李炎
- 作品数：14 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信理学更多>>
- 新型闪存单元的研究
- 随着信息技术的发展，信息存储需求的日益增长使得半导体存储器得到越来越广泛的应用。闪存作为半导体存储器的一种，和其他非挥发性存储器相比，在集成度、可靠性等方面有着很大的优势。但随着器件尺寸的持续缩小，闪存面临着如何实现高速...
- 李炎
- 关键词：闪存存储NROM
- 闪存存储单元的浮栅及其制备方法和一种闪存存储单元
- 本发明提供了一种闪存存储单元的浮栅及其制备方法和一种闪存存储单元，属于非挥发性半导体存储器技术领域。与传统的闪存存储单元相比，本发明采用异质结浮栅结构，在横向上分别采用P<Sup>+</Sup>N<Sup>+</Sup>...
- 蔡一茂单晓楠周发龙李炎黄如王阳元
- 文献传递
- 一种闪存存储单元结构及其制备方法
- 本发明提供了一种闪存存储单元及其制备方法，属于非挥发性半导体存储器技术领域。与传统的闪存存储单元相比，本发明采用两层氮化硅作为浮栅，在横向和纵向上分别存储两位数据，实现了每个闪存存储单元能存储四位数据的功能，大大地增加了...
- 蔡一茂黄如单晓楠周发龙李炎王阳元
- 文献传递
- 一种NROM闪存控制栅及闪存单元的制备方法
- 本发明提供了一种NROM闪存存储单元，属于非挥发性半导体存储器技术领域。该存储单元是由控制栅、源漏区、隧穿氧化层、存储数据的氮化硅层以及阻止氧化层组成，在控制栅的不同区域注入不同类型杂质，靠近源端和漏端的控制栅注入N型杂...
- 单晓楠黄如蔡一茂李炎周发龙
- 文献传递
- 一种加载远程csv文件的方法和装置
- 本发明公开了一种加载远程csv文件的方法及装置。该方法包括：获取浏览器前端发送的文件打开请求；读取文件打开请求所指定文件的前M行数据以及文件打开请求所指定文件中数据的总行数，将前M行数据和总行数反馈给浏览器前端；获取浏览...
- 曹东刚李炎安博
- 文献传递
- 两端存储信息的双位闪存单元及其读取方法
- 本发明提供了一种两端存储信息的双位闪存单元的读取方法，属于非挥发性半导体存储器技术领域。与传统的双位闪存读取方法相比，本发明通过衬底和位线的电压组合，在存储单元的沟道内形成足够宽的耗尽层，实现了能够有效读取双位闪存单元中...
- 蔡一茂单晓楠周发龙李炎黄如王阳元
- 文献传递
- 一种加载远程csv文件的方法和装置
- 本发明公开了一种加载远程csv文件的方法及装置。该方法包括：获取浏览器前端发送的文件打开请求；读取文件打开请求所指定文件的前M行数据以及文件打开请求所指定文件中数据的总行数，将前M行数据和总行数反馈给浏览器前端；获取浏览...
- 曹东刚李炎安博
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- NiSi金属栅电学特性的热稳定性研究被引量：2
- 2007年
- 研究了NiSi金属栅的各种电学特性及其热稳定性,提出一个物理模型用于解释当形成温度大于500℃时NiSi功函数随退火温度升高而增大的现象.测量了不同退火温度形成的NiSi材料的方块电阻,当退火温度大于400℃时,方块电阻达到最小,并在400—600℃范围内稳定.比较各种温度下形成的NiSi材料X射线衍射谱的变化,说明温度在400—600℃范围内NiSi相为最主要的成分.制备了以NiSi为金属栅的金属氧化物半导体电容.通过等效氧化层电荷密度及击穿电场Ebd的分布研究,说明炉退火时间较长将导致NiSi金属栅与栅介质之间界面质量下降、击穿电场降低,这种退火方式不适合作为NiSi金属栅的形成方式.系统研究了在各种快速热退火(RTA)温度下形成的NiSi金属栅电容的电学特性,通过C-V,Ig-Vg曲线及氧化层等效电荷密度的比较,说明了当RTA温度大于500℃时栅介质质量明显退化,因此400—500℃为理想的NiSi金属栅形成温度范围.进一步提取并分析了400,450,500和600℃条件下RTA形成的NiSi金属栅功函数及等效氧化层电荷,发现在600℃条件下NiSi金属栅功函数和氧化层等效电荷都有一个显著的增大.
- 单晓楠黄如李炎蔡一茂
- 关键词：金属栅NISI快速热退火
- 无线局域网中DSSS通信模式和CCK通信模式的研究与实现
- 当前，基于802.11系列协议的.技术迅猛发展，相关的产品已经逐渐被推广和普及。与传统的有线网络相比，无线局域网具有组网简单，改动方便，不受建筑结构和地理因素影响等优点，在军事，国防，商用和个人通信等领域有着广阔的前景。...
- 李炎
- 关键词：无线局域网信道均衡
- 利用深亚微米CMOS标准工艺实现的EEPROM电平转换电路及方法
- 本发明提供一种利用深亚微米CMOS标准工艺实现的EEPROM电平转换电路及方法。该电平转换电路完全采用CMOS标准工艺参数，利用两对PMOS管与NMOS管对电压进行钳位，从而保证了电路中所有的MOS管栅漏电压差|V<Su...
- 邓志欣廖怀林李炎黄如
- 文献传递
