王兰芳
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：天津理工大学更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Cr浓度和O2压对ZnO:Cr薄膜光学性能影响
- 本文采用ZnO和Cr靶交替溅射的方法在载玻片上制备了不同Cr含量的ZnO薄膜，以及在不同O2偏压下的Cr掺杂ZnO薄膜。利用X射线衍射、吸收光谱和光致发光光谱(PL)对制备的样品进行了结构和光学性能的研究。结果表明，Cr...
- 王兰芳徐建萍陈希明刘辉李岚
- 关键词：氧化锌薄膜晶格结构薄膜光学
- 文献传递
- 宽禁带半导体材料—ZnO、TiO<,2>和金刚石的制备及发光性能研究
- 宽禁带半导体材料的研究和突破，带来了新的技术革命和新兴产业的发展，也促进了信息技术的飞速发展。相对于SiC和GaN，ZnO、TiO2和金刚石是三种新型的宽禁带半导体材料。这三种材料具有更优异的光学、电学等性能，因此在各个...
- 王兰芳
- 关键词：宽禁带半导体发光光谱
- Si^(4＋)掺杂对BaZr(BO_3)_2：Eu荧光粉能量传递的影响被引量：3
- 2010年
- 采用高温固相法合成了Si4+掺杂的BaZr(BO3)2:Eu红色发光荧光粉。激发光谱表明,不同Si4+掺杂浓度明显使电荷迁移态(CTS)向高能量的位置移动,且改善了样品的发光强度。分析认为,这是由于Si4+的电负性大于所取代的Zr4+,且Si4+的进入影响了Eu3+的配位数,提高了CTS向发光中心的能量传递几率。依据Judd-Ofelt理论计算的强度参数表明,随着Si4+掺杂浓度的增加,Eu3+所处格位的对称性明显降低,增大了Eu3+的跃迁几率,从而改善了发光强度。计算Eu3+间的能量传递几率发现,在掺杂浓度为5%时,Eu3+间的能量传递几率很小,其对荧光粉的发光影响不大。
- 张忠朋李光旻张晓松徐生艳马玢王兰芳李岚
