张家良
- 作品数：50 被引量：61H指数：5
- 供职机构：山东大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学化学工程更多>>
- 多晶材质电子结构及热电性能的模拟
- 发展了一种研究多晶体系电子态以及热电性质的计算机模拟方法。首先采用相场动力学方法模拟多晶材质图案,再利用其模型序参量构造晶界的势函数, 用近自由电子近似构造体系的哈密顿量。求解薛定谔方程得到体系的本征态。通过电荷密度的分...
- 王春雷张家良李吉超赵明磊陈惠敏梅良模
- 关键词：多晶电子结构
- 热可塑性树脂组合物及其制品
- 一种热可塑性聚酯族树脂组合物及其制品，具体涉及聚对苯二甲酸丙二醇酯类树脂组合物及其制品技术领域。本发明的组合物，包括聚对苯二甲酸丙二醇酯类树脂，或者掺入其他树脂的聚对苯二甲酸丙二醇酯类树脂，对羟基苯磺酸碱金属盐结晶化增核...
- 张家良
- 聚对苯二甲酸丙二醇酯类热可塑性树脂组合物及其成型品
- 聚对苯二甲酸丙二醇脂类热可塑性树脂组合物及其成型品，属于热可塑性聚酯族树脂技术领域。热可塑性树脂组合物包括30%～90%PTT类树脂、1%～50%非结晶热可塑性树脂和1%～60%增强纤维。本发明的树脂组合物可以用于生产制...
- 张家良
- 低损耗高介电常数CCTO陶瓷的制备与性能研究被引量：3
- 2010年
- 为了降低CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷材料的介质损耗,采用传统固相反应法制备了组分为CaCu3–yZry/2Ti4O12(CCZTO)的陶瓷样品。研究了ZrO2掺杂对CCTO陶瓷性能的影响。结果表明:所制CCZTO陶瓷样品在维持了CCTO陶瓷材料介电常数大、低频介电常数随频率和温度变化小的优点的同时,介质损耗大幅降低;其介电常数和介质损耗的指标满足美国电子工业协会EIAZ5U标准,而温度系数αc性能指标优于EIAX7A标准所规定的±55×10–6/℃,是一种综合性能技术指标优良的新型高介电常数陶瓷材料。
- 邵守福董凡张家良
- 关键词：高介电常数介质损耗ZRO2掺杂
- Pb在钪铌酸铅铁电相形成中的驱动作用：第一性原理研究
- 采用了第一性原理计算的方法,研究了在铅基固溶体 Pb(ScNb)O（PSN）的铁电相的形成过程中,Pb 的驱动作用．利用修正后的键电荷模型（Bond valence model,BVM）对超晶胞中原子的位移进行了分析,结...
- 张睿智李吉超王春雷张家良赵明磊梅良模
- 关键词：第一性原理计算声子谱
- 烧结温度对La_(0.9)Sr_(0.1)FeO_3热电性能的影响被引量：1
- 2010年
- 利用传统的固相反应分别在1250℃,1300℃,1350℃.烧结条件下制备出钙钛矿结构的La0.9Sr0.1FeO3陶瓷样品.样品的XRD粉末衍射结果显示不同烧结温度的La0.9Sr0.1FeO3陶瓷样品都是单相的正交结构,同时晶胞体积随着烧结温度的升高而减小.从样品的SEM结果看出,随着烧结温度的升高,晶粒逐渐变大,并且晶粒间的空隙逐渐减小,样品更加致密.在室温到800℃的测试温区,测试了样品的电阻率和Seebeck系数.系统的研究了不同烧结温度对样品热电性能的影响.结果表明,随着测试温度的升高,样品电阻率的变化都表现为半导体的行为,而高温下电阻率略有升高.通过拟合证明了La0.9Sr0.1FeO3陶瓷为绝热小极化子导电机理,但是在低温区和高温区的激活能不相同.在测试温区,样品的Seebeck系数为正值,表明样品的载流子为空穴.随着测试温度升高,Seebeck系数快速减小,然后达到一个饱和值.当温度高于600℃时,Seebeck系数略有增加.随着烧结温度的升高,电阻率减小,而Seebeck系数增大.因此烧结温度越高,功率因子越大,1350℃烧结的样品在727℃时得到最大的功率因子为90μW/K2m.
- 王洪超王春雷苏文斌刘剑赵越彭华张家良赵明磊李吉超尹娜梅良模
- 关键词：热电性能烧结温度
- 改性钛酸铜钙基氧化物介电材料及其应用
- 本发明公开了改性钛酸铜钙基氧化物介电材料及其应用。该材料的组分可用化学表达式CaCu<Sub>3－x</Sub>A<Sub>y</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>12</Sub>表示；其中，A为周期表II...
- 邵守福张家良郑鹏
- NaCu_3Ti_3NbO_(12)和NaCu_3Ti_3SbO_(12)陶瓷的巨介电性质及NaCu_3Ti_3SbO_(12)陶瓷的低介电损耗特性
- 2014年
- 利用传统的固相反应工艺制备了NaCu3Ti3NbO12和NaCu3Ti3SbO12陶瓷,对它们的介电性质和晶格结构进行了研究。结果显示,两种陶瓷都存在低频介电常数高于7×103的巨介电行为;在室温或者更低温度下,两种陶瓷的介电频谱(40 Hz^110 MHz)的实部只出现一个介电弛豫,而更高温度下的介电频谱的实部则会有两个介电弛豫;XRD结果显示两种陶瓷中都含有少量的CuO第二相。这些实验结果能用CCTO陶瓷中的内阻挡层电容效应解释。NaCu3Ti3SbO12陶瓷的室温介电损耗在40 Hz到7 kHz的宽频率范围内低于0.05,并且其1 kHz的介电损耗在-50~80℃的宽温度范围内低于0.05,这对于实际应用有重要意义。
- 郝文涛徐攀攀张家良曹恩思彭华
- 改性钛酸铜钙基氧化物介电材料及其应用
- 本发明公开了改性钛酸铜钙基氧化物介电材料及其应用。该材料的组分可用化学表达式CaCu<Sub>3-x</Sub>A<Sub>y</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>12</Sub>表示；其中，A为周期表ⅡA...
- 邵守福张家良郑鹏
- 改性钛酸钡基压电陶瓷材料及其应用
- 本发明涉及改性钛酸钡基压电材料及其电气电子产品方面的应用。改性钛酸钡基压电材料组分式为Ba(Ti<Sub>1－x</Sub>[A<Sub>z</Sub>B<Sub>1－z</Sub>]<Sub>x</Sub>)O<Sub...
- 邵守福郑鹏张家良
