您的位置: 专家智库 > >

陈志权

作品数:54 被引量:47H指数:4
供职机构:武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家基础科学人才培养基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 28篇会议论文
  • 23篇期刊文章
  • 3篇专利

领域

  • 24篇理学
  • 9篇一般工业技术
  • 8篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇化学工程
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇核科学技术

主题

  • 36篇正电子
  • 19篇正电子湮没
  • 7篇纳米
  • 7篇ZNO
  • 6篇慢正电子束
  • 6篇半导体
  • 5篇电子偶素
  • 5篇正电子寿命
  • 5篇离子注入
  • 5篇磷化铟
  • 4篇正电
  • 4篇INP
  • 3篇谱学
  • 3篇谱学研究
  • 3篇沸石
  • 3篇PS
  • 3篇捕获
  • 3篇掺杂
  • 2篇点缺陷
  • 2篇形变

机构

  • 54篇武汉大学
  • 3篇抚顺石油化工...
  • 3篇华北水利水电...
  • 2篇中国科学院近...
  • 1篇华北水利水电...
  • 1篇咸宁学院
  • 1篇郑州师范学院
  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇中原工学院
  • 1篇武汉理工大学
  • 1篇郑州轻工业大...
  • 1篇日本原子力研...

作者

  • 54篇陈志权
  • 26篇王少阶
  • 8篇吴奕初
  • 7篇马莉
  • 7篇王柱
  • 6篇祁宁
  • 5篇张宏俊
  • 5篇李世清
  • 5篇何春清
  • 5篇王栋
  • 4篇罗锡辉
  • 4篇胡新文
  • 3篇高智勇
  • 3篇叶双莉
  • 2篇戴益群
  • 2篇王丹丹
  • 2篇朱俊
  • 2篇李重阳
  • 2篇邱诚
  • 1篇唐新峰

传媒

  • 7篇物理学报
  • 4篇武汉大学学报...
  • 4篇全国第七届正...
  • 4篇第十四届全国...
  • 3篇核技术
  • 3篇武汉大学学报...
  • 3篇第十三届全国...
  • 2篇Journa...
  • 2篇原子核物理评...
  • 2篇第十一届全国...
  • 2篇第一届中国核...
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇复合材料学报
  • 1篇第一届全国核...
  • 1篇第十届全国正...

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
  • 6篇2010
  • 6篇2009
  • 1篇2008
  • 4篇2007
  • 4篇2006
  • 1篇2000
  • 5篇1999
  • 5篇1998
  • 1篇1997
54 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种用于可拆卸吸顶灯的插接式包装结构
本实用新型提供一种用于可拆卸吸顶灯的插接式包装结构,包括包装内衬结构和外箱,其特征在于:所述包装内衬结构包括方形底板和围绕底板周向设置的第一侧板、第二侧板、第三侧板和第四侧板,四块侧板与底板衔接端均设有尺寸相同的侧立板,...
陈志权高智勇王金颜付下雨叶双莉
文献传递
用慢正电子束研究工业铝合金断裂早期行为
铝和铝合金在工业上用途极为广泛如航空产业、运输产业等,其构件的频繁和长期使用导致材料的疲劳损伤,而疲劳损伤是导致材料断裂的原因。它的发生往往没有明显的征兆,因此经常引起巨大的灾难性事故。材料的疲劳损伤、断裂过程往往伴随着...
祁宁陈志权王波
文献传递
用正电子湮没方法鉴别InP半导体中的缺陷被引量:4
1998年
本文测量了各种InP样品中的正电子寿命谱,用正电子湮没率连续分布测量(CON-TIN分析)结合PATFIT分析正电子寿命谱,肯定了在n型和半绝缘型InP中有In空位VIn和P空位VP,而在p型InP中只观察到In空位VIn.正电子寿命的温度关系表明所观察到的n型和半绝缘型中的VIn和VP以及p型InP中的VIn均为电中性.改进了常规的多普勒展宽谱仪.利用这一谱仪测量了n型及半绝缘型InP的多普勒展宽谱,结合正电子寿命测量结果。
陈志权胡新文王少阶
关键词:磷化铟正电子湮没
用正电子湮没谱研究煅烧对SBA-15热稳定性的影响
2022年
多孔材料由于具有高比表面积、高渗透性、吸附性和可组装性等优异的物理化学性能,被广泛应用于气体吸附、电化学、药物输送、催化剂和催化剂载体等领域。多孔材料的应用性取决于其宏观性质,尤其是孔隙结构的多样性、孔径的可调性、热稳定性等对其大规模实际应用非常重要。利用正电子湮没谱学(Positron Annihilation Spectroscopy,PAS)观察了SBA-15的热稳定性。以正硅酸四乙酯为硅源,P123为结构导向剂,合成了原生有序介孔二氧化硅(SBA-15)和550℃煅烧后的有序介孔二氧化硅(SBA-15)。将上述两种SBA-15在100~1000℃温度下煅烧处理,观察其孔隙结构的热稳定性变化。采用小角度X射线散射(Small Angle X-ray Scattering,SAXS)、扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscopy,SEM)、高分辨透射电子显微镜(Highresolution Transmission Electron Microscope,HRTEM)、N_(2)吸附/脱附(N_(2)adsorption-desorption)和正电子湮没谱学(Positron Annihilation Spectroscopy,PAS)等方法研究了两种SBA-15有序孔隙结构的稳定性。正电子寿命测量结果表明:两种SBA-15均存在4种寿命组分,较长寿命τ_(3)和τ_(4)分别对应于o-Ps在材料中微孔和二维六角的较大孔中的湮灭结果。随着热处理温度的升高,这两种SBA-15中较长寿命τ_(4)逐渐降低,其强度I_(4)也逐渐降低,但煅烧后SBA-15较长寿命及其强度在600℃后下降更为明显。同时,S参数结果与正电子寿命的结果吻合较好,S-W曲线也表明煅烧后SBA-15孔隙类型在100~900℃间几乎未发生变化。结果表明:煅烧后SBA-15表现出较好的热稳定性,同时电子偶素(Ps)是一种非常灵敏的研究孔隙结构的探针。
李重阳王飞跃陈志权
关键词:SBA-15孔隙结构电子偶素热稳定性
多正电子系统的产生及其应用研究
正电子是电子的反粒子,是人类最早发现的反物质。正电子进入物质后与电子发生湮没,或与电子组成最轻的类氢原子-电子偶素(Positronium,简记为Ps)而后湮没。最近在多正
王少阶陈志权何春清吴奕初祁宁
关键词:PS玻色-爱因斯坦凝聚
ZnO纳米晶界面缺陷的正电子谱学研究
高纯ZnO纳米粉经研磨后压成圆片,随后在空气中从100℃到1200℃下进行退火处理。利用X射线衍射研究了ZnO纳米晶的晶体质量和晶粒大小随退火温度的变化,退火使得晶粒尺寸从25nm增长到了165nm,并且当退火温度高于6...
王栋陈志权王丹丹祁宁龚静
文献传递
合成温度对有序介孔二氧化硅孔结构影响的正电子湮没研究
有序介孔结构材料能够在较低的温度如室温下合成。但是,低温下大量终端羟基群极易的存在(不规则堆积),使得孔壁结构不完美的堆积,孔洞结构易塌陷。需要寻找适于较高温度条件下制备的高度有序且结构较稳定的介孔材料。本论文以三嵌段共...
李重阳陈志权
关键词:介孔二氧化硅电子偶素合成温度孔结构
文献传递
冷正电子的产生及脉冲微束的开发
本文介绍了本实验利用等离子体技术获得冷正电子并在此基础上进行脉冲微束的开发现状。利用固态氖作为慢化体,得到高通量(~106e+/s)的慢正电子束,正电子的能量分散
何春清陈志权吴奕初王少阶
关键词:旋转电场聚束
A1Mg合金时效过程中Mg和缺陷相互作用的演变
我们利用正电子湮没谱学研究了AlMg二元合金时效处理过程中的Mg原子运动学过程。对AlMg合金进行550℃高温固溶及淬火处理后,在室温自然时效过程中利用正电子寿命谱进行了原位测量,没有发现显著的自然时效过程。在180℃人...
邹炳陈志权
关键词:时效
文献传递
Mn掺杂闪锌矿半导体ZnO的半金属铁磁性和光学性质被引量:3
2010年
采用密度泛函理论(DFT)和平面波赝势(PWPP)方法,研究了Mn掺杂闪锌矿半导体ZnO的电子结构、磁性质和光学性质.自旋极化的态密度和磁矩显示Mn掺杂闪锌矿ZnO是一个半金属铁磁体,其在自旋电子学材料中有一定的应用.利用Kramers-Kronig色散关系,对Mn掺杂闪锌矿ZnO的介电函数和折射率进行了研究,根据计算的电子结构和光学性质的内在联系,解释了Mn掺杂闪锌矿ZnO的光学性质的微观机理.
陈志远张静陈志权
关键词:半金属铁磁体电子结构光学性质
共6页<123456>
聚类工具0