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唐元洪

作品数:95 被引量:256H指数:8
供职机构:湖南大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信理学化学工程更多>>

文献类型

  • 73篇期刊文章
  • 14篇专利
  • 7篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 35篇一般工业技术
  • 29篇电子电信
  • 16篇化学工程
  • 16篇理学
  • 5篇电气工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇文化科学

主题

  • 68篇纳米
  • 26篇纳米线
  • 23篇纳米管
  • 21篇硅纳米线
  • 11篇水热
  • 11篇水热法
  • 11篇热法
  • 11篇硅纳米管
  • 10篇催化
  • 9篇纳米碳
  • 9篇掺杂
  • 9篇催化剂
  • 7篇水热法制备
  • 7篇碳纳米管
  • 7篇碳纤维
  • 7篇纳米碳纤维
  • 6篇气相沉积
  • 6篇自蔓延
  • 6篇纳米材料
  • 6篇化学气相

机构

  • 91篇湖南大学
  • 15篇中南大学
  • 2篇湖南工业大学
  • 2篇海南大学
  • 1篇安徽工业大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇香港城市大学
  • 1篇中国科学院合...

作者

  • 95篇唐元洪
  • 34篇裴立宅
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  • 27篇郭池
  • 23篇林良武
  • 20篇陈扬文
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  • 10篇彭坤
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  • 4篇杨枣
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传媒

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  • 7篇材料导报
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  • 2篇稀有金属
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  • 1篇现代化工
  • 1篇传感器技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇物理
  • 1篇合成纤维
  • 1篇机械工程材料

年份

  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 4篇2010
  • 7篇2009
  • 10篇2008
  • 10篇2007
  • 17篇2006
  • 18篇2005
  • 18篇2004
  • 3篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1990
95 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
化学气相沉积合成无金属催化剂自组生长碳纳米管的方法
本发明公开了一种化学气相沉积合成无金属催化剂自组生长碳纳米管的方法,其特征在于:在载气的保护下,先将卧式真空管式高温炉升温到940℃~980℃并保温,再通入碳源气体和载气的混合气,碳源气体的分解产物在该高温炉的低温区衬底...
唐元洪李晓川林良武徐海峰黄伯云
文献传递
自蔓延高温合成技术法合成La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3过程的热力学分析被引量:1
2007年
通过热力学计算研究自蔓延高温合成技术合成La0.7Sr0.3MnO3反应机制。结果表明:对于Mn,La2O3,SrCO3,NaClO4组成的自蔓延高温合成La0.7Sr0.3MnO3反应体系,理论上Mn粉优先与La2O3反应生成LaMnO3,低温下Mn粉优先与O2反应生成少量MnOx,大部分剩余的Mn粉高温(>1417 K)下优先与O2反应生成SrMnO3;同时,少量低温(<1417 K)时形成的MnOx与SrCO3反应生成SrMnO3。高温下,SrMnO3与LaMnO3反应生成La0.7Sr0.3MnO3,这是SHS法合成La0.7Sr0.3MnO3的主要途径。另外,当温度大于1235 K时,少量La2O3与SrCO3反应生成La2SrOx,La2SrOx再与LaMnO3反应生成La0.7Sr0.3MnO3。
祝宝军陶颖贡涛唐元洪杨凡
关键词:SOFCSHS热力学计算
硅纳米线纳米电子器件及其制备技术被引量:6
2004年
硅纳米线由于特殊的光学及电学性能如量子限制效应及库仑阻塞效应等,在纳米电子器件的应用方面具有潜在的发展前景。介绍了采用电子束蚀刻技术(EB)、反应性离子蚀刻技术(RIE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等制备技术及场效应晶体管、单电子探测器及存储器、双方向电子泵及双重门电路等硅纳米线纳米电子器件的最新进展情况,并对其发展前景作了展望。
裴立宅唐元洪陈扬文张勇郭池
关键词:电子技术硅纳米线纳米电子器件
氨基酸辅助制备二氧化硅纳米球及其应用被引量:1
2012年
总结了氨基酸辅助法制备二氧化硅纳米球以及通过种子再生长过程进行尺寸控制的制备方法,对其形成机理进行了探究,介绍了这种二氧化硅纳米球在生物医药、阵列模板、功能薄膜和高分子接枝杂化合成方面的应用,并展望了这种单分散性二氧化硅的应用前景。
苏东坡唐元洪林良武杨雷
关键词:氨基酸
硅纳米线的掺杂工艺与检测
2006年
掺杂硅纳米线有可能成为一种重要的硅纳米电子器件材料。因而,硅纳米线的掺杂工艺与检测很重要。半导体的掺杂工艺主要为扩散法,而硅纳米半导体线的掺杂检测方法主要包括电流-电压法、拉曼光谱、光致发光(PL)光谱、X-射线光电子能谱(XPS)及近边X-射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)等。该文介绍了可引入到硅纳米线研究的现有半导体的掺杂工艺及检测方法,并就硅纳米线的掺杂工艺及检测的最新进展做作了详细的讨论。
郭池唐元洪裴立宅张勇
关键词:硅纳米线半导体掺杂
SHS法合成La_(1-x)Sr_xMnO_3的烧结性能被引量:1
2006年
采用SHS法制备了SOFC阴极材料La1-xSrxMnO3(LSM);研究了不同温度下烧结LSM强度、相对密度与掺Sr量的关系,烧结试样的孔隙率以及膨胀系数随温度的变化关系。结果表明:随着Sr含量的增加,合成LSM粉末的粒度增大,烧结试样的相对密度略有降低;较高的烧结温度有利于降低试样的孔隙率;烧结LSM的热膨胀系数与YSZ匹配较好。
贡涛祝宝军唐元洪陶颖陶有堃王谦
关键词:SOFC阴极材料LA1-XSRXMNO3烧结性能
自组生长硅纳米管的合成及其稳定性
2005年
本文介绍了自组生长硅纳米管的制备,并采用5wt%的HF酸对其稳定性进行了研究。 HF酸可去除自组生长硅纳米管的氧化物外层,只剩下晶体硅纳米管。这说明制备的硅纳米管是一种稳定结构,因而对其应用研究开发成为可能。研究表明,硅纳米管的稳定性与其形成生长过程密切相关。自组生长硅纳米管在纳米器件及场发射显示屏等方面具有广泛的应用前景。
唐元洪裴立宅陈扬文郭池
关键词:水热法稳定性
一维硅氧线的水热法制备及光致发光被引量:2
2007年
以SiO粉末为原料,采用水热法成功地制备出一维纳米硅氧线,并通过扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察该一维硅氧线的形貌,可知其直径为100~200nm,长度可以达到几十微米.X射线能谱仪(EDS)定量分析了该一维材料的成分,表明该纳米线由硅和氧两种元素组成.荧光光谱法测试了硅氧线的发光光谱,表明在426和446nm处有较强的发光.通过不同条件下的对比实验得到制备该纳米线的最佳条件,同时根据实验结果提出了该方法制备硅氧线的生长机理.
李小祥唐元洪林良武李甲林
关键词:水热法
一种批量制备纳米碳纤维的立式反应装置
一种批量制备纳米碳纤维的立式反应装置,其立式炉体中的反应室外周有电加热器并包覆保温层而底部装有水冷铜棒,其下部侧面有通气孔;水冷铜棒下部有风扇;主进气管的出气口同固体催化剂送料器输料管连通并接至反应室底部;液态催化剂送料...
唐元洪张勇
文献传递
一维硅纳米材料形貌的研究被引量:1
2005年
一维硅纳米材料是重要的纳米电子器件材料,由于其形貌不同,导致的电学等特性也不相同,因此一维硅纳米材料的形貌是重要的研究内容之一。一维硅纳米结构包括纳米线、纳米带及纳米管等,同种一维硅纳米材料由于制备方法不同其形貌也不相同。评述了一维硅纳米材料的形貌及其制备方法。
郭池唐元洪裴立宅张勇
关键词:纳米线纳米带纳米管形貌
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