李社强
- 作品数：6 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- 采用DBD方法制备碳纳米管
- 在大气压下,较低温度下合成碳纳米管(CNTs)对于大规模的工业生产具有重要的意义。本文介绍了一种利用介质阻挡放电增强等离子体化学气相沉积(DBD-PECVD)制备多壁碳纳米管(MWNTs)的方法。我们的实验是在约半个大气...
- 李飞李社强江南石晓光
- 文献传递
- 用DBD-PECVD方法合成碳纳米管被引量：1
- 2005年
- 在大气压、较低温度下合成碳纳米管(CNTs),对于大规模的工业生产具有重要的意义。本文介绍了一种介质阻挡放电等离子体增强化学气相沉积(DBDPECVD)的方法,并利用该方法制备碳纳米管。实验是在约0.5个大气压、700℃下,通入氢气和甲烷的混合气体(CH4/H2为1∶10～1∶20),产生DBD等离子体;衬底为硅片;催化剂是用磁控溅射制备的Ni/Al薄膜,厚度分别为3nm和10nm。在扫描电镜下观察发现,碳纳米管的生长符合底端生长模式。在透射电镜下观察,碳纳米管没有竹节状结构。拉曼光谱分析表明,这种碳纳米管的结构缺陷比较多。
- 李飞李社强江南石晓光冯克成
- 关键词：碳纳米管介质阻挡放电等离子体增强化学气相沉积镍催化
- 硅表面上的纳米量子点的自组织生长被引量：3
- 2003年
- 纳米半导体量子点以其所具有的新颖光电性质与输运特性正在受到人们普遍重视。作为制备高质量纳米量子点的工艺技术 ,自组织生长方法倍受材料物理学家的青睐。而如何制备尺寸大小与密度分布可控的纳米量子点更为人们所注目。因为这是关系到纳米量子点最终能否器件实用化的关键。文中以此为主线 ,着重介绍了各种 Si表面 ,如常规表面、氧化表面、台阶表面以及吸附表面上 ,不同纳米量子点的自组织生长及其形成机理 。
- 彭英才陈金忠李社强李彦波
- 关键词：半导体自组织生长
- Si光子学研究的最新进展
- 2005年
- 介绍了近年内以全Si光电子集成为主要目标的Si光子学研究在各类Si光子器件,如发光二极管、激光器、光探测器、光调制器以及光子晶体等方面所取得的一些最新进展,预计全Si光电子集成技术有望在未来10年内得到突破性的进展。
- 彭英才杜会静李社强张弘
- 氧化铟纳米线的低温生长和场发射研究
- 本论文利用自行研制的实验设备，从砷化铟基片、无氧铟膜和含氧铟膜上分别直接生长了氧化铟纳米线，详细研究了氧化铟纳米线的低温制备方法和场发射特性。
研制了纳米线低温生长设备。该设备配备有圆盘状加热器和间距可调的电极...
- 李社强
- 关键词：氧化铟纳米线场发射
- 文献传递
- 低温等离子体增强化学气相沉积技术制备碳纳米管被引量：9
- 2004年
- 由于等离子体在低温下具有高活性的特点 ,等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)技术可显著降低薄膜沉积的温度范围。通常条件下 ,高质量碳纳米管的生长要求 80 0℃以上的基片温度 ,若能使该温度降到4 0 0℃以下 ,则对许多应用非常有利 ,如可以在玻璃基片上沉积碳纳米管场发射电极。目前 ,碳纳米管基纳电子器件的研制这一课题备受关注 ,如果能实现低温原位制备碳纳米管 ,则可能将纳电子器件与传统的微电子加工工艺结合并实现超大容量的超大规模集成电路。本文主要介绍近年来生长碳纳米管所采用的各种等离子体化学气相沉积技术 。
- 李社强江南王太宏
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积PECVD碳纳米管
