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姜腾

作品数：40 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 37篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 24篇衬底
  • 18篇成核
  • 13篇非极性
  • 12篇砂纸
  • 12篇ALN薄膜
  • 11篇GAN
  • 11篇LED材料
  • 10篇图形衬底
  • 10篇纳米
  • 10篇纳米线
  • 8篇有源层
  • 8篇条纹
  • 7篇SUB
  • 6篇蓝宝
  • 6篇蓝宝石
  • 6篇蓝宝石衬底
  • 6篇技术工艺
  • 6篇镓
  • 5篇光效
  • 5篇光效率

机构

  • 40篇西安电子科技...

作者

  • 40篇姜腾
  • 38篇张进成
  • 38篇郝跃
  • 35篇许晟瑞
  • 21篇李培咸
  • 18篇林志宇
  • 12篇赵颖
  • 11篇马晓华
  • 8篇张春福
  • 8篇樊永祥
  • 8篇牛牧童
  • 5篇张金风
  • 5篇陆小力
  • 4篇杨林安
  • 4篇范晓萌
  • 3篇王冲
  • 3篇孟凡娜
  • 3篇党李莎
  • 3篇张琳霞
  • 2篇艾姗

传媒

  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 6篇2019
  • 4篇2018
  • 9篇2017
  • 3篇2016
  • 8篇2015
  • 6篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
共 40 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于m面GaN上的极性GaN纳米线材料及其制作方法
本发明公开了一种基于m面GaN上的极性GaN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性GaN纳米线生长中工艺复杂、生长温度高、纳米线长度短的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1‑20nm金属Ti；(2)将...
许晟瑞姜腾郝跃张进成张春福林志宇陆小力倪洋
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基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法
本发明公开了一种基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件电流密度低及可靠性低的问题。该器件结构为：衬底(1)上依次设有过渡层(2)和GaN主缓冲层(3)，GaN主缓冲层(3)的中间...
张进成张琳霞郝跃马晓华王冲霍晶艾姗党李莎孟凡娜姜腾赵胜雷
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基于r面蓝宝石衬底上黄光LED材料及其制作方法
本发明公开了一种基于r面蓝宝石衬底上黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)将r面蓝宝石衬底置于MOCVD反应室中进行热处理；2)在热处理后的衬底上生长厚度为10-200nm的低温成核层；3)在成核层之上生长厚度为...
许晟瑞郝跃任泽阳李培咸张进成姜腾蒋仁渊马晓华
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基于m面GaN上的极性InGaN纳米线材料及其制作方法
本发明公开了一种基于m面GaN上的极性InGaN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性InGaN纳米线生长效率低，方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层2-15nm金属Ti；(2)将有金属T...
姜腾许晟瑞郝跃张进成张春福林志宇雷娇娇陆小力
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基于c面SiC图形衬底的极性c面AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种基于c面SiC图形衬底的极性c面AlN薄膜，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：100‑500um厚的c面SiC衬底层、10‑150nm厚的GaN成核层、1000‑6000...
周小伟赵颖杜金娟许晟瑞张进成樊永祥姜腾郝跃
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基于m面GaN上的极性InN纳米线材料及其制作方法
本发明公开了一种基于m面GaN上的极性InN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性InN纳米线生长中工艺成本高、效率低、方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1‑15nm金属Ti；(2)将有...
许晟瑞姜腾郝跃杨林安张进成林志宇樊永祥张春福
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基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>图形衬底的非极性a面AlN薄膜及其制备方法
本发明公开了一种基于r面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的非极性a面AlN薄膜，主要解决现有工艺流程复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500um厚的r面Al<Sub>2</...
许晟瑞赵颖范晓萌李培咸牛牧童张进成林志宇姜腾郝跃
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基于m面GaN上的极性AlN纳米线材料及其制作方法
本发明公开了一种基于m面GaN上的极性AlN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性AlN纳米线生长中工艺复杂、生长效率低、方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1-20nm金属Ti；(2)将...
姜腾许晟瑞郝跃张进成张金风林志宇雷楠陆小力
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非Si掺杂无InGaN黄光LED材料及其制作方法
本发明公开了一种非Si掺杂无InGaN光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)将r面蓝宝石衬底置于MOCVD反应室中进行热处理；2)在热处理后的衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层；3)在成核层之上生长厚度为...
许晟瑞郝跃任泽阳李培咸张进成姜腾蒋仁渊马晓华
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非极性a面GaN堆垛层错抑制研究
常规的GaN是在极性面c面蓝宝石衬底上生长的,GaN基高电子迁移率晶体管的出色性能主要因为A1GaN/GaN异质结界面存在着高密度和高迁移率的2DEG,这层2DEG是由于异质结中较大的导带不连续性以及较强的极化效应产生的...
许晟瑞刘子扬姜腾林志宇周昊张进成郝跃
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