...
- 袁铮
- 关键词：CDZNTE晶体晶体生长电学性能
- 文献传递
- CdZnTe晶体生长中掺In量对晶体电学性能的影响被引量：1
- 2008年
- 通过在富Te环境下生长In掺杂CdZnTe晶体,实验研究了不同掺In量对晶体电学性能的影响,重点讨论了不同掺In量与晶体电阻率、载流子浓度及迁移率之间的关系.并对CdZnTe晶体中In掺杂的补偿机理进行了分析探讨.结果表明,当In掺杂量为5×10^(17)cm^(-3)时,得到了电阻率达1.89×10^(10)Ω·cm的高阻CdZnTe晶体.
- 袁铮桑文斌钱永彪刘洪涛闵嘉华滕建勇
- 关键词：核探测器CDZNTE电学性能
