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谭正

作品数:4 被引量:6H指数:1
供职机构:中国科学院长春应用化学研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电气工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇电化学
  • 4篇光电化学
  • 3篇多晶
  • 3篇HG
  • 3篇CD
  • 2篇电沉积
  • 2篇汞镉碲
  • 1篇电池
  • 1篇电化学电池
  • 1篇电极
  • 1篇多晶薄膜
  • 1篇膜电极
  • 1篇化学电池
  • 1篇光电化学电池
  • 1篇薄膜电极
  • 1篇
  • 1篇INSE
  • 1篇CUINSE...

机构

  • 4篇中国科学院
  • 1篇通化师范学院

作者

  • 4篇谭正
  • 4篇糜天英
  • 3篇李军
  • 1篇孙公权

传媒

  • 2篇中国科学(B...
  • 1篇化学学报
  • 1篇应用化学

年份

  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 2篇1990
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
电沉积多晶CuInSe_2薄膜的光电化学——Ⅰ.CuInSe_2薄膜的电沉积被引量:5
1991年
研究了含Cu^(2+),In^(3+),HSeO_2^+等离子的酸性电解液中CuInSe_2的电沉积过程.对电沉积条件进行了优化选择,对电沉积机理进行了探讨.对钛基底上的沉积膜的物性和结构分析表明,沉积膜的结晶性良好,颗粒均匀而连续,为多晶黄铜矿型结构.在多硫氧化还原电对液中,用这种沉积膜制成的光电化学电池具有明显的光响应.
王江山谭正糜天英孙公权
关键词:电沉积CUINSE2光电化学
多晶Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极 多硫氧化还原电对溶液的界面现象研究
1992年
测量了系列(1-x)值的电沉积多晶Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极在多硫氧化还原电对溶液中的交流阻抗和光电流光谱,据此确定出不同(1-x)值时的平带电位Φ(?)和禁带宽度E(?).当(1-x)值增大时,平带电位正移,禁带宽度E(?)变小,导带位置下降(负移),价带位置基本保持不变.系列Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极在多硫溶液中的开路光电压比由平带电位Φ_(fb)推算出的极限开路光电压低,因此存在着提高实际开路光电压的潜力.
李军谭正糜天英孙公权
关键词:汞镉碲光电化学
多晶Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te薄膜的光电化学行为
1990年
富镉Hg_(1-x)Cd_xTe是一种新型的光电转换材料,已用于固体结太阳能光伏电池:ITO/CdS/Hg_(1-)Cd_xTe/Au。我们曾对Hg_(1-x)Cd_xTe的电沉积机理作过研究。最近我们用电沉积制备的Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te多晶薄膜做成了液体结太阳能光电化学电池并观察到明显光电响应。
李军谭正糜天英
关键词:光电化学多晶薄膜
多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe的电沉积及Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te薄膜的光电化学行为被引量:1
1990年
本文研究了在酸性CdSO_4+HTeO_2^+6HgCl_2 电解液中多晶富镉Hg_(1-x),Cd_(?),Te(x>0.5)的电沉积过程,实现了三种离子在同一电位下共沉积的技术。对在钛基底上沉积出的薄膜进行XRD,SEM和EDAX分析,结果表明薄膜为闪锌矿型的多晶结构,分布均匀连续。考察了(1—x)=0.09时多晶薄膜在多硫氧化还原电对液中的光电化学行为,光强为100mW/cm^2时,短路光电流I_(sc)=1.88mA/cm^2,开路光电压V_(oc)=0.25V,填充因子F·F=0.22。由光电化学光谱所确定出的禁带宽度E_g=1.26eV,Mott-schottky曲线给出了电极的平带电位φfb为—1.26V(vs.SCE),从而得到开路光电压V_(oc)可能达到的最大值为0.49V。因此,多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜是一种很有潜力的光活性电极材料。
李军谭正糜天英
关键词:汞镉碲光电化学电池电沉积
共1页<1>
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