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宣荣喜

作品数：334 被引量：88H指数：5
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家部委资助项目国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 269篇专利
  • 36篇期刊文章
  • 14篇会议论文

领域

  • 64篇电子电信
  • 11篇理学
  • 3篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学

主题

  • 106篇应变SI
  • 97篇BICMOS
  • 79篇迁移率
  • 73篇双极器件
  • 61篇自对准
  • 60篇刻蚀
  • 55篇光刻
  • 52篇多晶
  • 44篇沟道
  • 41篇电路
  • 39篇晶面
  • 38篇空穴
  • 38篇集成电路
  • 35篇空穴迁移率
  • 34篇离子注入
  • 32篇迁移
  • 32篇SIGE_H...
  • 30篇发射区
  • 29篇淀积
  • 28篇电子迁移率

机构

  • 319篇西安电子科技...
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 319篇宣荣喜
  • 309篇胡辉勇
  • 306篇张鹤鸣
  • 290篇宋建军
  • 221篇舒斌
  • 137篇郝跃
  • 104篇王斌
  • 84篇戴显英
  • 58篇周春宇
  • 54篇王海栋
  • 54篇吕懿
  • 48篇李妤晨
  • 21篇苏汉
  • 17篇赵丽霞
  • 16篇王冠宇
  • 14篇陈景明
  • 12篇刘翔宇
  • 11篇吴继宝
  • 11篇蒋道福
  • 10篇任远

传媒

  • 21篇物理学报
  • 5篇第十五届全国...
  • 4篇Journa...
  • 4篇电子器件
  • 4篇西安电子科技...
  • 4篇第十四届全国...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇湖北汽车工业...

年份

  • 1篇2023
  • 4篇2021
  • 14篇2020
  • 13篇2019
  • 27篇2018
  • 17篇2017
  • 25篇2016
  • 63篇2015
  • 13篇2014
  • 8篇2013
  • 69篇2012
  • 6篇2011
  • 17篇2010
  • 17篇2009
  • 7篇2008
  • 10篇2007
  • 3篇2006
  • 5篇2005
共 334 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种SiO<Sub>2</Sub>掩蔽技术制备纳米级CMOS集成电路的方法
本发明公开了一种SiO<Sub>2</Sub>掩蔽技术制备纳米级CMOS集成电路的方法。其过程为：制造出N/P阱，并在N/P阱上生长Poly－Si/SiO<Sub>2</Sub>/Poly－Si多层结构；将最上层的Pol...
张鹤鸣宣荣喜戴显英宋建军舒斌胡辉勇王冠宇秦珊珊王晓燕
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一种基于自对准工艺的混合晶面双多晶应变BiCMOS集成器件及制备方法
本发明公开了一种基于自对准工艺的混合晶面双多晶应变BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在SOI衬底上生长N型Si外延层作为双极器件集电区，制备深槽隔离，然后依次制备基极多晶、基区、发射区，形成SiGe HBT器件；...
胡辉勇张鹤鸣周春宇宋建军李妤晨宣荣喜舒斌郝跃
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SOI三维CMOS集成器件及其制作方法
本发明公开了一种SOI三维CMOS集成器件及其制作方法，它是微电子技术领域，主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是采用SSOI和SSGOI衬底构建新的三维CMOS集成器件的两个有源层。其中，下层有源层采用SSOI...
张鹤鸣胡辉勇戴显英宣荣喜舒斌宋建军王冠宇
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基于GeSiC选择外延的直接带隙改性Ge材料及其制备方法
本发明涉及一种基于GeSiC选择外延的直接带隙改性Ge材料及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底；生长第一Ge层；生长第二Ge层；利用刻蚀工艺对第二Ge层进行刻蚀形成位于中间位置的多个Ge台阶；在第二Ge层表面淀积S...
曹世杰宋建军苗渊浩宣荣喜胡辉勇张鹤鸣
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一种三多晶混合晶面应变BiCMOS集成器件及制备方法
本发明公开了一种三多晶混合晶面应变BiCMOS集成器件及制备方法，包括：在制备双晶面的SOI衬底与深槽隔离之后，在双极器件区域刻蚀深槽，在双极器件有源区连续生长制备SiGe HBT器件的集电区、基区和发射区，并形成多晶S...
张鹤鸣宋建军李妤晨胡辉勇周春宇宣荣喜戴显英郝跃
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一种基于SOI SiGe HBT的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法
本发明公开了一种基于SOI SiGe HBT的应变Si BiCMOS集成器件及电路制备方法，在衬底上生长N型Si外延，制备深槽隔离，形成集电极接触区，干法刻蚀形成氮化物侧墙，湿法刻蚀出基区窗口，选择性生长SiGe基区，光...
张鹤鸣王海栋胡辉勇宋建军宣荣喜舒斌戴显英郝跃
一种三应变三多晶平面BiCMOS集成器件及制备方法
本发明公开了一种三应变、三多晶平面BiCMOS集成器件及制备方法，在衬底片上制备埋层，生长N型Si外延，制备深槽隔离，制备集电极接触区，再制备基区和发射区，然后形成SiGe HBT器件；刻蚀出NMOS和PMOS器件有源区...
胡辉勇宋建军宣荣喜舒斌张鹤鸣李妤晨吕懿郝跃
一种基于SOI衬底的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法
本发明公开了一种基于SOI衬底的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法，在SOI衬底片上生长N型Si外延，制备深槽隔离，在双极器件区域制造常规的Si双极晶体管；分别光刻NMOS和PMOS器件有源区沟槽，在NMOS和PM...
胡辉勇宣荣喜张鹤鸣宋建军王斌舒斌戴显英郝跃
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一种混合晶面双多晶BiCMOS集成器件及制备方法
本发明公开了一种混合晶面双多晶BiCMOS集成器件及制备方法，包括：在制备双晶面的SOI衬底与深槽隔离之后，在双极器件区域刻蚀深槽，在该槽中连续生长制备器件的集电区、基区和发射区，多晶硅基极和发射极，形成SiGe HBT...
张鹤鸣吕懿周春宇宣荣喜胡辉勇舒斌宋建军郝跃
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Ge/Si虚衬底材料及其制备方法
本发明涉及一种Ge/Si虚衬底材料及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底；在第一温度下，Ge衬底表面生长第一Ge籽晶层；在第二温度下，在第一Ge籽晶层表面生长第二Ge主体层；加热整个衬底，并利用激光工艺对整个衬底进行...
魏青宋建军蔡丽莹胡辉勇宣荣喜舒斌张鹤鸣
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