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廖宇龙

作品数：10 被引量：4H指数：2
供职机构：西安交通大学更多>>
发文基金：西安应用材料创新基金国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇阳极
  • 3篇阳极氧化
  • 3篇粉体
  • 2篇低温晶化
  • 2篇电阻
  • 2篇淀积
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇煅烧
  • 2篇纳米
  • 2篇接触电阻
  • 2篇晶化
  • 2篇光催化
  • 2篇光伏器件
  • 2篇方块电阻
  • 2篇高温煅烧
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 2篇半绝缘
  • 2篇触电
  • 2篇催化

机构

  • 6篇西安交通大学
  • 4篇西安电子科技...

作者

  • 10篇廖宇龙
  • 5篇阙文修
  • 3篇程萍
  • 3篇郭辉
  • 3篇张义门
  • 3篇张玉明
  • 2篇申凤宇
  • 1篇何作利
  • 1篇刘艾
  • 1篇尹行天
  • 1篇张进
  • 1篇成晟
  • 1篇李文涛

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种氧化钛纳米管阵列或氧化钛纳米管粉体的低温晶化方法
一种氧化钛纳米管阵列或氧化钛纳米管粉体的低温晶化方法，采用水基溶液浸泡氧化钛纳米管，阳极氧化的方法制备无定型态氧化钛纳米管先驱物，实现了无定型态氧化钛纳米管低温结晶。晶化之后的氧化钛纳米管结晶性能良好，在光催化和太阳能光...
阙文修廖宇龙申凤宇
一种快速制备氧化钛纳米管单管粉体的方法
一种快速制备氧化钛纳米管单管粉体的方法，采用快速阳极法直接氧化金属钛片制备氧化钛纳米管束粉体，经超声分散后得到氧化钛纳米管单管粉体。首先，利用电化学方法将金属钛片在高氯酸水溶液中一步氧化为氧化钛纳米管束，然后采用超声分散...
阙文修廖宇龙
文献传递
一种基于UV-LED光源和TiO<Sub>2</Sub> 纳米管阵列的光催化水处理反应器
一种基于UV-LED光源和TiO<Sub>2</Sub>纳米管阵列的光催化水处理反应器。它由石英反应容器、UV-LED灯箱、反射外壳依次包围构成，解决了传统光催化水处理器光源能耗高，催化效率低等问题。采用高效紫外发光二极...
阙文修党艳慧刘艾成晟李文涛接丹枫廖宇龙
文献传递
碳化硅材料高功率光导开关研究
半绝缘SiC由于其宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和漂移速度、高热导率等优良特性，使其非常适合作为大功率光导开关的基体材料。其中，4H-SiC的临界击穿电场达300 MV/m，尤其适合应用于工作在高电压、高功率密度条件下...
廖宇龙
关键词：光导开关碳化硅自由载流子
文献传递
金属氧化物半导体载流子高效抽取及输运机理研究
阙文修尹行天廖宇龙何作利张进
该项目属于化合物半导体纳米材料和新能源技术交叉融合研究领域。宽禁带金属氧化物半导体材料由于制备过程中的缺陷，无霜掺杂即可表现出P型或n型导电特性，具有良好的载流子输运特性，非常适合应用于光电器件和光催化系统。然而，如何通...
关键词：
关键词：纳米材料
半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法
本发明公开了一种半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法，主要解决欧姆接触的比接触电阻大的问题。其过程是：对SiC衬底进行预处理，并在SiC衬底上外延GaN重掺杂层或SiC:Ge过渡层；在GaN重掺杂层或SiC:Ge过渡...
郭辉程萍张玉明张义门廖宇龙
文献传递
一种氧化钛纳米管阵列或氧化钛纳米管粉体的低温晶化方法
一种氧化钛纳米管阵列或氧化钛纳米管粉体的低温晶化方法，采用水基溶液浸泡氧化钛纳米管，阳极氧化的方法制备无定型态氧化钛纳米管先驱物，实现了无定型态氧化钛纳米管低温结晶。晶化之后的氧化钛纳米管结晶性能良好，在光催化和太阳能光...
阙文修廖宇龙申凤宇
文献传递
TiO2纳米结构材料的制备及其光催化应用基础研究
二氧化钛(TiO2)是一种金属氧化物半导体，不但具有优良的催化，光电，生物相容性等诸多特点，而且生产成本低和化学稳定性好。纳米TiO2半导体光催化氧化技术因其具有效率高、能耗低、操作简便、反应条件温和、适用范围广、可减少...
廖宇龙
关键词：光催化阳极氧化
文献传递
半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法
本发明公开了一种半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法，主要解决欧姆接触的比接触电阻大的问题。其过程是：对SiC衬底进行预处理，并在SiC衬底上外延GaN重掺杂层或SiC∶Ge过渡层；在GaN重掺杂层或SiC∶Ge过渡...
郭辉程萍张玉明张义门廖宇龙
文献传递
LPCVD法制备的高纯半绝缘4H-SiC晶体ESR谱特性被引量：2
2009年
利用电子自旋共振波谱(ESR)仪,分析由低压化学气相沉积(LPCVD)法制备的高纯半绝缘4H-SiC材料本征缺陷.结果发现,在暗场条件下获得的缺陷信息具有碳空位(VC)及其络合物的特征;谱线具有半高宽较大、峰谷明显不对称的特点.分析认为造成ESR谱线半高宽较大及峰谷不对称现象的主要原因是测试温度较高.同时,吸收谱中峰谷不对称现象及较大半高宽现象的出现还与不对称的晶格结构及缺陷浓度的不均匀分布有关.在110K测试温度下,能级上的电子分布对ESR谱特性影响很小.
程萍张玉明郭辉张义门廖宇龙
关键词：电子自旋共振本征缺陷
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