王云彪
- 作品数：20 被引量：38H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：国家科技部专项基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 重掺<100>硅单晶抛光片条纹状起伏缺陷研究
- 2012年
- 重掺<100>硅单晶片抛光后经微分干涉显微镜观测,抛光片边缘区域存在条纹状起伏缺陷。通过分析条纹状起伏缺陷与重掺硅单晶中杂质的分布状况和<100>晶面本身腐蚀特性的关系,阐述了条纹状起伏缺陷形成的机理。通过工艺试验,对比了不同工艺条件下抛光片表面微观形貌状况,分析了抛光过程中各工艺条件对表面条纹起伏缺陷的影响,采用3步抛光工艺,得到了表面平整和一致性好的抛光片表面,抛光片边缘无条纹起伏缺陷。
- 王云彪张为才武永超陈亚楠
- 关键词：微观形貌抛光片
- 磷化铟单晶片三步抛光技术研究被引量：6
- 2012年
- 在磷化铟单晶片的抛光工艺中,将整个抛光过程分为粗抛、中抛以及精抛三个阶段,分别实现对磷化铟抛光片的总厚度变化、局部厚度变化以及表面粗糙度的控制。在粗抛阶段,采取压纹结构的抛光布、硅胶直径大的抛光液、有效氯含量高的氧化剂等措施,使化学作用、机械作用在较高的作用模式下达到平衡,使磷化铟单晶片表面快速达到镜面水平。在中抛阶段,采取平面结构抛光布、硅胶直径较小的抛光液、过氧化氢为氧化剂等措施,使化学作用、机械作用在较低的作用模式下达到平衡,实现对磷化铟单晶片局部平整度的控制。在精抛阶段,采取绒毛结构抛光布、硅胶直径更小的抛光液、过氧化氢为氧化剂等措施,实现对磷化铟单晶片表面粗糙度的控制。
- 杨洪星王云彪刘春香赵权林健
- 关键词：表面粗糙度
- 超薄Ge单晶抛光片机械强度控制技术被引量：3
- 2010年
- Ge单晶衬底上制成的化合物太阳能电池,被越来越广泛地应用于空间太阳能领域,超薄Ge抛光的机械强度也越来越受到人们的关注。介绍了一种测试超薄Ge单晶抛光片机械强度的方法。研究了加工工艺对超薄Ge单晶抛光片机械强度的影响,同时指出在太阳电池用超薄Ge单晶抛光片的加工过程中,切割、研磨、磨削、化学腐蚀、抛光等工序对超薄Ge单晶抛光片的机械强度均有着不同程度的影响。研究表明,通过调整磨削砂轮砂粒粒径、化学腐蚀去除厚度和抛光速率等工艺参数,能够有效控制超薄Ge单晶抛光片的机械强度。
- 赵权杨洪星刘春香吕菲张伟才王云彪
- 关键词：机械强度太阳电池损伤层
- 锗抛光片清洗工艺研究被引量：1
- 2015年
- 采用紫外线/臭氧技术氧化锗抛光片表面,取代传统的H2O2氧化工艺,之后使用盐酸稀溶液清洗。研究发现当采用波长为253.7 nm和184.9 nm的紫外线光源与臭氧同时作用,并在尽可能靠近锗抛光片表面时,经过30 s的反应时间即可实现对锗抛光片的最佳氧化效果。利用雾值检测对锗抛光片表面质量进行评价,当锗抛光片经过盐酸:H2O=1:50的溶液处理60 s后,可有效地去除抛光片表面的锗氧化物。
- 郭亚坤陈晨田原范红娜王云彪
- 关键词：清洗技术
- 硅化学腐蚀片电容法测厚与机械法测厚差异的原因分析被引量：3
- 2016年
- 在硅片厚度测量工作中,发现硅化学腐蚀片采用机械测厚和电容法测厚所得的数据存在差异,通过一系列对比实验对这一差异产生的原因进行了合理分析。首先,以硅抛光片作为对比,分别测试了硅抛光片与硅化学腐蚀片在采用两种测厚方法测厚时的数值并计算出其差值。针对这一差值,在分别对硅化学腐蚀片及硅抛光片的表面状况进行分析后,认为较粗糙和平整度较差的表面状况是造成硅化学腐蚀片采用电容法测厚与机械法测厚出现差异的主要原因。
- 田原杨静王云彪
- 关键词：硅抛光片
- 镓硼共掺对6英寸VGF法锗单晶电阻率均匀性的影响
- 2024年
- 由于杂质分凝效应,镓掺杂垂直梯度凝固(VGF)法锗单晶的电阻率分布不均匀,理论上利用镓和硼分凝系数的差异,镓硼共掺工艺可以提升锗单晶电阻率均匀性。采用镓硼共掺工艺制备了6英寸(1英寸≈2.54 cm)VGF法锗单晶,对比分析了掺杂工艺对锗单晶电阻率均匀性的影响。当镓和硼杂质浓度分别为5.13×10^(18)cm^(-3)和0.67×10^(18)cm^(-3)时,在等径0~40 mm范围内轴向电阻率不均匀性为4.92%,等径0 mm和40 mm处径向电阻率不均匀性分别为1.63%和0.45%,与镓杂质浓度为5.13×10^(18)cm^(-3)的镓掺杂工艺相比,锗单晶头部的电阻率均匀性明显提升。当硼杂质浓度提高到1.89×10^(18)cm^(-3)时,镓硼共掺锗单晶头部电阻率均匀性变差。结果表明,适量硼掺杂的镓硼共掺工艺可以提升锗单晶头部电阻率均匀性。
- 张颖武边义午陈晨周春锋王云彪兰天平
- 关键词：锗单晶
- 硅单晶抛光片边缘亮线研究被引量：2
- 2014年
- 随着集成电路用晶圆向大尺寸化方向发展，国内10～15 cm硅抛光片市场竞争日益激烈，外延及器件厂家对抛光片的表面质量和可利用率要求越来越高。边缘亮线是一种存在于硅片抛光面边缘的腐蚀缺陷，对抛光片的成品率及后续工艺质量有重要影响。通过对硅片边缘表面形貌进行微观分析，揭示了“边缘亮线”产生的机理，分别研究了抛光工艺条件和倒角工艺条件对边缘缺陷的影响，通过优化抛光工艺条件，消除了抛光片表面“边缘亮线”缺陷。
- 王云彪杨洪星陈亚楠张伟才
- 关键词：表面形貌成品率抛光片
- 锗抛光片干燥技术研究被引量：4
- 2012年
- 在锗加工工艺中,干燥技术对于加工的成品率和抛光片表面质量有着重要的影响。介绍了异丙醇脱水干燥技术的原理,分析了异丙醇脱水技术对超薄锗抛光片的适用性。采用湿法清洗技术,有效去除了表面沾污和抛光后的表面氧化产物,控制了抛光片表面GeO_2的生成。采用异丙醇脱水技术成功实现了140μm厚锗抛光片的干燥。
- 戚红英王云彪
- 关键词：湿法清洗
- 超薄硅双面抛光片抛光工艺技术被引量：4
- 2011年
- MEMS器件、保护电路、空间太阳电池等的制作需要使用硅双面抛光片,并且要求抛光片的厚度很薄,传统的硅抛光片加工工艺已经不能满足这一要求。介绍了一种用于超薄硅单晶双面抛光片加工的抛光工艺方法。通过对硅片抛光机理[1]、抛光方式、抛光工艺的研究和对抛光工艺试验结果的分析,解决了超薄硅单晶双面抛光片在加工过程中碎片率高、抛光片背面表面质量不易控制的技术难题,研制出了高质量的超薄硅单晶双面抛光片。
- 赵权杨洪星刘春香吕菲王云彪武永超
- 关键词：超薄抛光工艺
- 硅单晶片损伤层对抛光去除量的影响研究
- 2015年
- 硅单晶片是制作集成电路及分立器件的基础材料,随着集成电路不断向小线宽、低成本方向发展,对于硅单晶片的质量水平和成本控制提出了更高的要求。研究表面损伤层与抛光去除量的关系,能够有效控制抛光去除量的大小,对于提高抛光片表面质量、控制生产成本、优化工艺条件具有重要的意义。通过恒定腐蚀法与化学机械抛光法相结合的方式分析了损伤层深度与去除量的关系,研究发现研磨片、碱腐蚀片和酸腐蚀片的表面损伤层深度依次降低,但均小于抛光去除量,依据损伤层模型,提出了抛光去除量取决于腐蚀后表面晶胞状况的观点。
- 王云彪田原杨召杰郭亚坤
- 关键词：硅单晶片损伤层
