周路
- 作品数：20 被引量：66H指数：5
- 供职机构：长春理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 半导体激光器腔面增透膜AlN薄膜的制备被引量：3
- 2011年
- 提出了一种新的半导体激光器增透膜———AlN膜,并用matlab软件模拟分析了不同腔面反射率对激光器输出功率的影响,得到激光器最大输出功率时前后腔面的反射率的最佳值。采用反应磁控溅射技术,利用高纯铝靶(99.999%)和N2+Ar的混合气体在K9玻璃基片上沉积了AlN薄膜。利用Filmetrics系统对薄膜进行光学性能测试,分析了不同工艺参数对薄膜沉积速率和折射率的影响。将最优条件下制得的AlN单层增透膜用于半导体激光器上,光学灾变损伤阈值和器件输出功率都得到了很大的提高。
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- 关键词：增透膜折射率溅射
- 一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法
- 一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术很难同时兼顾纵宽比与被腐蚀面的粗糙度。本发明是一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法。其最终结果可以得到纵宽比较...
- 单少杰刘国军魏志鹏郝永芹冯源安宁周路陈芳罗扩郎张升云何斌太刘鹏程
- 文献传递
- 高功率半导体激光器可靠性检测系统
- 一种高功率半导体激光器可靠性检测系统属于高功率半导体激光器可靠性检测装置领域，该系统包括驱动电源、测试盒、放大器、数据采集处理单元、参数提取单元、存储单元和打印及显示单元。该高功率半导体激光器可靠性检测系统精度高、性能可...
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- 文献传递
- GaAs表面硫钝化工艺新研究被引量：6
- 2012年
- 为得到GaAs表面稳定的钝化层,以(NH4)2S为主要对象,首先研究不同溶剂对钝化效果的影响,得出溶液极性越小,钝化效果越好的结论;研制出一种新的钝化溶液:Se+(NH4)2S+叔丁醇。通过光致发光(PL)谱对比(NH4)2S+去离子水、(NH4)S2+异丙醇、(NH4)2S+叔丁醇、Se+(NH4)2S+叔丁醇等几种不同含硫溶液钝化GaAs(100)表面的发光特性。通过测试PL发光谱发现,Se+(NH4)2S+叔丁醇溶液处理的GaAs(100)表面发光强度最强,是未做钝化处理的25倍左右。钝化处理后的基片在空气中放置数小时,PL谱未见明显退化。得出Se+(NH4)2S+叔丁醇不论从发光强度还是稳定性来说,都是较为理想的钝化溶液。
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- 关键词：砷化镓钝化光致发光
- 基于无杂质空位混杂法制备带有无吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaInAs半导体激光器研究被引量：10
- 2012年
- 为提高940nm半导体激光器抗灾变性光学损伤(COD)能力,采用无杂质空位量子阱混杂技术制备了带有无吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaInAs半导体激光器。借助光致发光光谱分析了退火温度和介质膜厚度对GaInP/GaAsP/GaInAs单量子阱混杂的影响;通过电化学电容-电压(EC-V)方法检测了经高温退火后激光器外延片的掺杂浓度分布的变化情况。实验发现,在875℃快速热退火条件下,带有磁控溅射法制备的200nm厚的SiO2盖层样品发生蓝移达29.8nm,而电子束蒸发法制备的200nm厚TiO2样品在相同退火条件下蓝移量仅为4.3nm。两种方法分别对蓝移起到很好的促进和抑制作用。将优化后的条件用于带有窗口结构的激光器器件制备,其抗COD能力提高了1.6倍。
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- 关键词：激光器量子阱混杂
- 溅射ZnO薄膜钝化GaAs表面性能的研究被引量：5
- 2013年
- 为了改善GaAs(110)与自身氧化物界面由于高表面态密度而引起的费米能级钉扎(pinning)问题,提出采用射频磁控溅射技术在GaAs(110)衬底上沉积一定厚度ZnO薄膜作为钝化层,并利用光致发光(PL)光谱和X射线光电子能谱(XPS)等方法对ZnO薄膜的光学特性及钝化性能进行表征。实验结果表明,经ZnO薄膜钝化后的GaAs样品,其本征PL峰强度提高112.5%,杂质峰强度下降82.4%。XPS光谱分析表明,Ga和As原子的比值从1.47降低到0.94,ZnO钝化层能够抑制Ga和As的氧化物形成。因此,在GaAs表面沉积ZnO薄膜是一种可行的GaAs表面钝化方法。
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- 关键词：GAAS钝化ZNO薄膜
- 基于AlN掩蔽膜的半导体激光器温度场分布研究
- 2011年
- 运用ANSYS软件建立了808nm高功率半导体激光器内部热源分析模型,并对其进行瞬态温度及稳态温度模拟,讨论了SiO2及AlN材料掩蔽膜对器件内部温度场分布的影响。结果表明,有源区的平衡温度由器件的散热特性决定,用AlN材料代替SiO2材料制备掩蔽膜,能降低器件内部温度,更好的满足半导体激光器高效率工作的需要。
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- 关键词：半导体激光器热分布ANSYS软件
- 射频反应溅射AL_2O_3薄膜组分研究
- 2012年
- 通过射频反应溅射的方法制备Al2O3薄膜,并研究其中AL和O的化学配比,并取得初步结果。实验以高纯Al作为靶材,高纯度O2为反应气体,在单晶(100)Si片上镀制Al2O3薄膜。用XPS能谱分析仪测试,不同氩氧比的情况下,氧化铝薄膜的化学配比,并与反应速率曲线进行对比确定氩氧比工艺。结果表明,应用此工艺制备的Al2O3薄膜具有良好的化学配比,得出了用试验方法确定反应溅射Al2O3薄膜氧氩比工艺的方法,此方法简单有效。
- 任杰薄报学高欣周路
- 关键词：反应溅射AL2O3薄膜XPS
- 氩、氢混合等离子体处理对GaAs表面性质及发光特性的影响被引量：3
- 2013年
- 介绍了一种氩、氢混合等离子体清洗GaAs基片的实验工艺,深入研究了氩、氢等离子体清洗GaAs表面污染物和氧化层,并活化表面性能的基本原理,同时讨论了气体流量、溅射功率和清洗时间等不同溅射参数对等离子体清洗效果的影响。结果表明,在氩气和氢气流量分别为10 cm3/min和30 cm3/min,溅射功率为20 W,清洗时间为15 min的条件下,GaAs样品的光致发光强度提高达139.12%,样品表面的As—O键和Ga—O键基本消失。
- 王云华周路乔忠良高欣薄报学
- 关键词：等离子清洗发光强度
- 高功率半导体激光器抗COD关键技术研究
- 高功率半导体激光器由于体积小、效率高、调制简单等一系列优点，受到广泛的关注和应用。高输出功率和长期可靠性是高功率半导体激光器得以广泛应用的前提，而灾变性光学镜面损伤(COD)一直是限制激光器最大输出功率和可靠性的重要因素...
- 周路
- 关键词：量子阱混杂高功率半导体激光器
