胡希伟
- 作品数：49 被引量：248H指数：9
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- 气体放电击穿过程的物理和数值研究被引量：6
- 1994年
- 本文对低气压（１０（－２）Ｐａ）热阴极气体放电的击穿过程给出了物理描述和相应的双流体数学模型，并发展了一种选择和调整未知初始条件的有效算法，可以通过伴随试射法得到对初始条件十分敏感的非线性两点边值常微分方程组的数值解，从而给出这类气体放电中击穿过程的定量描述。
- 胡希伟
- 关键词：边值问题放电击穿物理模型
- 带电粒子在空间关联的湍动静电场中扩散行为的粒子模拟
- 1991年
- 本文用Monte-Carlo方法模拟具有一维高斯型空间关联函数的湍动静电场,在此基础上通过积分带电粒子在该湍动电场中的运动方程,得到粒子系的相对扩散和绝对扩散的演化过程。所得模拟结果不但定性的与解析理论一致,而且定量符合也令人满意。
- 胡希伟
- 关键词：带电粒子扩散
- 介质阻挡放电用高频逆变电源的研制被引量：23
- 2003年
- 介绍一种用于介质阻挡放电的 IGBT逆变电源。依据介质阻挡放电的特点 ,研制成功了频率 ( 5～ 2 5 k Hz)、电压( 0～ 2 0 k V)均连续可调的大功率逆变电源装置 。
- 孙承志万山明黄声华江中和胡希伟
- 关键词：高频逆变电源介质阻挡放电IGBT逆变器
- PECVD法制备TiN功能薄膜的研究
- 本文利用等离子体化学气相沉积法在金属基板上沉积制备TiN陶瓷功能薄膜.利用X射线能谱成分分析仪和扫描电子显微镜分析研究了薄膜的成分及其微观形貌,结果表明,采用等离子体化学气相沉积法,成功地在金属基板上沉积了TiN薄膜.
- 但敏李斌陈枫郭爱波刘玉萍刘明海胡希伟
- 关键词：等离子体化学气相沉积
- 文献传递
- 超颖材料在隐身方面的应用进展
- 2007年
- 超颖材料的奇异特性和近几年的研究进展使该材料成为人们研究的重点，其发展前景引起了学术界，产业界，尤其是军方的无限遐想。针对超颖材料在隐身方面的应用对其基本特性和实验成果进行了总结，并对该材料在隐身和其它方面的应用前景进行了描述。
- 燕保荣孔令华胡希伟
- 关键词：负折射
- PECVD制备AZO(ZnO：Al)透明导电薄膜被引量：13
- 2009年
- 采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)工艺在普通玻璃和Si基上制备出了方块电阻低至89Ω,可见光透过率高达79%,对基体附着力强的多晶态的AZO(ZnO:Al)薄膜.采用PECVD法制备AZO薄膜是一种有益的尝试,AZO透明导电薄膜不仅具有与ITO(透明导电薄膜,如In2O3:Sn)可比拟的光电特性,而且价格低廉、无毒,在氢等离子体环境中更稳定,所获结果对实际工艺条件的选择具有一定借鉴作用和参考价值.
- 陈兆权刘明海刘玉萍陈伟罗志清胡希伟
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积透明导电薄膜
- 等离子体增强化学气相沉积制备的ZnO薄膜研究被引量：6
- 2006年
- 鉴于ZnO薄膜材料的多功能性,用等离子体增强化学气相沉积方法在金属Cu和普通玻璃上生长了ZnO薄膜。扫描电子显微镜获得其表面形貌;能谱分析获得其元素种类及相对含量,在能谱图上明显地观察到了Zn峰和O峰的存在,且Cu基上Zn和O原子比接近1∶1;X射线光电子能谱分析得出样品中的Zn和O全部以化合态存在而不存在Zn原子和O原子。但Cu基上的ZnO薄膜易吸收空气中的氧和水蒸汽,薄膜质量期望通过生长合适过渡层得到改善。
- 郭爱波刘玉萍陈枫李斌但敏刘明海胡希伟
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积SEMEDAXXPS
- 超颖材料在隐身方面的应用进展
- 超颖材料的奇异特性和近几年的研究进展使该材料成为人们研究的重点,其发展前景引起了学术界,产业界,尤其是军方的无限遐想．针对超颖材料在隐身方面的应用对其基本特性和实验成果进行了总结, 并对该材料在隐身和其它方面的应用前景进...
- 燕保荣孔令华胡希伟
- 关键词：负折射
- 文献传递
- J-TEXT托卡马克上的可见光CCD成像系统被引量：6
- 2008年
- 在中型聚变实验装置J-TEXT托卡马克上成功地研制了一套可见光CCD(Charge Coupled Device)成像系统。该系统可沿切向实时观察整个等离子体横截面的可见光辐射图形。该系统的核心器件CCD相机分辨率为659×494,最高帧率110f/s,可按选择捕捉彩色或黑白图片。详细地描述了该成像系统的组成、CCD相机的控制流程以及实际应用的结果。该系统能直观地展现等离子体放电过程,是J-TEXT装置放电运行中必备的重要诊断手段。
- 高丽庄革胡希伟朱孟周
- 关键词：等离子体可见光CCD
- 基于磁脉冲压缩的高压高频脉冲陡化电路的分析与计算
- 根据磁开关技术和磁脉冲压缩技术的原理,分析设计了一种高压高频脉冲陡化电路.该电路输出脉冲上升沿为40纳秒.具体分析了磁开关及其复位电路的设计方法,并给出了电路元件参数的具体计算方法.
- 杨平文远芳胡希伟毛柳明
- 关键词：磁脉冲磁开关磁复位计算方法
- 文献传递
