您的位置: 专家智库 > >

周心明

作品数:21 被引量:15H指数:3
供职机构:四川大学材料科学与工程学院材料科学系更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国工程物理研究院基金中国工程物理研究院院外基金更多>>
相关领域:电气工程理学电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 8篇电气工程
  • 6篇理学
  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇非晶硅
  • 6篇电池
  • 6篇太阳电池
  • 4篇太阳能
  • 4篇太阳能电池
  • 4篇A-SI:H
  • 3篇多层膜
  • 3篇微结构
  • 3篇绝缘
  • 3篇光照
  • 3篇半导体
  • 2篇电流
  • 2篇氧化铝
  • 2篇液化
  • 2篇直流
  • 2篇直流电
  • 2篇直流电流
  • 2篇输运
  • 2篇偏压
  • 2篇碲化镉

机构

  • 21篇四川大学
  • 3篇中国工程物理...
  • 1篇南京大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 21篇周心明
  • 17篇郑家贵
  • 16篇冯良桓
  • 11篇蔡亚平
  • 9篇蔡伟
  • 3篇张静全
  • 3篇蒋立新
  • 3篇邵烨
  • 3篇武莉莉
  • 3篇徐晓菲
  • 3篇罗四维
  • 2篇杜开瑛
  • 2篇曾家玉
  • 2篇蔡亚萍
  • 2篇黎兵
  • 2篇唐健
  • 1篇朱居木
  • 1篇何福庆
  • 1篇彭秀峰
  • 1篇彭启才

传媒

  • 7篇四川大学学报...
  • 2篇Journa...
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇应用科学学报
  • 1篇材料工程
  • 1篇半导体光电
  • 1篇材料科学进展
  • 1篇首届中国功能...

年份

  • 4篇2001
  • 3篇2000
  • 4篇1993
  • 4篇1992
  • 2篇1991
  • 4篇1989
21 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
ZnTe:Cu多晶薄膜的结构与反常电导温度行为研究
室温下共蒸发沉积的 ZnTe: Cu多晶薄膜存在反常电导温度行为。对刚沉积 ZnTe: Cu多晶薄膜的暗电导温度行为,及不同温度退火处理后样品的结构进行了研究。用热场发射晶界势垒模型解释了实验结果。刚沉积的 ZnTe: ...
张静全武莉莉邵烨周心明冯良桓蔡伟郑家贵J.Tang蔡亚平黎兵
关键词:相变电输运
文献传递
Si:H薄膜的微结构及输运性质被引量:3
1989年
用扫描电镜观察Si:H薄膜的剖面,发现用平板电极沉积的Si:H薄膜呈柱状结构,而用环形电极沉积的膜具有层状结构。喇曼谱和X射线谱表明,这两种结构对应于微晶相的存在。测定薄膜的暗电导与温度间的关系,发现薄膜的电导激话能为各向异性。联系耦合方式讨论了薄膜的生长机制。
周心明郑家贵曾家玉黄天荃邱淑蓁蔡亚平徐晓菲冯良桓
关键词:微结构输运性质
非晶硅太阳电池衰降的机制及特征分析
1992年
对不同类型的非晶硅电池进行了老化试验,并对性能衰降数据进行了统计、分析、对比和分类,从而归纳出非晶硅太阳电池衰降的基本过程为光诱导效应引起的衰降,非晶硅膜局部薄弱点引起的衰降,环境引起的衰降和扩散引起的衰降。对这些过程的特征进行了分析和讨论.
郑家贵冯良桓周心明蔡伟蔡亚平罗昭和
关键词:太阳能电池非晶硅
Cr_2O_3涂层对Al_2O_3绝缘瓷二次电子发射特性的影响被引量:4
2001年
用Cr2O3涂复a-Al2O3绝缘瓷表面,并经热退火处理.观测了它们的二次电子发射系数、SEM、XRD、XPS和EELS.发现样品在退火后,涂层元素扩散进了Al2O3陶瓷基底,生成了新相;根据XPS和EELS的分析结果,表面层能隙减小,能隙中的缺陷态、杂质态及表面态增加,提供了更多可能的复合中心和陷阱中心,有利于非平衡载流子的散射跃迁,从而大大耗散能量,减少二次电子发射.
郑家贵蒋立新蔡亚平罗四维周心明
α-Si:H太阳电池的光照及热处理研究
1993年
研究了各种光照和热处理对p-i-n型α-Si:H太阳电池性能和稳定性的影响,发现电池性能的衰降主要表现为填充因子的减小,在80—120℃间进行热处理能改善电池的稳定性,并对实验结果进行了分析讨论.
郑家贵冯良桓周心明邱上源蔡伟罗昭和蔡亚平
关键词:光照稳定性太阳能电池
高压绝缘α-Al_2O_3涂层的XPS和EELS表面分析被引量:1
2001年
用不同配方的Mn,Cr,Ti混合物涂复α-Al2O3绝缘瓷表面,在适当的条件下热处理,利用XPS和EELS测试分析了表面层的电子能态.发现在退火后各涂层成分的含量变化明显,由于配方元素不同程度地扩散、渗透进95Al2O3陶瓷基底内,通过反应生成了新相;根据价带谱和EELS分析,其表面层的价带顶移向真空能级,使能隙减小;能隙中的缺陷态、杂质态及表面态增加,有利于内次级电子的非弹性跃迁和二次电子发射系数的减小.
郑家贵蒋立新蔡亚平罗四维周心明
关键词:XPSEELS表面层电子能态
微波激励氙VUV光源直接光CVD设备及其应用
1993年
新发展的光CVD(化学汽相淀积)材料,由于具有无辐射损伤,能进行低温、大面积生长,衬底材料选择自由度大,可淀积生长单层的和多层的各种绝缘膜、半导体膜、金属膜,以及能形成非晶、微晶、混晶等各种晶相材料等一系列优势,颇为引人注目,在材料科学领域中占有重要的位置。引用光的能量实现膜材料的光CVD生长,其基本条件是光源发射光子的能量能被反应气体有效吸收,并使其充分分解。分解后的产物通过与衬底表面的相互作用。
杜开瑛周心明
关键词:化学汽相淀积
μc-Si∶H/a-Si∶H多层膜的周期性结构和量子尺寸效应被引量:1
2001年
利用射频辉光放电法 ,通过周期性交替切换两种耦合电极的方式 ,制备了 μc- Si∶ H/a- Si∶ H多层膜 .低角度X射线衍射 (L AXRD)测试表明 ,这种多层膜具有良好的周期性结构 .观察了上述多层膜的光学性质及电导率与温度的关系 ,发现其吸收边随着 a- Si∶ H层的减薄而蓝移 ,低温下的电导激活能 Ea 随着 a- Si∶ H层的减薄而减小 .
徐明王洪涛冯良桓周心明蔡亚平冯技文徐宁麦振洪
关键词:量子尺寸效应半导体
非晶硅光位敏探测器的开发
1993年
以横向光伏效应为工作模式,采用全非晶硅的Pin结构,研制了一维可见光波段的光位敏探测器(PSD_s).测试结果表明,该探测器的光位敏度可达9.7mV/mm,光讯号—位移的线性探测区占有效探测总面积的65%,而最大有效光敏面积约为2cm^2.
杜开瑛杨熹伍红跃冯良桓周心明邱上源
关键词:非晶硅探测器
有碲化锌复合背接触层的碲化镉太阳电池研究
碲化镉太阳电池的流行结构为n-CdS/p-CdTe。采用ZnTe:Cu作背接触层,再在p-CdTe和ZnTe:Cu之间引入不掺杂的ZnTe作过渡层,以改进这种电池的结构特性和载流子收集。从实验上对三种结构的 CdTe太阳...
冯良桓蔡伟郑家贵蔡亚平黎兵张静全武莉莉朱居木邵烨周心明
关键词:碲化镉太阳电池
文献传递
共3页<123>
聚类工具0