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毛俊

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信

主题

  • 18篇存储器
  • 7篇电极
  • 7篇衬底
  • 4篇电压
  • 4篇存储密度
  • 3篇电极接触
  • 3篇电流
  • 3篇淀积
  • 3篇纳米
  • 3篇接触面
  • 2篇等差
  • 2篇电极结构
  • 2篇电路
  • 2篇电阻
  • 2篇退火
  • 2篇退火处理
  • 2篇自然数
  • 2篇作用面积
  • 2篇微电子
  • 2篇微米

机构

  • 18篇北京大学

作者

  • 18篇毛俊
  • 17篇黄如
  • 17篇蔡一茂
  • 8篇黄英龙
  • 8篇谭胜虎
  • 6篇唐昱
  • 5篇潘越
  • 5篇杨庚雨
  • 5篇王宗巍
  • 4篇刘业帆
  • 3篇张耀凯
  • 3篇潘岳
  • 2篇白文亮
  • 2篇陈诚
  • 2篇林増明
  • 2篇罗长宝
  • 2篇张丽杰
  • 1篇杨庚宇
  • 1篇孙帅

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 7篇2013
  • 5篇2012
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种纳米尺寸阻变存储器小孔的制备方法
本发明公开了一种纳米尺寸阻变忆阻器小孔的制备方法。本发明的制备方法利用牺牲层腐蚀法来制备纳米尺寸阻变忆阻器的小孔，小孔的方向可以是垂直的，可以是水平的，也可以是任何其他方向。本发明所提供的制备方法可以用来制备任何形状的小...
黄如杨庚雨孙帅谭胜虎张丽杰黄英龙张耀凯唐昱潘越蔡一茂毛俊
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阻变存储器及其制备方法
本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括衬底以及衬底之上的多个相互间隔的存储单元，每个存储单元包括下电极、阻变层和上电极，其中，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层位于所述下电极之上，所述上电极...
蔡一茂毛俊武慧薇黄如
一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制办法
本发明公开了一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制方法。本发明的多值阻变存储器包括：n个阻变存储器R1至Rn以及n+1个端口ln1至lnn+1，n个阻变存储器中的每一个为二值阻变存储器，n个阻变存储器通过n-1个端口...
黄如杨庚雨张耀凯陈诚潘越蔡一茂谭胜虎唐昱黄英龙毛俊白文亮
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一种阻变存储器的制备方法
本发明公开了一种阻变存储器的制备方法，其包括如下步骤：在衬底上制备底电极；然后采用干氧氧化或湿氧氧化对底电极金属进行部分氧化，形成厚度为3nm-50nm的金属氧化物，作为阻变材料层；最后在上述阻变材料层上制备顶电极。本发...
黄如谭胜虎张丽杰潘岳黄英龙杨庚宇唐昱毛俊蔡一茂
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阻变存储器及其制备方法
本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括上电极、阻变材料和下电极，所述阻变材料位于下电极之上，所述上电极嵌入在阻变材料之内，所述上电极的顶部的宽度大于其底部的宽度。本发明还公开了阻变存储器的制备方...
蔡一茂毛俊武慧薇黄如
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阻变存储器及其制备方法
本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器形成于衬底上，所述阻变存储器包括第一电极、阻变材料和第二电极，所述第一电极、阻变材料和第二电极均生长在所述衬底表面，所述第一电极和所述第二电极相对设置，所述阻变...
蔡一茂毛俊黄如王宗巍刘业帆余牧溪
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阻变存储器及其制备方法
本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括上电极、阻变材料和下电极，所述阻变材料位于下电极之上，所述上电极嵌入在阻变材料之内，所述上电极的顶部的宽度大于其底部的宽度。本发明还公开了阻变存储器的制备方...
蔡一茂毛俊武慧薇黄如
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新结构TaOx阻变存储器研究
随着大规模集成电路技术的飞跃发展，器件等比例缩小的趋势使闪存在低功耗、可靠性、稳定性等方面遭遇到发展的瓶颈。为了解决这些问题，许多新型存储器，如阻变存储器，磁变存储器，相变存储器、铁电存储器等越来越受到关注。　　阻变存储...
毛俊
关键词：低功耗优化
一种阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于微电子技术领域。本发明通过在传统氧化物阻变材料层中引入N<Sup>+</Sup>离子，制备出氮氧化合物阻变材料层，利用N<Sup>+</Sup>的移动实现空位导电通道的形成和断...
黄如谭胜虎毛俊蔡一茂潘岳杨庚雨唐昱黄英龙林増明罗长宝
阻变存储器及其制备方法
本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器形成于衬底上，所述阻变存储器包括第一电极、阻变材料和第二电极，所述第一电极、阻变材料和第二电极均生长在所述衬底表面，所述第一电极和所述第二电极相对设置，所述阻变...
蔡一茂毛俊黄如王宗巍刘业帆余牧溪
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