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单亚东

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 11篇半导体
  • 7篇功率半导体
  • 7篇功率半导体器...
  • 7篇半导体器件
  • 5篇IGBT器件
  • 4篇晶体管
  • 4篇功率器件
  • 4篇半导体功率器...
  • 3篇绝缘栅
  • 2篇等位
  • 2篇电场
  • 2篇电导
  • 2篇电流
  • 2篇电路
  • 2篇电子技术
  • 2篇氧化层
  • 2篇有源功率因数
  • 2篇栅结构
  • 2篇正温度系数
  • 2篇双极型

机构

  • 18篇电子科技大学

作者

  • 18篇单亚东
  • 17篇李泽宏
  • 14篇张金平
  • 13篇任敏
  • 8篇张波
  • 8篇杨文韬
  • 5篇刘竞秀
  • 5篇宋文龙
  • 4篇吴明进
  • 3篇宋洵奕
  • 2篇曾智
  • 2篇刘广涛
  • 1篇肖璇
  • 1篇吴宽
  • 1篇夏小军
  • 1篇张超
  • 1篇张蒙
  • 1篇张鹏
  • 1篇陈钱
  • 1篇李长安

传媒

  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2014
  • 7篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种绝缘栅双极型晶体管
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种绝缘栅双极型晶体管。本发明所述的绝缘栅双极型晶体管，采用一个双极型晶体管BJT及一个第二种导电类型的金属-绝缘体-半导体场效应晶体管MISFET组合形成IGBT，在第二种导电类型的...
李泽宏邹有彪顾鸿鸣宋文龙单亚东刘建吴明进
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一种具有P型埋岛结构的沟槽型绝缘栅双极型晶体管
一种具有P型埋岛结构的沟槽型绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统沟槽型绝缘栅双极型晶体管结构的基础上，在N<Sup>-</Sup>漂移区内引入P型埋岛结构。当器件反向阻断时，P型埋岛结构及其附近的...
李泽宏单亚东张金平张波任敏
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一种有源功率因数校正控制器
本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种有源功率因数校正控制器。本发明所述的一种有源功率因数校正控制器，包括电流采样模块、功率器件、误差放大器、补偿网络、乘除法调制电路、迟滞比较模块、逻辑模块和驱动模块，通过电流采样模...
李泽宏曾智刘广涛吴明进单亚东任敏张金平
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一种功率半导体器件及其制造方法
本发明涉及电子技术，具体的说是涉及一种电导调制型功率半导体器件及其制造方法。本发明的功率半导体器件，在器件终端n型缓冲层与p型集电区之间引入了一层氧化层，所述氧化层将终端区域n型缓冲层与p型集电区完全隔离，可以显著降低终...
张金平顾鸿鸣单亚东邹有彪刘竞秀李泽宏任敏张波
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一种具有正温度系数发射极镇流电阻的IGBT器件
一种具有正温度系数发射极镇流电阻（EBR）的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。常规EBR结构的IGBT器件中，发射极镇流电阻由距离发射极接触区较远的条状N<Sup>+</Sup>发射区条构成，其电阻值通常呈现负温...
李泽宏单亚东宋文龙顾鸿鸣邹有彪宋洵奕
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一种RC-IGBT器件及其制作方法
一种RC-IGBT器件及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统RC-IGBT器件结构的基础上，在N+集电极短路区11与N型电场阻止层8之间引入P型阱区12，并采用隔离介质13使得N型电场阻止层8与P型阱区1...
张金平杨文韬单亚东顾鸿鸣刘竞秀李泽宏任敏张波
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一种功率器件的制作方法
一种功率器件的制作方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明利用LOCOS（局部氧化）工艺来生长场氧化层来制作功率器件（尤其是终端结构），利用硅与氮化硅同氧气的反应速度的差异来局部生长场氧化层，在场氧边缘处会形成一个鸟嘴状...
李泽宏杨文韬单亚东顾鸿鸣张金平任敏
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一种双向IGBT器件及其制作方法
一种双向IGBT器件及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。所述双向IGBT器件元胞结构包括两个对称设置于衬底漂移区正反两面的MOS结构，MOS结构的P型体区与衬底漂移区之间具有N型埋层，MOS结构的栅结构底部与衬底漂...
张金平杨文韬单亚东顾鸿鸣刘竞秀李泽宏任敏张波
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一种基于LED恒流驱动应用的三极管设计
本文设计了一种应用于LED恒流驱动电路的三极管.此恒流驱动电路集成在一块硅片上形成驱动模块,通过改变外接并联电阻的方式来调节恒流电路的输出电流值.三极管是此模块的核心,它采用纵向PNP结构,在放大区工作时的恒流效果很好....
顾鸿鸣张金平单亚东李泽宏邹有彪宋文龙张鹏
关键词：三极管恒流驱动电路发光二极管
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一种功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法
一种功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面制作工艺之后，先在功率器件正面金属图形表面涂覆一层有机硅树脂，有机硅树脂经预热固化之后，再进行功率器件背面制作工艺，待...
李泽宏张超杨文韬单亚东肖璇吴宽
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共2页<12>
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