王力鸣
- 作品数：9 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- GaAs半导体中的三光子吸收
- 1992年
- 本文从直接能隙半导体中三光子吸收跃迁速率的全量子理论表达式出发,在二能带和四能带理论模型下,分别就抛物线和非抛物线型能带,计算了GaAs半导体的三光子吸收系数。其结果与实验值作了比较。同时还给出了GaAs中三光子吸收系数的色散曲线。
- 程昭徐大纶王力鸣侯洵
- 关键词：量子理论色散半导体砷化镓
- 红外InGaAsP光电阴极研究被引量：1
- 1991年
- 本文主要对阈值波长可达1.25μm的InGaAsP光电阴极进行了详细的研究。在国内首次实现了在0.5μm～1.25μm波段范围内具有光电响应的半导体光电阴极。用Cs和O_2激活后得到的光电阴极在1.06μm处的反射式光电灵敏度为3.4mA/W,量子效率为0.4％。本文还对激活表面及热清洁工艺进行了系统地分析,确定出了最佳的表面清洁温度及时间。
- 李晋闽郭里辉王力鸣王存让张工力候洵
- 关键词：光电阴极半导体发光效率
- GaAs半导体中三光子吸收的非线性光电导测量被引量：2
- 1992年
- 采用非线性光电导技术测量2.06μm激光激发的GaAs本征半导体三光子吸收,观察到三光子和单光子吸收的混合光电导,测得了三光子吸收系数.测量结果与理论计算符合较好.
- 程昭徐大纶王力鸣侯洵
- 关键词：非线性砷化镓多光子吸收
- 负电子亲和势GaAs光电阴极中的三光子激发和发射的理论研究
- 1992年
- 将三阶微扰理论应用于单晶GaAs半导体,结合与实际相接近的能带结构,得到了GaAs中三光子吸收系数的解析式表达式,在考虑了激发电子的逃逸过程的情况下,进而推导了负电子亲和势GaAs光电阴极中三光子光电发射的发射系数的解析表达式.两表达式得到的理论数值分别与用ns量级脉宽、2.06μm波长的激光测得的GaAs中三光子吸收系数和GaAs(Cs,O)光电阴极中三光子发射系数的实验值相比较,吻合较好.
- 王力鸣侯洵
- 关键词：微扰多光子
- 半导体中多光子吸收跃迁速率的全量子理论分析被引量：5
- 1992年
- 本文从非线性光学中辐射跃迁速率的表达式出发,在全量子理论下,导出了半导体中任意阶多光子吸收跃迁速率的一般表达式。理论分析结果表明,n光子吸收跃迁速率与光强的n次方和n阶光子相干度成正比。本文在多能带及二能带理论模型下,对多光子吸收跃迁速率的一般表达式进行了化简,并对非线性相互作用项对跃迁速率的贡献,作了讨论。
- 程昭徐大纶王力鸣侯洵
- 关键词：多光子吸收跃迁速率半导体
- GaAs半导体中三光子吸收系数的光学测量
- 1992年
- 本文首次报道了采用非线性光透射技术(NLT)测量λ=2.06μm激光激发下GaAs本征半导体中三光子吸收的实验研究.观察到了三光子吸收及所伴随的自由载流子的激发态吸收,并测得了三光子吸收系数.实验测量结果与理论计算结果比较,符合较好.
- 程昭徐大纶王力鸣侯洵
- 关键词：砷化镓MPA载流子激发态吸收
- GaAs半导体中三光子吸收的研究被引量：1
- 1995年
- 本文利用全量子理论推导了半导体中多光子吸收跃迁速率的一般表达式。对各种模型计算了本征ＧａＡｓ在λ＝２．０６ｕｍ下的三光子吸收系数。实验上采用非线性光电导和非线性光透射技术，测量了ＧａＡｓ中三光子吸收系数。
- 徐大纶程昭王力鸣侯洵
- 关键词：三光子吸收砷化镓半导体
- 超高真空条件下NEAⅢ-Ⅴ族半导体光电阴极的工艺与性能的研究被引量：1
- 1992年
- 介绍对GaAs及1.25μm InGaAsPⅢ-Ⅴ族半导体光电阴极的激活工艺及其性能的初步研究结果。全部采用国产超高真空系统,真空度优于8×10^(-8)Pa。在真空系统中激活的GaAs(Cs,O)光电阴极的积分灵敏度约为550μA/lm,InGaAsP(Cs,O)光电阴极在1.06μm处的量子效率为0.4%。用2.06μm波长(禁带宽度E_(?)=1.25μm)、ns量级脉宽的Er,Tm,Ho:YLF激光作激发源在GaAs(Cs,O)光电阴极中实现了三光子光电发射。在液氮温度下测得的数据与室温下测得的数据相吻合,证明热发射相对于三光子光电发射可以忽略。
- 王力鸣张小秋李晋闽侯洵
- 关键词：超高真空半导体光电阴极
- 半导体光电阴极中多光子光电发射现象的研究
- 王力鸣
- 关键词：半导体光电阴极
