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邓礼生

作品数：8 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：理学环境科学与工程电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 6篇半导体
  • 2篇砷化合物
  • 2篇化合物
  • 2篇鼓泡
  • 2篇过压
  • 2篇过压保护
  • 2篇含砷
  • 2篇废气
  • 2篇半导体材料
  • 2篇半导体工艺
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇导体
  • 1篇电池
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅薄膜
  • 1篇元素半导体
  • 1篇射线衍射
  • 1篇水幕

机构

  • 8篇中国科学院
  • 1篇北京太阳能研...

作者

  • 8篇邓礼生
  • 7篇梁骏吾
  • 4篇闻瑞梅
  • 3篇刘任重
  • 2篇郑红军
  • 1篇胡雄伟
  • 1篇李仲明
  • 1篇汪光川
  • 1篇彭永清
  • 1篇王玉田
  • 1篇潘广勤
  • 1篇寥显伯
  • 1篇何少琪
  • 1篇肖智博
  • 1篇庄岩
  • 1篇王文静
  • 1篇郑联喜
  • 1篇黄大定
  • 1篇盛殊然
  • 1篇赵玉文

传媒

  • 1篇太阳能学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2000
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 2篇1995
  • 1篇1990
  • 1篇1900
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种半导体气相外延反应管
本实用新型公开了一种在上管壁周边设有水幕围栏的半导体气相外延反应管。在围栏的一侧端有出水口，出水口下方设有集水器。在进行外延反应的同时可在围栏内一端注入高纯水，另一端出水，使上管壁冷却，以此减少壁面沉淀，提高外延层质量。
梁骏吾邓礼生杨辉郑红军
文献传递
粉尘清除器
本实用新型公开了一种适用于半导体材料制备中清除有毒的砷、磷粉末的粉尘清除器,包括粉尘导管、法兰盘、孔板、过滤室、袋状过滤膜、出口导管和离心式抽风机。含有粉尘的气体在离心式抽风机的作用下,通过粉尘导管和孔板进入袋状过滤膜的...
闻瑞梅邓礼生刘任重梁骏吾
文献传递
处理含砷及砷化合物的废气的方法
本发明公开了一种处理半导体工艺中产生的含砷及砷化合物的废气的方法。首先去除废气中的油蒸汽，然后用KIO<Sub>3</Sub>、KI和H<Sub>2</Sub>SO<Sub>4</Sub>混合溶液对废气进行鼓泡、逆向喷淋...
闻瑞梅刘任重邓礼生梁骏吾
文献传递
硅中碳的研究
梁骏吾黄大定邓礼生郑红军汪光川刘凤
阐明了碳在硅中行为，降低碳沾污方法，碳对硅质量的影响，碳与氧的相互作用以及其对硅中沉淀物的影响。解决了制备低含碳量硅单晶的技术问题。内容有：（１）阐明了直拉硅单晶生长时碳沾污的来源是石英坩埚与石墨托间的热化学反应。求得了...
关键词：
关键词：单晶硅元素半导体半导体碳硅
半导体材料与器件生产工艺尾气中砷、磷、硫的治理及检测被引量：4
1995年
本文研究了化合物半导体材料、器件生产工艺过程中排出的有毒物质砷、磷、硫及其化合物的治理方法．还研究了这些有毒物质的低温富集取样及快速、灵敏的分析监测方法，并与其它经典的方法作了对比．
闻瑞梅梁骏吾邓礼生彭永清
关键词：尾气砷磷硫半导体材料
超晶格结构X射线衍射分析及其结构参数的计算
1995年
在本文中，我们在经典的Ｘ光运动学理论的基础上，加入一些改进，不再直接计算超晶格的结构因子Ｆ００Ｌ，而是计算各原子面的散射波函数，获得了卫星峰的模拟峰形和ｐｅｎｄｅｌｌｓｕｎｇ条纹，克服了原来不能解释峰形和ｐｅｎｄｅｌｌｓｕｎｇ现象的缺点．本文还用此方法对ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变超晶格进行了模拟计算，与实验吻合很好，证明了理论的正确性．
郑联喜王玉田庄岩邓礼生肖智博胡雄伟梁骏吾
关键词：超晶格结构参数X射线衍射
RTCVD 工艺制备 poly-Si 薄膜太阳电池的研究被引量：1
1998年
报道了快速热化学气相沉积（ＲＴＣＶＤ）工艺制备多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）薄膜及电池的实验和结果。采用ＳｉＨ２Ｃｌ２作为原料气体，衬底温度为１０３０℃时，薄膜的生长速率为１０ｎｍ／ｓ。发现薄膜的平均晶粒度及载流子迁移率与衬底温度和材料有关。用该薄膜在未抛光重掺杂磷的硅衬底上制备１ｃｍ２的ｐ＋ｎ结样品电池，无减反射涂层，其转换效率为４．５４％（ＡＭ１．５，１００ｍＷ／ｃｍ２，２５℃）。
赵玉文李仲明何少琪王文静寥显伯盛殊然邓礼生潘广勤
关键词：多晶硅薄膜太阳电池薄膜太阳电池
处理含砷及砷化合物的废气的方法
本发明公开了一种处理半导体工艺中产生的含砷及砷化合物的废气的方法。首先去除废气中的油蒸汽，然后用KIO<Sub>3</Sub>、KI和H<Sub>2</Sub>SO<Sub>4</Sub>混合溶液对废气进行鼓泡、逆向喷淋...
闻瑞梅刘任重邓礼生梁骏吾
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