刘明大
- 作品数：43 被引量：75H指数：4
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学自动化与计算机技术更多>>
- 有机薄膜场效应晶体管的研制
- 在这个研究中, 我们采用并五苯作有源层、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）做栅绝缘层，利用全蒸镀法制备了有机薄膜场效应晶体管。源极和漏极采用氧化铟锡，半导体层和绝缘层分别由并五苯和PMMA充当，栅极采用铝电极。利用光刻制备沟道...
- 张宏梅石家纬王伟梁昌全宝富刘明大郭树旭
- 关键词：有机薄膜场效应晶体管
- 文献传递
- 并五苯场效应发光管机理分析与场效应管制作被引量：3
- 2003年
- 采用并五苯材料,通过物理气相沉积,生长出无依托的晶体薄膜,厚度在微米量级,长度是毫米量级,长度和厚度的比大约为1000。为了使晶片有个依托,以聚酰亚胺作为粘合剂,把并五苯晶体薄膜平铺粘在玻璃衬底上。在显微镜下观测,有机薄膜平整、无裂痕,符合制备器件的要求。然后,制备出有机场效应管。并对有机场效应管I V特性和发光机理进行了分析探讨。
- 郭树旭刘建军王伟张素梅石家纬刘明大
- 关键词：发光机理
- 大功率量子阱远结半导体激光器被引量：1
- 2000年
- 通过将下波导层掺杂为p型 ,使半导体激光器的有源区与pn结分离 ,制作了大功率远结半导体激光器。该器件在老化期间表现出输出功率变大的趋势。理论分析表明 ,远结半导体激光器特殊的外延结构 ,决定了器件的阈值比正常器件的高 ,但是阈值受温度的影响较小 ,并且器件的退化机制转变为pn结的退化 ,这对于制作高可靠性、长寿命、低温度敏感性的半导体激光器具有重要意义。
- 齐丽云石家纬李献杰李红岩刘雨微张素梅刘明大高鼎三
- 关键词：半导体激光器阈值电流
- 聚合物二极管结构激光器被引量：2
- 1997年
- 本文对最近几年国内外光学微腔结构发光二极管。
- 史素姣王国光刘明大
- 关键词：光学微腔配合物激光器
- 有机电发光彩色显示屏的新进展
- 1997年
- 评述了有机电发光器件及有机电发光彩色显示屏的最新研究进展。经过多年的研究，有机电发光器件的长寿命这个难题，今天已经达到与它的韧性和亮度相匹配。目前大部分公司的动机是改进封装方案。
- 刘明大史素姣刘宇光
- 关键词：有机发光器件
- 1.3μm超辐射发光二极管
- 1990年
- 本文报告了电子束蒸镀 Si_3N_4减反射膜的结果,并制成了1.3μm 超辐射发光二极管。室温连续输出功率1.2mW,光谱半功率宽度9nm。
- 刘明大石家纬姜为
- 关键词：发光二极管超辐射光纤陀螺光源
- 有机薄膜FET的研究进展被引量：3
- 2003年
- 介绍了有机薄膜FET的结构、工作原理,综述了目前的研究进展,分析了存在的问题,并对有机薄膜FET的应用前景进行了展望。
- 张素梅石家纬郭树旭刘明大王伟
- 关键词：有机半导体FET
- SiO高效减反射膜的蒸镀和监控被引量：4
- 1993年
- 报道了使用 IL400膜厚速率控制仪监控 SiO 减反射膜的蒸镀,通过对1.3μm 激光器前端面蒸镀 SiO 减反射膜而制成了超辐射发光二极管。
- 刘明大石家纬金恩顺
- 关键词：发光二极管高增透膜
- 1.3μm波导吸收结构超辐射发光二极管
- 1992年
- 本文报道了在具有掩埋波导吸收区的1.3μm 激光器的输出端面上,真空淀积 SiO-AR 涂层后,有效地消除了受激振荡,实现了在1.3μm 下的超辐射发光。
- 刘明大石家纬马东阁
- 关键词：超辐射发光二极管减反射膜
- 有机集成像素
- 在玻璃衬底上,采用全蒸镀方式,制备了有机薄膜场效应晶体管 (OTFT)驱动有机发光二极管(OLED)的集成像素。我们设计的顶栅结构全有机薄膜场效应晶体管,有利于将OTFT和OLED集成在同一个透明的刚性或柔性透明的衬底上...
- 王伟石家纬郭树旭全宝富刘明大张宏梅马东阁
- 关键词：有机薄膜场效应晶体管有机发光二极管
- 文献传递
