王颖
- 作品数：28 被引量：29H指数：3
- 供职机构：哈尔滨工程大学信息与通信工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金黑龙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学核科学技术更多>>
- 混合P-i-N和异质结二极管的设计与仿真
- 2017年
- 设计了一个混合P-i-N和多晶硅/4H-SiC异质结的二极管结构(MPH diode)。当正向偏置时,异质结区在低电压下开启,随着正偏电压的不断加大,P^+4H-SiC区域注入少数载流子到漂移区,在异质结下就会有明显的电导调制效应。异质结部分的正向传导增强,即使在高电流密度时,大多数的电流运输也会通过异质结区,这样会使得正向压降和储存电荷之间有一个很好的折衷。当反向偏置时,沟槽MOS结构形成夹断,从而使器件有低漏电流密度和高阻断电压。采用仿真工具Silvaco TCAD来研究MPH二极管的电学特性。结果表明,MPH二极管有低正向开启电压(0.8V),而且当正向电压大于2.7V时,P-i-N区域导通,正向电流密度快速增大。与MPS二极管相比,MPH二极管同样可以工作在高压状态下(2 332V),并且有较小的反向漏电流和较好的反向恢复特性。
- 王赫余王颖
- 关键词：异质结碳化硅P-I-N二极管反向恢复
- 低导通电阻沟槽栅极LIGBT的模拟研究被引量：1
- 2012年
- 横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)采用少数载流子的注入来降低导通电阻,完成了5μm外延层上普通LIGBT(C-LIGBT)、3μm外延层上的Trench Gate LIGBT(TG-LIGBT)设计及仿真.研究了利用沟槽结构改善LIGBT的正向特性和利用RESURF技术改善TG-LIGBT的反向特性.通过Silvaco TCAD软件验证了了击穿电压大于500 V的两种结构LIGBT设计,实现了导通压降为1.0 V,薄外延层上小元胞尺寸,且有低导通电阻、大饱和电流的TG-LIGBT器件.
- 李婷王颖陈宇贤高松松程超
- 关键词：LIGBT沟槽击穿电压导通电阻导通压降
- 超薄纳米晶Zr-N扩散阻挡性能及其热稳定性的研究被引量：2
- 2008年
- 用射频反应磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备了25nm的纳米晶Zr-N阻挡层,Cu/Zr-N/Si样品在高纯氮气保护下退火至700℃。用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、SEM、XRD、AES研究了溅射参数对Zr-N薄膜电阻率和扩散阻挡性能的影响。实验结果表明,N2分压从20%增加到25%,电阻率快速增高;溅射偏压不同,Zr-N的结构可由非晶态结构转变为纳米晶。纳米晶Zr-N阻挡层650℃退火1h后仍能有效地阻止Cu的扩散。
- 丁明惠张丽丽盖登宇王颖
- 关键词：扩散阻挡层CU互连射频反应磁控溅射
- 三维阵列电极粒子像素辐射探测器的终端结构仿真研究
- 2015年
- 在新型绝缘衬底上硅互补金属氧化物半导体（SOI CMOS）粒子像素（ASCP）探测器结构基础上,提出背部沟槽终端结构.采用二维和三维器件仿真对比研究有源边界终端结构,结果表明：背部沟槽终端结构会在沟槽拐角处形成电场峰,同像素内N＋沟槽底端电场等效对称,改善衬底电场分布,提高像素探测器终端耐压.在等效中子辐射流通量0-10^16cm^-2内,背部沟槽终端和有源边界终端的边缘像素有相近的电荷收集特性.此外,还分析了ASCP探测器的粒子角度入射特性.
- 胡海帆王颖陈杰
- 关键词：终端结构沟槽电荷收集
- 非对称型门极换流晶闸管的优化设计被引量：1
- 2007年
- 根据半导体器件的设计特点和设计原则,对600 A/3 000 V非对称型门极换流晶闸管进行了结构参数的优化设计,得到了材料参数与结构参数的关系.阴极采用条状同心环单元发射极排列结构,不仅可以提高单元承受应力的能力,而且可使单元均匀性得到改善.应用数值分析,使器件的透明阳极和缓冲层等关键结构的掺杂分布、区域宽度以及少子寿命得到优化,计算结果满足设计的要求.
- 王颖赵春晖曹菲邵雷
- 关键词：功率半导体器件优化设计门极换流晶闸管缓冲层透明阳极
- 缓冲层与透明阳极结构对GCT通态特性的影响被引量：2
- 2006年
- 在建立GCT器件模型的基础上,研究了缓冲层与透明阳极结构对GCT性能影响。模拟结果表明,缓冲层与透明阳极各自区域中的总杂质量是决定GCT的通态压降的关键因素。通过协调各自区域的峰值掺杂浓度与厚度,可以合理地控制该区域的总杂质量,降低GCT的通态压降。此外,缓冲层和透明阳极相结合结构加速了器件关断过程中载流子的泄放,改善了GCT关断性能。这些结果对于进一步优化GCT器件设计与制造有着重要的参考价值。
- 吴春瑜朱长纯王颖朱传森
- 关键词：GCT缓冲层透明阳极通态压降
- 500V沟槽阳极LIGBT的设计与优化
- 2012年
- 介绍一种双外延绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)结构的沟槽阳极横向绝缘栅双极型晶体管(trenchanode lateral insulated-gate bipolar transistor,TA-LIGBT).沟槽阳极结构使电流在N型薄外延区几乎均匀分布,并减小了元胞面积;双外延结构使漂移区耗尽层展宽,实现了薄外延层上高耐压低导通压降器件的设计.通过器件建模与仿真得到最佳TA-LIGBT的结构参数和模拟特性曲线,所设计器件击穿电压大于500 V,栅源电压Vgs=10 V时导通压降为0.2 V,特征导通电阻为123.6 mΩ.cm2.
- 邵雷李婷陈宇贤王颖
- 关键词：横向绝缘栅双极晶体管击穿电压导通压降阈值电压特征导通电阻
- 抗辐射加固的Σ-Δ调制器设计被引量：1
- 2014年
- 针对辐射环境下的传感器应用，设计了一种抗辐射加固的∑－△调制器。通过对调制器非理想特性的建模来确定电路的设计参数。通过调节放大器的偏置电路使其在总剂量（TID）辐射引起的阈值偏移下仍然工作在饱和区。该调制器用3阶MASH结构实现，为了获得更好的线性度，采用单位量化技术。在TSMC2P4M工艺下，信号带宽为22kHz，电源电压3．3V，采样时钟频率为11．264MHz。仿真结果表明，功耗为39mw，可达到17bit以上的有效转换位数。在温度-40～85℃及辐射剂量100Mrad以下范围内，该设计均保持17bit以上的有效转换位数，能够在极端环境下有效工作。
- 杜斌王颖陈杰刘云涛
- 关键词：∑-△调制器抗辐射加固全差分运算放大器
- Sigma-Delta微加速度计非理想因素建模与系统级设计被引量：2
- 2011年
- 为了简化Sigma-Delta(ΣΔ)微加速度计接口电路晶体管级的仿真和优化,建立了系统中的非理想因素模型,并在此基础上完成了一种单环结构的ΣΔ微加速度计的系统级设计。分析了敏感结构中固定极板运动、时钟抖动、开关热噪声、运算放大器噪声等非理想因素对系统的影响,并分别建立了Simulink模型。基于所建模型,设计了一种ΣΔ微加速度计的精确的Simulink模型。系统级仿真结果表明:二阶系统的信号-噪声-谐波失真比(SNDR)为70.1dB,有效位(ENOB)为11.36位,四阶系统的SNDR为92.7dB,ENOB为15.7位。对比于晶体管级仿真结果,基于本文所建立的非理想因素模型的系统仿真可以准确地表述出系统性能,同时大大缩短了仿真时间,简化了传感器设计中的参数优化过程。
- 刘云涛刘云涛
- 关键词：微加速度计SIGMA-DELTA系统级建模非理想因素
- 等效表面电荷对台面半导体器件钝化的影响被引量：3
- 2007年
- 进一步研究了半导体斜角造型p-n结的表面空间电荷层模型与表面耗尽区模型。计算了耗尽情况下p-n结的表面空间电荷密度,分析了等效表面电荷密度对正斜角造型p-n结表面耗尽区的影响。利用聚酰亚胺和聚酯改性漆钝化的晶闸管电学特性证实了等效表面电荷密度对台面半导体钝化的影响。同时,通过分别采用聚酰亚胺和掺氧多晶硅钝化的高压整流管研究表明,基于掺氧多晶硅的钝化结构具有屏蔽电荷和均匀电场的作用。
- 王颖曹菲吴春瑜
- 关键词：钝化
