王铁兵
- 作品数：5 被引量：25H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Au//In等温凝固芯片焊接研究
- 等温凝固是指：高熔点元素和低熔点元素，在比低熔点元素的熔点略高
的恒定温度下反应，形成固溶体或生成金属间化合物。其特点为所形成的固
溶体或金属间化合物往往具有比反应温度更高的熔点或...
- 王铁兵
- 关键词：芯片
- 文献传递
- Au/In等温凝固芯片焊接工艺研究被引量：14
- 1999年
- 本文研究了Ａｕ／Ｉｎ 等温凝固芯片焊接工艺。对机械振动、压力、Ａｕ ，Ｉｎ 镀层厚度、衬底的表面平整度等因素对焊层的剪切强度、结构和热疲劳可靠性的影响进行了分析和优化。在２５０ ℃－ ３００ ℃之间，实现了较大尺寸芯片（３ ×３ｍｍ２） 在较低成本下的快速焊接。焊层在承受－ ５５ ℃－１２５ ℃３２００ 周冷热循环后无明显退化。
- 王铁兵施建中谢晓明
- 关键词：芯片焊接等温凝固电子器件
- 分子动力学模拟研究熔态硅的局部结构被引量：9
- 1999年
- 采用Ｔｅｒｓｏｆｆ 势，修正试用不同的粒子间相互作用距离Ｒ，Ｓ 的取值，进行了液态硅的分子动力学模拟．模拟的结果表明，修正Ｔｅｒｓｏｆｆ 势下得到的径向分布函数能与Ｘ 射线衍射、中子散射实验相一致．模拟得到在液态硅中，Ｓｉ 的配位数为６９ ，键长为０２５４ ｎｍ ．分子动力学模拟表明，液态硅中Ｓｉ 原子间联接成一种网络状结构，但大多数Ｓｉ 原子与其近邻Ｓｉ 原子仍保持近似于正四面体的局部构型．键角概率分布出现两个峰值～５７°和～１０２°．通过键序参量分析，得到在液态硅近邻结构中，正四面体构型约占８２ ％ ，键取向波动方差为５２°．模拟结果还表明，除正四面体局部构型外，非正四面体局部构型不一定全是正二十面体构型。
- 周正有王铁兵程兆年
- 关键词：硅分子动力学
- Au/In等温凝固焊接失效模式研究被引量：8
- 2001年
- 研究了 Au/In等温凝固芯片焊接的失效模式 ,对每种失效模式的失效原因进行了讨论 ,并提 出了相应的解决途径。结果表明 :镀铟层过厚 ,会使焊层中产生 Ni9In4相和大量空洞 ,导致焊层出现 早期失效 ;焊接过程中芯片与衬底平行度不好 ,会使加载压力在焊区分布不均 ,并导致焊区局部区 域发生 Au/In不浸润 ;焊接温度过高 ,则焊层内会出现较大的热应力 ,可导致芯片或焊层开裂 ;在 300oC高温下 ,由于过渡层 Ni与 Au/In相的反应 ,焊区内出现大量空洞 ,导致焊层剪切强度下降。 对 Au/In体系在未来高温电子器件芯片焊接中的应用 ,尚需寻找合适的过渡层材料。
- 王铁兵施建中谢晓明
- 关键词：芯片焊接等温凝固失效模式
- Au/In合金在陶瓷封装装片中的应用被引量：5
- 2000年
- 本文用等温凝固技术研究了Au -In合金在陶瓷封装装片中的应用。结果表明 ,通过一种多层结构设计和机械振动的作用 ,硅芯片可在250oC～300oC、2.1N/mm2 的静态加载压力和流量为0.5l/min的氮气环境下焊接到氧化铝衬底上 ,绝大多数样品的剪切强度符合MILSTD883D美国军方标准 ,焊层具有良好的可靠性 ,在 -55oC～ +125oC之间1750周热循环试验后 ,剪切强度仅有微量下降。同时 ,用金相方法对热循环试验前后的焊层微结构进行了分析。
- 施建中王铁兵谢晓明
- 关键词：等温凝固集成电路
