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崔恩录

作品数：8 被引量：11H指数：2
供职机构：河北半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 6篇晶体管
  • 5篇功率晶体管
  • 4篇可靠性
  • 2篇热斑
  • 2篇热阻
  • 2篇可靠性研究
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 1篇带宽
  • 1篇匹配网络
  • 1篇微波
  • 1篇微波功率
  • 1篇微波功率晶体...
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲宽度
  • 1篇脉冲输出
  • 1篇晶体
  • 1篇功率
  • 1篇国军标
  • 1篇高频

机构

  • 3篇河北半导体研...
  • 3篇电子工业部
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 8篇崔恩录
  • 2篇秦仲波
  • 2篇王于辉
  • 1篇王长河
  • 1篇穆杰
  • 1篇王小平
  • 1篇高颖
  • 1篇穆杰
  • 1篇黄雒光

传媒

  • 4篇半导体情报
  • 2篇半导体技术
  • 1篇电子产品可靠...
  • 1篇第八届全国可...

年份

  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 3篇1996
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
贯彻国军标器件的可靠性攻关被引量：1
1996年
1 引言3DG135型硅超高频晶体管是贯彻国家军用标准的高可靠半导体器件代表品种之一。开设本课题的目的是为国家重点工程建立提供高可靠性保证等级的半导体器件军品生产线。为达到目前我国半导体器件的最高质量标准—国家军用标准的要求,电子工业部军工基础局明确规定如下攻关指标:(1)建立全所军工产品质量保证体系并经验收合格。(2)开展低温下h_(FE)降低机理和技术研究,在-55℃下测量h_(FE)平均变化率小于35％。(3)开展反向漏电机理和技术研究,使I_(CBO)额定值从贯标前的1μA(V_(CB)=10v)降低至80nA。(4)进行恒定加速度,温循和高温反偏试验研究,满足国军标筛选和试验要求。(5)管壳密封性研究,满足国军标要求。(6)本产品可靠性等级达到特军级和超特军级水平。
崔恩录穆杰王于辉秦仲波
关键词：半导体器件可靠性
用红外扫描法测量功率晶体管热阻被引量：6
1998年
器件的热阻不是恒量。功率晶体管的结温不是空间均匀的；对于不同的工作点，有不同的热阻值；而热阻随结温的变化率的测定，对于保证功率晶体管安全工作，预测可靠程度是很重要的，红外扫描法可满足其要求。
黄雒光崔恩录秦仲波田建军郭贺军
关键词：热阻热斑功率晶体管
国军标器件3DG135的可靠性研究
1996年
较详细地叙述了３ＤＧ１３５在可靠性研究过程中，技术攻关的主要内容及所采取的工艺措施，并给出三个检验批次认证的实验结果。
崔恩录穆杰王于辉秦仲波
关键词：国军标半导体器件可靠性
P波段硅脉冲功率管工程实用化研究
1999年
详尽介绍了３ＤＡ５０２ 型硅脉冲功率晶体管工程实用化的研究过程。围绕可靠性综合设计开展六项专题研究， 并辅以用红外热象法监测结温和射频加速寿命试验法， 保证器件的长期使用可靠性，
王于辉高颖崔恩录秦仲波郝金中
关键词：微波功率晶体管可靠性
P波段硅脉冲功率管可靠性研究
段502型硅脉冲功率晶体管是根据96年4月国防科工委组织召开的“硅微波脉冲功率管实用化攻关会议”精神，而研制的能达到工程实用化的军用电子器件。攻关的主要目标是：用国产器件替代美国M/ACOM PHO公司的PH8975和荷...
崔恩录
硅微波功率晶体管内匹配设计技术研究被引量：3
1997年
着重论述了硅微波功率晶体管内匹配网络的设计方法，对内匹配网络的功率均分特性、带宽特性，增益性能做了分析研究。在上述基础上，通过优化设计。
王小平王长河崔恩录
关键词：功率带宽晶体管
功率晶体管的热失效被引量：1
1998年
介绍了微波功率管三种独立失效模式，论述了器件结温随工作条件变化的规律，指出功率管热失效更重要的因素是热斑，而不是平均结温和热阻。
崔恩录秦仲波黄雒光田建军郭贺军
关键词：热斑热阻功率晶体管
540～610MHz脉冲输出150W功率晶体管
1996年
采用芯片设计优化、工艺改进及内匹配等技术，研制出应用于工程的脉冲功率晶体管．该管宽频带（５４０～６１０ＭＨｚ），长脉宽（５０μｓ），高占空比（１５％），带内增益平坦度为±０．５ｄＢ，集电极输出效率ηｃ≥５０％。
崔恩录
关键词：脉冲宽度匹配网络功率晶体管
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