植秀佳
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：暨南大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 碳纳米管场致电子发射阴极的制备
- 本文针对碳纳米管薄膜的表面结构和场致电子发射性能进行研究.我们制备的碳纳米管的开启电场约3.33MV/m,阂值电场约为5.44MV/m.通过光电子能谱的分析,我们发现碳纳米管薄膜的表面势垒在外加电场作用下逐步下降,从而使...
- 植秀佳刘彭义谢伟广
- 关键词：碳纳米管场致电子发射光电子能谱
- 溶液法制备的碳纳米管薄膜的结构分析与场致电子发射机理研究被引量：1
- 2013年
- 结合紫外光电子能谱和拉曼光谱对溶液法制备的碳纳米管薄膜的场致电子发射性能进行研究。采用溶液滴涂法制备的碳纳米管薄膜的场致电子发射开启电场约为3.33 MV/m,阈值电场约为5.44 MV/m,以福勒-诺得海姆(Fowler-Nordheim,FN)理论对电子发射进行解释,其发射的增强因子接近103。通过对紫外光电子能谱的分析,发现碳纳米管薄膜的低能量截止端在外加电场作用下逐步降低,表明纳米管薄膜的表面有效势垒在外加电场作用下逐步下降,从而使得碳纳米管薄膜的电子更加容易发射进入真空。结合拉曼光谱和电学特性的研究,发现界面过渡层的接触电阻与碳纳米管薄膜中的非晶碳成分均可以增强场致电子发射。
- 谢伟广晏梦龙植秀佳谢方艳龚力陈建
- 关键词：碳纳米管薄膜场致电子发射光电子能谱
