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原子层沉积氧化铝薄膜摩擦学性能研究: 2013年; 不同温度条件下,采用原子层沉积(ALD)技术在单晶硅基底表面制备了Al2O3薄膜.利用原子力显微镜观察了Al2O3薄膜的表面形貌和粗糙度,利用纳米压痕仪测定了薄膜的硬度,并通过UMT-2型往复摩擦磨损试验机(球-盘接触方式)考察了制备温度、载荷和对偶球对Al2O3薄膜的摩擦学性能的影响.结果表明:不同温度条件下制备得到的Al2O3薄膜的粗糙度不同;制备温度为100和200°C的Al2O3薄膜的摩擦性能较优;在所用载荷范围内,摩擦系数存在最低值;与不同对偶球对摩时,由于对偶球硬度不同,Al2O3薄膜呈现不同的摩擦磨损现象.; 王莹杨静袁宁一丁建宁夏丽谭成邦; 关键词：AL2O3薄膜原子层沉积

一种ZnO纳米线阵列的掺杂方法: 本发明涉及ZnO纳米线阵列，特指一种ZnO纳米线阵列的掺杂方法，即利用等离子体对ZnO纳米线阵列进行B掺杂。利用B2H6等离子体对ZnO纳米线进行B掺杂，工作气体为B...; 丁建宁王秀琴袁宁一刘跃斌谭成邦; 文献传递

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谭成邦