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焦文利

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：哈尔滨工程大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 5篇终端结构
  • 5篇晶体管
  • 5篇功率MOS器...
  • 4篇氧化层
  • 4篇肖特基
  • 4篇击穿电压
  • 4篇功率半导体
  • 4篇半导体
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 3篇电场
  • 3篇电场分布
  • 3篇沟槽
  • 3篇版图
  • 2篇电极
  • 2篇电子系统
  • 2篇引出电极
  • 2篇漂移
  • 2篇自对准
  • 2篇牺牲

机构

  • 11篇哈尔滨工程大...

作者

  • 11篇焦文利
  • 10篇王颖
  • 4篇曹菲
  • 2篇邵雷
  • 2篇刘云涛

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
集成肖特基二极管的功率MOSFET器件模拟研究
最近几年,由于在汽车电子、电脑周边设备、便携式电子、无线通信等方面的广泛应用,低压功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)得到了迅速的发展。功...
焦文利
关键词：肖特基二极管击穿电压导通电阻电学性能泄漏电流
文献传递
自对准内嵌肖特基结的功率半导体场效应晶体管
本发明提供的是一种自对准内嵌肖特基结的功率半导体场效应晶体管。包括漏区、漂移区、栅氧化层、栅电极、场氧化层、沟道区、侧壁氧化层、阳极和源电极；在漏区之上形成位于基底上的漂移区掺杂层；在所述掺杂层上形成栅极区，栅极区包括栅...
王颖焦文利曹菲刘云涛邵雷
文献传递
一种分裂栅型沟槽功率MOS器件
本发明涉及MOS器件版图边缘设计领域，具体涉及一种应用在低、中压器件中沟槽结构同终端结构连通的分裂栅型沟槽功率MOS器件。本发明的分裂栅型沟槽功率MOS器件，有源区中沟槽结构同终端结构连通，有源区中的台面是两端为半圆形的...
王颖胡海帆焦文利
文献传递
分裂栅型沟槽功率MOS器件的终端结构及其制造方法
本发明提供的是分裂栅型沟槽功率MOS器件的终端结构及其制造方法。包括栅引出电极(101)、栅电极下部悬浮多晶硅电极(102)、厚氧化层(103)、栅电极连接金属(104)、源电极(105)、漂移区(N-)(106)、漏电...
王颖胡海帆焦文利曹菲
文献传递
一种分裂栅型沟槽功率MOS器件
本实用新型涉及MOS器件版图边缘设计领域，具体涉及一种应用在低、中压器件中沟槽结构同终端结构连通的分裂栅型沟槽功率MOS器件。本实用新型的分裂栅型沟槽功率MOS器件，有源区中沟槽结构同终端结构连通，有源区中的台面是两端为...
王颖胡海帆焦文利
文献传递
深沟槽功率半导体场效应晶体管
本发明提供的是一种深沟槽功率半导体场效应晶体管。包括漏区(201)、氧化层(202)、沟道区(203)、栅电极(204)、源电极(205)、n+层(206)、分裂电极(207)、漂移区(208)；所述漂移区为n型漂移区，...
王颖胡海帆赵旦峰焦文利
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集成肖特基整流器的栅增强功率MOSFET器件
本发明提供的是一种集成肖特基整流器的栅增强功率MOSFET器件。包括由漂移区101、漏区102、场氧化层103、栅电极104、沟道区105和源电极106构成的晶体管。源电极106延伸到漂移区101、并与漂移区101形成肖...
王颖胡海帆杨晓冬焦文利
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深沟槽功率半导体场效应晶体管
本发明提供的是一种深沟槽功率半导体场效应晶体管。包括漏区(201)、氧化层(202)、沟道区(203)、栅电极(204)、源电极(205)、n+层(206)、分裂电极(207)、漂移区(208)；所述漂移区为n型漂移区，...
王颖胡海帆赵旦峰焦文利
一种沟槽功率MOS器件的终端结构及其制造方法
本发明提供的是一种沟槽功率MOS器件的终端结构及其制造方法。包括栅电极引出电极(101)，栅电极引出电极(101)的下方为悬浮多晶硅电极(102)，悬浮多晶硅电极(102)在厚氧化层103)内部，栅电极引出电极(101)...
王颖胡海帆焦文利曹菲
文献传递
一种分裂栅型沟槽功率MOS器件
本发明涉及MOS器件版图边缘设计领域，具体涉及一种应用在低、中压器件中沟槽结构同终端结构连通的分裂栅型沟槽功率MOS器件。本发明的分裂栅型沟槽功率MOS器件，有源区中沟槽结构同终端结构连通，有源区中的台面是两端为半圆形的...
王颖胡海帆焦文利
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