朱仁江
- 作品数：100 被引量：142H指数：6
- 供职机构：重庆师范大学更多>>
- 发文基金：重庆市教委科研基金国家自然科学基金重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 论当前高等师范院校师范专业的发展
- 2014年
- 随着社会的发展,国家教育理念与相关政策法规也随之变化,高等师范院校因此纷纷转型。而高等师范院校中的师范专业由于传统上的局限性,当前面临着巨大的挑战和压力。师范专业只有在学科专业性和职业性两方面共同突破,才能应对当前的形势。"4+1"的培养模式可能是师范专业未来发展的一个重要发展方向。
- 蒋茂华张鹏张玉朱仁江范嗣强
- 关键词：高等师范院校师范专业
- 一种外腔半导体自锁模激光器的脉冲控制系统
- 本发明属于自锁模激光器技术领域，具体公开了一种外腔半导体自锁模激光器的脉冲控制系统，根据自锁模VECSEL激光器各模式间的转换特性，本发明设计了带偏置泵浦功能的泵浦电驱动技术方案，可实现自锁模VECSEL激光器输出脉冲的...
- 朱仁江张鹏王涛蒋丽丹
- 倍频外腔面发射激光器研究进展被引量：2
- 2016年
- 腔内倍频垂直外腔面发射激光器(VECSEL)具有较大的腔内循环功率,能够获得较为理想的倍频转换效率。综述了腔内倍频VECSEL的研究进展,总结了不同倍频VECSEL中倍频晶体的使用情况,并通过倍频VECSEL获得的不同波长分析了倍频VECSEL的发展趋势及未来工作所面临的一些问题。
- 蒋丽丹张晓华詹小红朱仁江蒋茂华张鹏
- 关键词：激光器倍频外腔面发射激光器
- 垂直外腔面发射半导体激光器的热管理方法研究
- 2014年
- 垂直外腔面发射半导体激光器在高功率运转的同时可以保持良好的光束质量,近年来一直成为研究的热点。本文介绍了垂直外腔面发射半导体激光器的结构及运行原理。由于热管理是其高功率运行的主要限制因素之一,分析了垂直外腔面发射半导体激光器的热管理方法。使用反向生长的外延片通过化学湿法腐蚀去掉砷化镓衬底,得到了约6μm左右的外延片,最后利用808nm的泵浦光进行抽运获得了200mW的连续激光输出。
- 全恩臣朱仁江徐向涛方刚戴特力
- 关键词：热管理键合湿法腐蚀
- 基于蒙特卡洛法的水下无线光传输特性分析被引量：10
- 2021年
- 水下无线光传输面临功率衰减和时域宽度变大的问题,蓝绿光长距离传输特性更难以测试。利用蒙特卡洛法对水下蓝绿高斯光束传输过程进行仿真,分析海水类型、传输距离和发散角等因素对接收功率及脉冲响应的影响,数值对比小发散角情况下不同海水类型和传输距离的接收面上功率分布。结果表明,随着海水衰减系数、传输距离和发散角的增加,接收功率逐渐减小,时域宽度扩展变大。其中浑浊港湾海水在10 m以上传输距离时,接收功率受发散角的影响微乎其微,而时域宽度随发散角的增加由0.32 ns变为0.8 ns。虽然传输距离相差一倍,纯海水和清澈海水功率相似度依然高达99%。基于海水衰减系数的差异性,利用功率相似度和面积比来研究水下长距离的传输,可高效快速地获得长距离传输特性。
- 吴琼王博王涛朱仁江张鹏汪丽杰
- 关键词：蓝绿光蒙特卡洛法高斯光束脉冲响应长距离传输
- 一种基于宽带增益谱的可见光单频激光器
- 本发明属于单频激光器技术领域，具体公开了一种基于宽带增益谱的可见光单频激光器，包括基频谐振单元和腔内控制单元，基频谐振单元包括增益芯片、泵浦源、反射镜、折叠输出镜和后端镜；腔内控制单元包括三个偏振控制元件、线宽窄化元件和...
- 蒋丽丹张鹏朱仁江王涛
- 半导体薄片激光器窗口散热模式的热效应被引量：2
- 2014年
- 基于垂直外腔面发射半导体激光器窗口散热模式的传热模型,用有限元法计算了不同条件下量子阱有源区的温度变化,建立了量子阱最高温度的等效热阻模型和计算公式,并通过拟合确定了热阻模型的相关参数.计算表明量子阱最高温度与抽运功率存在线性关系,与光斑面积近反比关系,窗口散热片可显著降低量子阱有源区温度和温度的不均匀度.等效热阻模型表明由于半导体晶片内热流在径向难以扩散,热传导中存在较大串联热阻,使得散热片热扩散能力趋于饱和,其中碳化硅的散热性能约为金刚石的75%.
- 朱仁江潘英俊张鹏戴特力范嗣强梁一平
- 关键词：热效应热阻散热片
- 一种兆赫兹级的大电流LD调制方法及电路
- 本发明属于激光器技术领域，尤其涉及一种兆赫兹级的大电流LD调制方法及电路，其中，电路包括电源、若干个呈并联的无感电容、激光二极管、限流电阻、调制电阻、调整管以及调整管驱动电路；所述电源与若干个呈并联的无感电容的始端连接，...
- 朱仁江张鹏王涛
- 利用基质滤波的窄线宽外腔面发射激光器
- 本实用新型公开了一种利用基质滤波的窄线宽外腔面发射激光器，包括泵浦光学系统、半导体增益薄片和耦合输出镜，所述半导体增益薄片由上到下依次包括基质部分、多量子阱有源层和布喇格反射层；所述基质部分厚度为数百微米左右，不但对激光...
- 张鹏蒋茂华朱仁江范嗣强张玉
- 文献传递
- 离子注入技术及其在ZnO薄膜掺杂中的应用
- 2008年
- 离子注入是将具有高动能的掺杂离子引入到半导体中的一种工艺,其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。将离子注入技术用于ZnO薄膜p型掺杂,其可重复性和稳定性良好。
- 朱仁江
- 关键词：离子注入ZNO薄膜P型
