裴素华
- 作品数：51 被引量：62H指数：5
- 供职机构：山东师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术轻工技术与工程建筑科学更多>>
- 低阻TiO_2基三甲胺气体传感器性能分析被引量：3
- 2005年
- 按旁热式结构采用以TiO2为基质对InSb2O3Nb2O5氧化物不同的重量比去掺杂研制成的三甲胺(TMA)气体传感器,大幅度降低了加热功率和其在空气中的阻值,器件对响应TMA气体具有灵敏度高、响应时间快、恢复时间短、长期稳定等特点,对干扰气体NH3具有良好的选择性。
- 黄萍裴素华孙海波于连英李秀琴
- 关键词：气体传感器敏感元件三甲胺
- 一种新型动物食品鲜度测量传感器件In/TiO_2·Nb_2O_5的研究被引量：7
- 1999年
- 用 Ｎｂ２Ｏ５对ＴｉＯ２半导化和金属 Ｉｎ的增感而研制成的 Ｉｎ／ＴｉＯ２· Ｎｂ２Ｏ５复合氧化物动物食品鲜度测量传感器件，具有灵敏度高，工作温度低和响应动态范围宽等特点，该项研究为非破坏性、快速、准确地检测生物鲜度创造了一条新途径。
- 裴素华薛成山周忠平孟繁英吴家琨
- 关键词：动物食品
- 有机气体敏感元件研究
- 裴素华周忠平于绥贞薛成山
- 该研究对保障劳动者的人身安全和健康，减少集体中毒事件发生，促进生产有重要的经济和社会意义。
- 关键词：
- 关键词：敏感元件有机气体
- 开管扩Ga模型的初步建立
- 2003年
- 依照二次离子质谱(SIMS)、扩散电阻(SRP)和原子力显微镜(AFM)等分析手段,首次阐述了P型杂质Ga由SiO_2膜的吸收输运和SiO_2-Si内界面上的分凝效应两者的统一,完成硅中可控制掺杂的全过程;并揭示了其中SiO_2薄层的表面效应及Si的体内效应;初步建立起SiO_2/Si系下开管扩散Ga的模型。
- 裴素华孙海波修显武薛成山杨利郭兴龙
- 关键词：掺杂二次离子质谱
- 薄膜自组装动物食品测鲜气敏器件及其制作方法
- 本发明提供一种薄膜自组装动物食品测鲜气敏器件及其制作方法，一端连接有管脚的引腿与金属帽连接，旁热式测鲜气敏器件的管脚间连有芯片，外封有双层不锈钢网帽，所述的芯片采用三氧化二铝片为基片，在基片的背面有一对长金电极和一对短金...
- 裴素华黄萍
- 文献传递
- P型杂质Ga在SiO_2-Si内界面分凝规律研究
- 2003年
- 采用开管方式和SiO_2/Si系统,实现了P型杂质Ca在硅中的可控制掺杂。借助二次离子质谱(SIMS)和扩展电阻(SRP)分析方法,对已掺Ga的杂质硅,在二次氧化过程中产生的分凝效应进行了系统研究,首次得出Ga分凝的规律性,导出了Ca在SiO_2-Si内界面Si一侧最低浓度值随时间变化的表达式。为全面理解Ga的扩散特性和建立开管扩Ga模型奠定了基础。
- 裴素华修显武孙海波周忠平张晓华
- 关键词：GA钙掺杂半导体器件
- 开管镓扩散技术改善快速晶闸管通态特性被引量：6
- 1997年
- 对提高快速晶闸管发射区ne与基区Pb杂质浓度比值Ne／Nb，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ga扩散技术的特点，并与闭管Ga扩散和B－A1双质P到扩散方式进行了比较。实验证明，用开管Ga扩散工艺制造快速晶闸管，可明显改善器件的通态伏安特性。
- 裴素华薛成山赵善麒
- 关键词：晶闸管快速晶闸管通态特性
- 单温区开管扩镓生产晶闸管工艺
- 一种单温区开管扩镓生产晶闸管方法，属于电力半导体器件生产工艺。在单温区扩散炉里对经高温氧化后的硅片进行开管扩镓。扩散时利用干H<Sub>2</Sub>从固态Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>里通过化学...
- 裴素华赵富贤
- 文献传递
- 一种改善快速晶闸管 dv/dt、di/dt 耐量的方法被引量：4
- 1997年
- 分析了借助镓高斯函数浓度分布改善快速晶闸管ｄｖ／ｄｔ、ｄｉ／ｄｔ耐量的机理，并给出实验结果。
- 裴素华薛成山赵善麒
- 关键词：电流上升率晶闸管
- GTO门极触发电路的设计被引量：3
- 1996年
- ＧＴＯ门极触发电路的设计山东工业大学张庆范（济南２５００１４）山东师范大学裴素华，庄益利（济南２５００１４）ＴｈｅＤｅｓｉｇｎｏｆＧＴＯＧａｔｅＴｒｉｇｇｅｒｉｎｇＣｉｒｃｕｉｔ￥／／１前言该电路是为感应电动机的ＧＴＯ斩波器设计的触发电路。它应用于感...
- 张庆范裴素华庄益利
- 关键词：晶闸管
