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高电导率P型纳米硅薄膜的制备及其在薄膜太阳电池中的应用: 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,以高氢稀释的硅烷(SiH4)为反应气体,硼烷(B2H6)为掺杂气体,氢气(H2)为稀释气体,在玻璃衬底上制备出掺硼的氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜,分别研究了衬...; 杨东杰张维佳林军Jean Jacques HAVUGIMANA刘嘉孙月峰马强; 关键词：RF-PECVD 掺硼太阳电池; 文献传递

高电导率P型纳米硅薄膜的制备及其在薄膜太阳电池中的应用: 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,以高氢稀释的硅烷(SiH4)为反应气体,硼烷(B2H6)为掺杂气体,氢气(H2)为稀释气体,在玻璃衬底上制备出掺硼的氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜,分别研究了衬...; 杨东杰张维佳林军Jean Jacques HAVUGIMANA刘嘉孙月峰马强; 关键词：化学气相沉积法光电性能太阳电池; 文献传递

铝掺杂对铜铟铝硒粉末微结构及光吸收影响的研究被引量：1: 2017年; 铜铟铝硒(Cu(In_(1–x)Al_x)Se_2,CIAS)因其成本比铜铟镓硒低而成为目前备受关注的一种太阳电池材料。本文采用溶剂热法制备出含有不同铝掺入量的CIAS四元化合物粉末。利用XRD、SEM、XPS和紫外-可见光光吸收谱系统研究铝掺入对铜铟铝硒化合物的微观结构及光吸收的影响。研究表明铝掺杂对铜铟铝硒的微观结构有着显著影响,适当的铝掺入有利于铜铟铝硒晶体生长,当铝掺入比例x为0.4时,晶体在(112)晶面择优生长最为明显,并且随铝掺入量的增加可导致其禁带宽度增加,这有利于太阳电池优化设计。; 张静张维佳马登浩马强蒋昭毅; 关键词：光吸收

高品质AZO制备及其在硅基薄膜太阳电池中的应用: 以自制的高电导、高致密度的掺铝氧化锌陶瓷靶为靶材,采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备了ZnO:Al(AZO)薄膜.研究了衬底温度对AZO薄膜晶体结构、电学和光学性能的影响,并成功将其应用于纳米硅薄膜太阳电池的透明导电...; 林军张维佳杨东杰Jean Jacques HAVUGIM A孙月峰刘嘉马强; 关键词：纳米硅薄膜衬底温度光电性能; 文献传递

铜铟镓硒薄膜的真空制备工艺及靶材研究现状被引量：14: 2013年; 阐述了两种真空法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜的工艺原理和工艺过程,比较和分析了两工艺的优缺点;介绍了溅射靶材的熔融铸造法和粉末冶金法,列举了靶材制备中所需的温度、压强、保温时间等参数。最后分析认为,用均匀细小的黄铜矿相CIGS粉末压制烧结成四元靶材,经溅射成膜后退火处理,可制备出优异的CIGS薄膜,具有更广阔的应用前景。; 张冷张维佳宋登元张辉张雷马强刘嘉吴然嵩马晓波; 关键词：CIGS 真空

高品质AZO制备及其在硅基薄膜太阳电池中的应用: 以自制的高电导、高致密度的掺铝氧化锌陶瓷靶为靶材,采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备了ZnO:Al(AZO)薄膜。研究了衬底温度对AZO薄膜晶体结构、电学和光学性能的影响,并成功将其应用于纳米硅薄膜太阳电池的透明导电...; 林军张维佳杨东杰Jean Jacques HAVUGIMANA孙月峰刘嘉马强; 关键词：直流磁控溅射衬底温度纳米硅薄膜太阳电池; 文献传递

掺硼和掺磷的氢化纳米硅薄膜及其应用于类叠层太阳电池的研究: 2013年; 采用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了掺硼和掺磷的氢化纳米硅薄膜(nc-Si∶H),并将其应用于纳米硅薄膜类叠层太阳电池中。分析了薄膜样品的光学性能及表面形貌,结果表明:P型掺硼纳米硅薄膜的光学带隙为2.189 eV,电导率为8.01 S/cm,霍尔迁移率为0.521 cm2/(V.S),载流子浓度为9.61×1019/cm3;N型掺磷纳米硅薄膜的光学带隙为1.994 eV,电导率为1.93 S/cm,霍尔迁移率为1.694 cm2/(V.S),载流子浓度为7.113×1018/cm3;两者的晶粒尺寸都在3～5 nm之间,晶态比都在35%～45%之间,并且颗粒沉积紧密,大小比较均匀。制备了大小为20 mm×20 mm,结构为Al/AZO/p-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/n-nc-Si∶H/p-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/n-c-Si/Al背电极的纳米硅薄膜类叠层太阳电池,通过I-V曲线测试,其VOC达到544.3 mV,ISC达到85.6 mA,填充因子为65.7%。; 孙月峰张维佳宋登元刘嘉张雷马强吴然嵩张冷; 关键词：RF-PECVD 掺硼掺磷纳米硅薄膜

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马强