曹凌霞 作品数:5 被引量:13 H指数:3 供职机构: 华北光电技术研究所 更多>> 发文基金: 陕西省教育厅省级重点实验室科研与建设计划项目 更多>> 相关领域: 电子电信 更多>>
锑化铟焦平面器件背面减薄后的表面处理方法研究 被引量:4 2020年 经传统的背面减薄工艺处理后,锑化铟焦平面器件的表面上经常会有细微划道;采用传统的表面清洗方式时也容易对器件表面造成划道,导致工艺重复性差。因此,当器件经过背面减薄后,利用腐蚀液去除划道,并采用基于石油醚和无水乙醇的非接触式清洗方法,有效降低了器件表面产生划道的几率,同时避免了由于表面腐蚀速率不均匀导致测试时部分区域电平较高、在测试图像上出现亮斑等情况;另外还提高了工艺的重复性,使锑化铟器件的红外成像均匀且没有划道,从而提高了该器件的成品率。 肖钰 李家发 王淑艳 曹凌霞 李海燕关键词:锑化铟 表面处理 一种锑化铟红外焦平面探测器的设计及制作 2025年 裂片及串音问题限制了锑化铟(InSb)焦平面探测器向更大面阵规模、更小像元间距的发展。报道了采用分立感光像元的InSb焦平面探测器的试验研究结果。制备了阵列规模为320×256、像元间距为30μm的InSb红外探测器,测得其信号响应均值为441.112 mV,噪声均值为1.729 mV。此阵列分立,缓解了裂片及串音问题,可靠性高且填充率较高。相较于键合硅片后刻蚀形成分立像元的方式,该方法不存在硅片对入射光信息的吸收损失,且制作工艺简单。 谭启广 李忠贺 张轶 曹凌霞关键词:红外焦平面探测器 INSB 分立 单点金刚石切削InSb单晶的研究 被引量:4 2019年 InSb红外焦平面探测器一直在中波波段占据重要地位。随着科技的发展,迫切需要针对InSb单晶的精密加工方法。采用单点金刚石切削(Single Point Diamond Turning,SPDT)精密机床对InSb晶体进行减薄工艺开发。在机床加工工艺中,可变参数有主轴转速、单次去除量和进给速度等。通过正交试验,确定了单点金刚石切削InSb晶体的最佳工艺参数。对于切削后的InSb晶体,结合双晶衍射测试,其切削损伤低于3■m。InSb红外器件流片证实单点金刚石切削InSb晶体工艺能满足用户的使用要求,获得较好的结果。 程雨 曹凌霞 肖钰关键词:INSB InSb表面的损伤层研究 本文通过采用X射线双晶衍射的方法,对经过研磨、抛光的InSb晶片进行检测,研究晶片表面损伤,得出损伤层的大致范围,并把实验结果运用于实际工作中. 曹凌霞 李玉峰关键词:INSB 损伤层 红外探测器 文献传递 InSb红外焦平面探测器背减薄技术 被引量:5 2001年 文中着重介绍了 In Sb红外焦平面探测器背减薄技术工艺以及精抛对器件性能的影响。目前已较好的掌握了减薄至 2 邱宏 曹凌霞关键词:INSB 红外探测器