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满振勇

作品数:38 被引量:24H指数:2
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金陕西省自然科学基金更多>>
相关领域:理学化学工程一般工业技术历史地理更多>>

文献类型

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领域

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主题

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机构

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  • 1篇陕西科技大学
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  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 38篇满振勇
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  • 2篇林奇生
  • 2篇张志军
  • 2篇阮伟

传媒

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年份

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  • 3篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
38 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
LuBO3相关体系中相变、新化合物结构研究
Levin等人在1961年报道了LuBO同时具有两种稳定的晶体结构,即低温下的方解石相(calcite)和高温下的球霰石相(vaterite),相转变点在1310℃附近。球霰石相的品质因素高,这表明由其组装的闪烁探测器有...
金滕滕满振勇胡关钦赵景泰
文献传递
一种高性能氧化锌电阻陶瓷材料及其制备方法
本发明涉及一种高性能氧化锌电阻陶瓷材料及其制备方法,所述氧化锌电阻陶瓷材料的制备方法包括:(1)将ZnO粉体、In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉体、MgO粉体和TiO<Sub>2</Sub>粉体混合...
李国荣陈曦田甜曾江涛郑嘹赢阮学政满振勇
文献传递
一种提高陶瓷表面电极附着力的方法
本发明提供了一种提高陶瓷表面电极附着力的方法,包括在陶瓷片表面第一次丝网印刷第一层银电极,烘干后冷却至室温;在第一层银电极上第二次丝网印刷第二层银电极,烘干后冷却至室温。本发明的技术方案简单易行,使得电极层抗拉强度有较大...
时雪阮学政满振勇郑嘹赢李国荣
C_(60)-石墨表面散射的计算机模拟研究:两种相互作用模型的比较被引量:1
1997年
本文用分子动力学模拟方法在原子层次研究了低能C60在石墨(0001)表面的非弹性散射过程。C60的轰击能量为90和150eV。C原子间的相互作用由两种半经验多体势描述。本文的模拟计算观察到C60分子在石墨表面散射中先发生高度形变,然后在反弹过程中逐渐恢复到接近球形的结构。两种相互作用模型得到的模拟结果均证实了C60在表面散射中的高度稳定性及其非弹性特征。计算得到的C60反弹能与实验符合较好。
满振勇潘正瑛
关键词:C60石墨分子动力学计算机模拟
高闪烁性能硼酸镥的相变研究
自1961年起LuBO一直被认为在高于1310℃时以六方对称的球霰石相存在,我们通过对多种合成条件的摸索,经XRD粉末衍射精修分析,可以在1500℃用高温固相法获得LuBO新的结构,同时测试了它的真空紫外发光性能。150...
金滕滕满振勇胡关钦陈昊鸿杨昕昕赵景泰
C_(20)与Si(100)-(2×1)重构表面相互作用的计算机模拟研究被引量:2
2000年
用分子动力学的方法模拟研究了低能C2 0 与Si( 10 0 ) ( 2× 1)重构表面的相互作用过程。将描述C、Si结构的Tersoff势和描述原子间短程排斥的KrC势相结合 ,建立了一个混合势作为原子间的相互作用模型。荷能C2 0 垂直轰击到Si( 10 0 ) ( 2× 1)表面后 ,由于在〈110〉方向受到非对称力场的作用而产生横向的集体运动 ,改变的入射能量导致C2 0 与Si( 10 0 ) ( 2× 1)表面最接近的垂直距离不同 ,从而受到不同的横向力场的作用而产生不同的表面运动特性。C2 0 能量耗尽后稳定吸附在Si( 10 0 ) ( 2× 1)表面 ,且只有两个稳定吸附位置 ,即二聚体 (dimer)和“峡谷”(trough)位 ,这两个吸附位置的存在可用C2 0 与Si( 10 0 ) ( 2× 1)表面之间非对称的表面力场分布来定性解释。最终C2 0与Si( 10 0 ) ( 2× 1)表面有强烈的化学键形成。
满振勇冯锡淇
关键词:碰撞相互作用计算机模拟
超高温稀土硼化物(Y_(1-x)Yb_(x))B_(6)的制备及力学性能研究
2023年
六硼化钇(YB_(6))高温下结构不稳定限制了其在超高温领域的应用,通过引入Yb元素,可形成高温稳定的(Y 1-x Yb x)B_(6)固溶体。本文以(Y_(0.5)Yb_(0.5))_(2)O_(3)和B 4C为原料采用硼/碳热还原法制备了(Y_(0.5)Yb_(0.5))B_(6)粉体,通过无压烧结实现了陶瓷致密化,并结合密度泛函理论计算综合分析了材料的晶体结构、微观形貌和力学性能。结果表明,在1650℃下热处理,B 4C过量6.25%时合成的(Y_(0.5)Yb_(0.5))B_(6)粉体纯度最高。在2000℃下无压烧结获得的(Y_(0.5)Yb_(0.5))B_(6)陶瓷致密度为95.80%,但晶粒尺寸偏大,可达(80.71±35.51)μm。通过两步烧结法所得陶瓷致密度、晶粒尺寸、硬度和断裂韧性分别为95.47%、(14.54±6.31)μm、(14.53±1.37)GPa和(2.81±0.34)MPa·m^(1/2)。陶瓷断口处与典型的高损伤容限陶瓷Ti_(3)SiC_(2)、Hf_(3)AlN的断口形貌十分类似,表明(Y_(0.5)Yb_(0.5))B_(6)具有良好的损伤容忍度,有望提高超高温陶瓷的韧性与延性。
刘虎林侯慧慧于成龙满振勇党锋珍薛云龙伍媛婷
关键词:超高温陶瓷第一性原理计算
一种高性能氧化锌电阻陶瓷材料及其制备方法
本发明涉及一种高性能氧化锌电阻陶瓷材料及其制备方法,所述氧化锌电阻陶瓷材料的制备方法包括:(1)将ZnO粉体、In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉体、MgO粉体和TiO<Sub>2</Sub>粉体混合...
李国荣陈曦田甜曾江涛郑嘹赢阮学政满振勇
文献传递
一种压电微位移器叠堆及其制备方法
本发明提供了一种压电微位移器叠堆及其制备方法,在陶瓷片与片间加一个金属薄片(铜片、铝片、锡片等)作为中间层。本发明的技术方案,可使内电极清晰可见,很大程度提高了压电叠堆内电极引出效率,增强了压电叠堆的牢固性和可靠性。
时雪满振勇赵坤宇郑嘹赢
BiAlO_(3)掺杂PZT陶瓷的高压电性能和低电场应变滞后
2022年
铅基压电陶瓷因其优异的压电性能,被广泛应用于压电器件。其中,压电驱动器要求压电陶瓷具有较高压电性能并且在电场下具有较高的电致应变和较小的应变滞后。本研究通过施主-受主共掺,得到高压电性能和低电场应变滞后的PZT陶瓷。采用传统固相反应法制备了(1-x)(Pb_(0.95)Sr_(0.05))(Zr_(53)Ti_(47))O_(3)-x BiAlO_(3)+0.2%MnO_(2)陶瓷(掺杂量为质量百分数),并对其微观结构和压电性能进行了研究。结果表明:BiAlO_(3)掺杂量较少时,陶瓷中缺陷偶极子的“钉扎”效应使得陶瓷畴壁转动困难,陶瓷压电性能较弱,应变滞后也较小。随BiAlO_(3)掺杂量增加,缺陷偶极子“钉扎”效应减弱,陶瓷的压电性能和应变滞后随之提高。本实验得到的性能最优组分为x=1.75%,该组份陶瓷的压电系数d_(33)=504 p C/N,机电耦合系数k_(p)=0.71,机械品质因数Q_(m)=281,居里温度T_(C)=312℃,在10k V/cm电场下的应变滞后仅为15%,并且还具有较好的温度稳定性,是一种具有应用价值的压电驱动器用压电陶瓷材料。
刘鼎伟曾江涛郑嘹赢满振勇阮学政时雪李国荣
关键词:压电性能温度稳定性PZT
共4页<1234>
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