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尚也淳

作品数：19 被引量：76H指数：6
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国防科技技术预先研究基金国家部委预研基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 15篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学

主题

  • 10篇碳化硅
  • 8篇SIC
  • 8篇6H-SIC
  • 3篇迁移率
  • 3篇反型层
  • 2篇电特性
  • 2篇迁移
  • 2篇二极管
  • 2篇辐照
  • 2篇辐照效应
  • 2篇JFET
  • 2篇MONTE_...
  • 2篇MONTE_...
  • 2篇MOS结构
  • 1篇电连接
  • 1篇电路
  • 1篇电路结构
  • 1篇电特性分析
  • 1篇电子辐照
  • 1篇电子迁移率

机构

  • 15篇西安电子科技...
  • 5篇中国科学院

作者

  • 19篇尚也淳
  • 13篇张义门
  • 13篇张玉明
  • 5篇刘忠立
  • 2篇王姝睿
  • 1篇孙国胜
  • 1篇李跃进
  • 1篇傅俊兴
  • 1篇朱作云
  • 1篇詹永玲
  • 1篇何光
  • 1篇杨银棠
  • 1篇韩晓亮
  • 1篇柴常春
  • 1篇高海霞
  • 1篇贾护军
  • 1篇汪家友
  • 1篇高洪福

传媒

  • 4篇Journa...
  • 3篇物理学报
  • 3篇西安电子科技...
  • 2篇电子与信息学...
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇电子学报
  • 1篇核电子学与探...

年份

  • 1篇2005
  • 4篇2003
  • 1篇2002
  • 7篇2001
  • 4篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1997
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
中子辐照下的6H-SiCpn结电特性分析被引量：9
2000年
用中子辐照在 6H- Si C pn结中引入的复合中心和深能级陷阱解释了 Si C pn结辐照后电特性退化的现象 ,并推导了辐照后 Si C pn结理想因子与外加电压的关系 ,给出了 Si C pn结中子辐照电特性退化的模型 ,模拟结果和实验数据的对比说明关于 Si C
尚也淳张义门张玉明
关键词：中子辐照碳化硅
SiC/SiO_2界面粗糙散射对沟道迁移率影响的Monte Carlo研究被引量：8
2001年
提出了一种SiC反型层表面粗糙散射的指数模型 ,并对 6H SiC反型层迁移率进行了单电子的MonteCarlo模拟 ,模拟中考虑了沟道区的量子化效应 .模拟结果表明 ,采用表面粗糙散射的指数模型能够使SiC反型层迁移率的模拟结果和实验值符合得更好 .模拟结果还反映出有效横向电场较高时表面粗糙散射的作用会变得更显著 ,电子的屏蔽效应降低了粗糙散射对沟道迁移率的影响 ,温度升高会引起沟道迁移率降低 .
尚也淳张义门张玉明
关键词：反型层
MTJ MRAM的特性分析与设计被引量：4
2003年
对 MTJ(磁隧道结 )的 GMR(巨磁阻 )效应进行了分析。 MTJ的结构、形态和工作条件会对 GMR效应产生不同的影响。提出了一种 4× 1位 MTJMRAM(磁存储器 )的电路结构 ,每个 MRAM的存储单元由一个MTJ和一个 MOSFET构成 ,用 MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据 ,数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成 MRAM数据的写入。
尚也淳刘忠立
关键词：磁隧道结巨磁阻MRAM磁存储器电路结构磁阻率
6H-SiC JFET输出特性及其中子辐照模型被引量：5
2000年
基于沟道调制效应、串联电阻效应的考虑 ,首先建立了一个和实验室符合很好的 6H-Si C JFET的模型 ,在该模型中采用了两级电离杂质模型和 Caughey-Thomas方程 ,接着在分析中子辐照对 Si C JFET电参数如电子浓度、迁移率、电阻率和空间电荷区密度影响的基础上 ,对 Si C JFET在室温和 30 0℃时的辐照响应进行了模拟。
尚也淳张义门张玉明
关键词：SICJFET
杂质不完全离化对SiCMOSFET的影响被引量：12
2001年
在分析 Si C中杂质部分离化时 ,考虑了 Frenkel- Pool效应 ,通过求解 Si C MOS表面空间电荷区中的一维Poisson方程 ,提出了一个新的 Si C MOSFET反型层薄层电荷 (charge- sheet)数值模型 .对 Si C中杂质不完全离化的研究表明 ,杂质原子较大的离化能、高的掺杂浓度以及低温会使不完全离化的影响增强 ,对于 Si C MOSFET。
尚也淳张义门张玉明
关键词：碳化硅场效应晶体管MOSFET
SiC抗辐照特性的分析被引量：17
1999年
用半导体抗辐照的机理说明了ＳｉＣ材料具有良好的抗辐照特性．实验数据的对比表明，ＳｉＣ在器件发光二极管（ＬＥＤ），结型场效应晶体管（ＪＦＥＴ）和金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）上对辐照影响不敏感．从原理上预测了ＳｉＣ集成电路的单粒子反转（ＳＥＵ）截面，结果说明ＳｉＣ集成电路具有好的抗ＳＥＵ
尚也淳张义门张玉明
关键词：碳化硅辐照半导体材料
SiC Schottky结反向特性的研究被引量：4
2003年
对Ti 6H SiCSchottky结的反向特性进行了测试和理论分析 ,提出了一种综合的包括SiCSchottky结主要反向漏电流产生机理的反向隧穿电流模型 ,该模型考虑了Schottky势垒不均匀性、Ti SiC界面层电压降和镜像力对SiCSchottky结反向特性的影响 ,模拟结果和测量值的相符说明了以上所考虑因素是引起SiCSchottky结反向漏电流高于常规计算值的主要原因 .分析结果表明在一般工作条件下SiCSchottky结的反向特性主要是由场发射和热电子场发射电流决定的 .
尚也淳刘忠立王姝睿
关键词：SIC隧穿电流碳化硅
SiC高温半导体器件技术
杨银棠张义门李跃进张玉明柴常春贾护军朱作云汪家友傅俊兴尚也淳高洪福韩晓亮何光詹永玲高海霞
该项目是新型半导体材料和器件技术研究领域重要的前沿研究课题，主要研究成果包括：研制建立了可用于SiC材料生长的常压化学气相淀积系统、研究了SiC材料掺杂技术、研究了SiC材料上氧化层制备技术、在SiC材料上用磁控溅射的方...
关键词：
关键词：SIC
6H-SiC反型层电子库仑散射被引量：3
2001年
提出了一种综合的SiC反型层库仑散射解析模型 ,并在模型中考虑了库仑电荷中心的相关性 .对6H SiC反型层电子迁移率进行了单电子MonteCarlo模拟 ,模拟结果和实验值相符 .模拟结果表明 ,当有效横向电场变小时库仑散射的作用将增强 。
尚也淳张义门张玉明
关键词：碳化硅6H-SIC库仑散射
Si上外延的n型3C-SiC欧姆接触研究被引量：3
2005年
用LPCVD在Si(111)上异质外延了n型3C-SiC,并在所外延的3C-SiC上蒸发Au/Ti,通过不同温度下的RTA(快速热退火)形成欧姆接触。用两种不同的传输线模型对Ti/3C-SiC欧姆接触的ρc(比接触电阻率)进行测量,在750°C退火后Ti/3C-SiC的ρc达到了最低值为3.68×10-5Ω·cm2,这满足了应用的要求。AES分析结果还表明由于Ti的氧化,更高温度下的退火会使ρc增大。
尚也淳刘忠立孙国胜
关键词：欧姆接触传输线模型比接触电阻率
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