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崔伟

作品数：32 被引量：4H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金重庆市科委基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...

主题

  • 11篇半导体
  • 8篇深槽
  • 5篇电路
  • 5篇多晶
  • 5篇漂移区
  • 4篇多晶硅
  • 4篇芯片
  • 4篇扩散
  • 4篇集成电路
  • 4篇光探测
  • 4篇发射极
  • 4篇半绝缘
  • 4篇MOS器件
  • 4篇槽栅
  • 4篇掺杂
  • 4篇场效应
  • 3篇电阻
  • 3篇多晶硅发射极
  • 3篇外延层
  • 3篇键合

机构

  • 32篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇重庆电子工程...
  • 1篇重庆西南集成...

作者

  • 32篇崔伟
  • 18篇谭开洲
  • 13篇杨永晖
  • 12篇张静
  • 10篇唐昭焕
  • 7篇邱盛
  • 6篇徐学良
  • 5篇蒋和全
  • 4篇陈良
  • 3篇王健安
  • 3篇张正元
  • 3篇刘嵘侃
  • 3篇刘玉奎
  • 3篇陈俊
  • 3篇王斌
  • 3篇徐炀
  • 2篇李荣强
  • 2篇谈侃侃
  • 2篇李文
  • 2篇钟怡

传媒

  • 4篇微电子学

年份

  • 6篇2024
  • 4篇2022
  • 7篇2021
  • 3篇2020
  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 32 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于Matlab的基极电流理想因子提取方法研究
2020年
采用Matlab数字分析方法,结合多晶硅发射极双极器件基极电流的构成情况,阐述了不同理想因子电流成分分离的基本原理和数学方法。利用该方法分析了多晶硅发射极双极器件在正向大电流激励下的电参数退化过程中不同理想因子基极电流的变化情况,分析了导致各电流分量变化的物理机制。该理想因子提取方法普遍适用于各类双极型器件。
冯筱佳邱盛张静崔伟张培健
关键词：多晶硅发射极MATLAB基极电流
一种深槽半导体器件耐压终端及其制造方法
本发明提供一种深槽半导体器件耐压终端及其制造方法，所述方法包括在带有第一导电杂质的半导体层，采用通用半导体工艺技术，在半导体层内部分区域形成被保护的有源区；通过刻蚀工艺在半导体材料片内形成一个或多个深槽；垂直半导体材料片...
谭开洲张霞唐昭焕吴雪王斌肖添朱坤峰杨永晖王健安张振宇邱盛张静崔伟黄东
文献传递
一种深槽半导体光探测结构及其制造方法
本发明公开了一种深槽半导体光探测结构及其制造方法，其中，所述深槽半导体光探测结构包括半导体材料，所述半导体材料为第一导电杂质类型，在所述半导体材料的上表面向下开设欧姆接触掺杂区和多个深槽，所述欧姆接触掺杂区为具有第一导电...
谭开洲崔伟张霞张静陈仙唐昭焕吴雪张培健
文献传递
介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法
本发明提供了一种介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制M...
谭开洲肖添张嘉浩李孝权王鹏飞裴颖李光波杨永晖蒋和全张培健邱盛陈良崔伟
浅结互补双极晶体管的制造方法
本发明公开了一种浅结互补双极晶体管的制造方法。本发明方法的主要工艺步骤为：1)通过硅/硅键合、减薄抛光方法形成SOI材料片；2)在所述SOI材料片上通过深槽刻蚀、多晶硅回填的深槽介质隔离加浅隔离墙方法，结合具有浅结多晶硅...
李荣强崔伟张正元
文献传递
强电场下亚微米ESD注入型NMOS IDT-VGS微分负阻现象研究
2021年
采用优化ESD注入条件改善了NMOS器件结构。对该亚微米ggNMOS ESD防护电路单元进行了传输线脉冲TLP法测试。测试结果表明,优化后的多插指通道保护结构的静电释放电流均匀性得到改善。对该ESD注入型NMOS输出特性的研究发现,在强场下漏极电流I_(DT)是一种复合电流,随着栅源电压超过阈值V_(GS)0,它会呈现I_(DT)-V_(GS)微分负阻现象。从MOS-Bipolar复合模式下的碰撞电离和Snapback效应两方面对I_(DT)-V_(GS)微分负阻现象进行了理论分析。研究结果可用于优化CMOS/BiCMOS IC的ESD设计。
刘玉奎殷万军谭开洲崔伟
关键词：碰撞电离静电释放
一种深槽半导体光探测增益结构
本发明公开了一种深槽半导体光探测增益结构，其中，所述深槽半导体光探测增益结构包括半导体材料，所述半导体材料为第一导电杂质类型，在所述半导体材料的上表面向下开设多个深槽，所述深槽向其槽壁外扩散形成具有第二导电杂质类型的深槽...
谭开洲崔伟张霞张静陈仙唐昭焕吴雪张培健
文献传递
电阻场板电导调制场效应MOS器件及其制备方法
本发明提供了一种电阻场板电导调制场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的电阻场板电导调制场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制MOS...
谭开洲肖添张嘉浩杨永晖李孝权王鹏飞裴颖李光波蒋和全张培健邱盛陈良崔伟
文献传递
混合晶向硅衬底的制造方法
本发明涉及一种混合晶向硅衬底的制造方法。采用常规的硅硅晶片键合、光刻、腐蚀、常规外延、化学机械抛光和减薄工艺，就能制成混合晶向的硅衬底。只需使用一块掩膜版，无需淀积SiO<Sub>2</Sub>做为掩蔽层，不需做SPAC...
崔伟谭开州张静徐世六张正璠杨永晖陈光炳徐学良王斌陈俊梁涛
文献传递
提升熔封封装的半导体器件可靠性的封装方法
本发明提供了一种提升熔封封装的半导体器件可靠性的封装方法，在制作专用电极、设置专用封帽参数及电极测高的基础上，先后结合点焊和平行缝焊，因地制宜地采用平行缝焊设备和平行缝焊工艺，对半导体器件的熔封外壳进行封帽，在短时间内即...
徐炀崔伟唐昭焕刘嵘侃赵科
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