方勋华
- 作品数：28 被引量：104H指数：5
- 供职机构：中南大学更多>>
- 发文基金：“九五”国家科技攻关计划国家重点工业性试验项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信电气工程化学工程更多>>
- 炭/炭复合材料自愈合涂层的制备及其抗氧化性能被引量：4
- 2005年
- 为了拓展C/C复合材料作为高温结构材料的应用领域,作者研究制备了一种具有自愈合功能的C/C复合材料抗氧化涂层,它主要由SiC和Si-B-A l-Cr-Zr系陶瓷氧化物构成。静态干燥空气中的氧化试验显示,对应700~1 000℃的平均氧化失重率约为2.91×10-7~9.43×10-6g/(cm2.s);涂层在1 000℃以内温度环境下具有良好的抗氧化能力;5~6个300~1 000℃热循环内涂层试样氧化速率下降,其后增加,6 h内经过10次300~1 000℃热循环后涂层试样氧化失重为19.64%,涂层在一定热循环范围内具有抗热震性能。SiC结合B基陶瓷为主要组分的涂层能够在较长氧化时间和一定的热震循环周期内保持涂层试样较低的氧化失重率并降低其氧化速率。
- 方勋华易茂中左劲旅张红波熊翔
- 关键词：抗氧化性能抗热震性能C/C复合材料
- 铟锡氧化物陶瓷靶材热等静压致密化研究被引量：23
- 2000年
- 用化学共沉淀法制备了铟锡氧化物（ＩＴＯ）复合粉末。粉末经冷等静压成型后进行热等静压致密化。热等静压时采用碳钢作包套，采用铜箔作隔层。实验研究了热等静压工艺参数──保温温度、保压压力和保温时间对 ＩＴＯ陶瓷靶材致密化的影响。实验结果表明：靶材的相对密度在大约 １０００℃处有一峰值；相对密度随压力增加而增加；当保温温度较低时，适当延长保温时间有利于提高密度；当保温温度较高时，延长保温时间反而使密度降低。分析了 ＩＴＯ在高温下的分解行为以及这种行为对致密化的作用。还分析了 ＩＴＯ复合粉末部分脱氧使ＩＴＯ陶瓷半导化的机理。
- 张树高扈百直吴义成方勋华黄伯云
- 关键词：铟锡氧化物陶瓷靶材热等静压致密化
- 炭/炭复合材料与铜连接用合金及其制备工艺
- 一种炭/炭复合材料与铜连接用合金，合金元素重量百分比为Cu 50%～90%，Cr 1%～20%，Ti 0%～20%，Ni 0%～30%，Zr 1%～20%，Mn 2%～20%。将上述原料配制，在1500～1700℃、小于...
- 张福勤方勋华于澍宋旼袁铁锤黄伯云熊翔
- 文献传递
- ITO导电薄膜的用途和制备方法被引量：5
- 1997年
- 本文综述了ITO薄膜的应用领域和制备工艺。ITO薄膜主要用于光电器件中,例如用于液晶显示(LCD)。制造ITO薄膜的工艺方法很多,本文综述了磁控溅射法、CVD法、喷雾热分解法和溶胶—凝胶法4种制膜工艺。
- 张树高黄伯云方勋华
- 关键词：ITO薄膜
- 能量脉冲对ZnO压敏电阻静态老化性能的影响
- 1997年
- 研究了能量脉冲对高能ＺｎＯ压敏电阻在可控硅整流电压下的静态老化性能的影响以及可控硅整流电压的过电压对压敏电阻的作用。过电压使压敏电阻流过频率为３００Ｈｚ的脉冲电流，从而使晶界势垒高度下降和晶粒导电性增加；经受能量脉冲后的压敏电阻的静态老化电流增长速度远大于未经能量脉冲的压敏电阻的静态老化电流增长速度，即能量脉冲使静态老化性能严重变差。
- 张树高黄伯云方勋华季幼章
- 关键词：高能压敏电阻氧化锌
- C/C复合材料中高温抗氧化涂层的性能被引量：1
- 2005年
- 制备了适用于工作温度高于1273K的C/C复合材料抗氧化涂层,它由SiO2、SiC和ZrAlCrY系陶瓷相构成。测量了氧-乙炔焰灼烧5、10、15、20s后涂层试样的质量损失,其平均质量损失率为7.91×10-4g/(cm2·min);涂层试样2h内经过10次室温至1273K急冷急热循环后质量损失率为13.9%,涂层基本完好,说明涂层在1273K以上的高温环境下具有良好的抗氧化性能,但其抗热震性能较中温涂层有所降低。同时对陶瓷粉末粒径对涂层性能的影响进行了研究,得出用较小粒径原料粉末制备的陶瓷涂层的抗氧化性能和抗热震性能较好。该种涂层适合于高温环境下不要求多次重复使用的C/C复合材料的抗氧化保护。
- 方勋华易茂中张红波黄启忠
- 关键词：C/C复合材料陶瓷涂层抗氧化性能抗热震性能
- 制氟碳阳极化学气相沉积热解碳抗极化涂层制备方法
- 制氟碳阳极化学气相沉积热解碳抗极化涂层制备方法，采用C<Sub>3</Sub>H<Sub>6</Sub>和N<Sub>2</Sub>为碳源气对碳阳极进行化学气相沉积，获得热解碳涂层；采用硝酸镍水溶液作电镀液，对含热解碳涂...
- 张福勤黄伯云方勋华宋旼袁铁锤夏莉红王蕾熊翔
- 文献传递
- 制造氧化铟/氧化锡溅射靶材的方法
- 本发明涉及一种用于溅射镀膜的氧化铟/氧化锡(ITO)靶材及其制造方法，其特征在于：原料粉末中氧化铟和氧化锡的质量比为9∶1，平均粒径30～200nm，纯度99.99%；冷等静压力为200～280MPa，保压时间10分钟；...
- 张树高黄伯云吴义成方勋华黄栋生陈明飞张波李世伟
- 文献传递
- 浸渍工艺对炭/炭复合材料力学性能的影响被引量：2
- 2001年
- 通过对浸渍前后C/C复合材料抗弯性能、剪切性能和耐压性能的比较,分析了浸渍工艺过程对C/C复合材料力学性能的影响.浸渍工艺使C/C复合材料力学性能有明显改善:抗弯强度由浸渍前的101MPa提高到浸渍后的159 MPa,剪切强度由浸渍前的8.6 MPa提高到浸渍后的12.1MP,抗压强度由浸渍前的82 MPa提高到浸渍后的136 MPa.浸渍前后C/C复合材料断口的扫描电镜照片分析可得出浸渍工艺的炭生长层有与CVD工艺类似的微现结构的结论.
- 方勋华熊翔黄启忠
- 关键词：浸渍工艺C/C复合材料力学性能
- 长石质电瓷的显微结构
- 1996年
- 用XRD、SEM和金相显微镜分析和研究了长石质电瓷的显微结构:相组成、相含量、晶粒形状和尺寸、气孔形状和尺寸以及裂纹。研究表明,晶相以莫来石、刚玉和残留石英为主,气孔以圆形或椭圆形为主,有一部分大气孔为不规则多边形。浅析了显微结构的形成过程。与电子陶瓷的显微结构作了对比。
- 张树高方勋华奉冬文
- 关键词：电瓷材料显微结构电子陶瓷
