尹玉刚
- 作品数：8 被引量：20H指数：2
- 供职机构：南京航空航天大学材料科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划长江学者和创新团队发展计划更多>>
- 相关领域：理学化学工程一般工业技术电气工程更多>>
- β-FeSi_2薄膜的结构与光电特性被引量：2
- 2008年
- 用磁控溅射法沉积了Fe/Si多层膜和Fe单层膜,在真空和Ar气中热退火2 h后制备了β-FeSi2半导体光电薄膜。发现Fe/Si多层膜在880℃温度下热退火后,制备的β-FeSi2薄膜的XRD结果均呈现β(220)/(202)择优取向,而Fe单层膜制备的β-FeSi2样品则呈无规则取向。原子力显微镜分析表明,Ar气退火的样品表面粗糙度大于真空退火的样品。根据光吸收谱测量,Fe/Si多层膜制备的β-FeSi2薄膜的禁带宽度室温下为0.88 eV。由Fe/Si多层膜制备的β-FeSi2薄膜具有明显的光电导效应,这种效应在真空退火样品中更为显著,在40W光源照射下,光电导效应大于30%。
- 祝红芳沈鸿烈尹玉刚鲁林峰
- 关键词：磁控溅射
- 半导体相二硅化铁(β-FeSi<Sub>2</Sub>)薄膜材料的制备方法
- 一种半导体相二硅化铁(β-FeSi<Sub>2</Sub>)薄膜材料的制备方法，涉及晶态半导体相二硅化铁(β-FeSi<Sub>2</Sub>)光电薄膜的制备方法。包括以下过程：(1)非硅衬底清洗去污；(2)物理气相沉积...
- 沈鸿烈鲁林峰尹玉刚
- 文献传递
- ZnO减反射层在太阳电池中的应用
- 实验通过喷雾热解法在石英衬底和制绒硅表面制备了高质量的ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)表明石英衬底上制备的薄膜为六角纤锌矿结构,且具有明显的单轴择优取向。制绒硅表面的倒金字塔结构会破坏薄膜单轴择优取向;衬底温度为500℃...
- 尹玉刚沈鸿烈吴京波李琼甄真
- 关键词：ZNO薄膜喷雾热解
- 文献传递
- ZnO薄膜的制备及光电特性研究
- 采用溶胶－凝胶法在石英衬底上制备了高度择优取向的ZnO:Al薄膜。结果表明：制备的ZnO:Al薄膜为六角纤锌矿结构，且具有明显的c轴择优取向;Al离子的掺杂浓度和退火温度对薄膜的结构、光电性能有一定的影响，薄膜在可见光区...
- 尹玉刚
- 关键词：ZNO薄膜溶胶凝胶法纤锌矿结构射频磁控溅射AL掺杂拉曼光谱
- 文献传递
- 半导体二硅化铁薄膜材料的制备方法
- 一种半导体二硅化铁薄膜材料的制备方法，涉及晶态半导体相二硅化铁(β－FeSi<Sub>2</Sub>)光电薄膜的制备方法。包括以下过程：(1)非硅衬底清洗去污；(2)物理气相沉积法生长硅基过渡层；(3)物理气相沉积法沉积...
- 沈鸿烈鲁林峰尹玉刚
- 文献传递
- 溶胶-凝胶法生长(002)高度择优取向的ZnO∶Al薄膜被引量：6
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备了高度择优取向的ZnO∶Al薄膜。用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）分别对薄膜结构和形貌进行了表征,用紫外-可见透射光谱和四探针研究了薄膜的光电性能。结果表明：制备的ZnO∶Al薄膜为六角纤锌矿结构,且具有明显的c轴择优取向;Al离子的掺杂浓度和退火温度对薄膜的结构、光电性能有一定的影响,薄膜在可见光区的光透过率为80%~95%;Al的掺杂浓度为1%样品在600℃下空气中退火1h后,薄膜最低的电阻率为7.5×10-2Ω.cm。
- 尹玉刚沈鸿烈楼晓波李斌斌高超
- 关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶法
- 衬底温度和氢气退火对ZnO:Al薄膜性能的影响被引量：10
- 2010年
- 采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了性能良好的透明导电ZnO:Al薄膜,并研究了衬底温度和氢气退火对薄膜结构和光电性能的影响。结果表明,衬底加热可以改善薄膜结晶质量和c轴择优取向,减小内应力,并提高其电学性能。经稀释氢气退火后,500℃沉积的薄膜电阻率由9.4×10-4Ω.cm减小到5.1×10-4Ω.cm,迁移率由16.4cm2.V-1.s-1增大到23.3 cm2.V-1.s-1,载流子浓度由4.1×1020cm-3提高到5.2×1020cm-3,薄膜的可见光区平均透射率仍达85%以上。禁带宽度随着衬底温度的升高和氢气退火而展宽。
- 张惠沈鸿烈尹玉刚李斌斌
- 关键词：ZNO:AL薄膜电阻率
- 超声电化学沉积ZnO薄膜及其机理研究被引量：2
- 2008年
- 采用超声电化学沉积生长了c轴取向的ZnO薄膜,并与常规电化学沉积生长的ZnO薄膜进行了比较。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计研究了样品的晶体结构、表面形貌以及光学性能。结果表明,常规电化学沉积生长的ZnO薄膜为纳米柱状结构,随着沉积电压的增加,c轴取向率呈极值变化,热退火可提高这种薄膜的透射率。超声电化学沉积生长的ZnO薄膜,在1.5V低沉积电压下仍为柱状结构,但比未加超声电化学法沉积的样品具有更好的c轴取向,沉积电压增加到2.0V时样品则变为麦粒状结构,热退火后其透射率几乎不变。
- 郭艳沈鸿烈尹玉刚李斌斌高超
- 关键词：ZNO薄膜C轴取向透射率
