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周伟

作品数：118 被引量：5H指数：2
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
发文基金：上海市青年科技启明星计划国家科技重大专项上海市科学技术委员会科研基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术航空宇航科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 111篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 20篇电路
  • 18篇图像
  • 18篇图像传感器
  • 18篇感器
  • 18篇传感
  • 18篇传感器
  • 16篇晶体管
  • 16篇二极管
  • 14篇光电
  • 14篇CMOS图像
  • 14篇CMOS图像...
  • 12篇刻蚀
  • 12篇光电二极管
  • 11篇互连
  • 10篇漏极
  • 10篇半导体
  • 9篇电压
  • 9篇纳米
  • 7篇电源抑制
  • 7篇接触孔

机构

  • 118篇上海集成电路...
  • 10篇清华大学
  • 3篇成都微光集电...
  • 1篇东华大学
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇上海市激光技...
  • 1篇上海集成电路...

作者

  • 118篇周伟
  • 46篇胡少坚
  • 46篇任铮
  • 21篇唐逸
  • 17篇曹永峰
  • 14篇王勇
  • 13篇郭奥
  • 10篇陈寿面
  • 10篇叶红波
  • 9篇全冯溪
  • 9篇赵宇航
  • 9篇王全
  • 8篇范春晖
  • 8篇孙德明
  • 7篇张伟
  • 5篇肖慧敏
  • 4篇冯程程
  • 4篇蒋宾
  • 4篇朱建军
  • 3篇左青云

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇应用激光
  • 1篇电子器件
  • 1篇微电子学
  • 1篇集成电路应用
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇2011’全...

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 5篇2019
  • 11篇2018
  • 7篇2017
  • 9篇2016
  • 10篇2015
  • 20篇2014
  • 17篇2013
  • 3篇2012
  • 14篇2011
  • 12篇2010
  • 6篇2009
共 118 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种CMOS图像传感器及其制造方法
本发明公开了一种CMOS图像传感器，包括形成于半导体衬底上的光电二极管区域，还包括浅槽隔离区域，形成于所述光电二极管区域中；深槽隔离区域，形成于所述光电二极管区域中；其中，所述浅槽隔离区域与所述深槽隔离区域填充透光介质；...
顾学强周伟
一种确定端口寄生电感及可伸缩模型的方法
本发明公开的一种确定端口寄生电感的方法，包括如下步骤：S01：确定待测器件中包含寄生电感的端口；S02：针对每一个含有寄生电感的端口，构建其对应的端口辅助结构；S03：分别建立各端口辅助结构的子电路模型，所述子电路模型中...
刘林林冯悦怡王全郭奥周伟
分频器
本发明提供了一种分频器，包括3个级联的D型触发器单元、内部复位电路、输出信号控制电路、控制信号译码电路、第二传统D型触发器、负沿CLK触发信号延迟电路以及输出电路，其通过一组3位两进制数字信号M输入控制信号，实现了从1到...
任铮周伟胡少坚唐逸
文献传递
一种CMOS图像传感器的像素单元和阵列及其制作方法
本发明公开了一种CMOS图像传感器的像素单元及其制造方法，属于半导体技术领域。像素单元包括：感光二极管和传输管组，所述传输管组包括若干个分别在源极端和漏极端进行并联的传输管，每个所述传输管的栅极与所述感光二极管的注入区形...
顾学强周伟肖慧敏
文献传递
利用外延工艺制备垂直沟道的围栅型MOSFET的方法
本发明提供一种利用外延工艺制备垂直沟道的围栅型MOSFET的方法，包括：选取一个从上到下依次包含有顶层膜、中间介质层和底层膜的半导体衬底；采用外延工艺在半导体衬底上制备第一外延层；在顶层膜中形成源/漏电极图形；在第一外延...
郭奥任铮胡少坚周伟
金属电迁移测试设备及方法
本发明提供了一种金属电迁移测试设备及方法。该金属电迁移测试设备包括：芯片数量设置模块，用于设置被测试芯片的测试数量；状态停止模块；判断模块，用于判断是否完成了所设置的测试数量的被测试芯片的测试；芯片移动模块，用于在判断模...
冯程程周伟
文献传递
用于测量CMOS图像传感器转换增益的像素单元及方法
本发明的一种用于测量CMOS图像传感器转换增益的像素单元及方法，通过增加一辅助测量单元，其包括与悬浮漏极相并联的一个或多个附加电容，在同样条件下，对第一像素单元和第二像素单元进行光响应测量，根据两种像素单元相对应的输出信...
顾学强周伟王言虹
文献传递
快恢复二极管制备方法
本发明涉及一种快恢复二极管制备方法，包括如下步骤：在N‑型衬底表面生长一牺牲氧化层；在衬底上形成一P型掺杂场限环区；在衬底上形成一P型掺杂阳极区；刻蚀去除牺牲氧化层；对衬底退火，以形成PN结；通过离子注入向衬底表面注入氧...
王全董洁琼孙德明周伟
文献传递
以碳纳米管为掩膜制备FinFET的方法
本发明提供一种以碳纳米管为掩膜制备FinFET的方法，包括：在半导体衬底上形成水平排列的一维碳纳米管平行阵列结构；利用碳纳米管平行阵列结构作掩膜层，采用各向异性刻蚀工艺刻蚀半导体衬底，在半导体衬底中形成鳍形阵列结构；去除...
郭奥任铮胡少坚周伟
文献传递
平面八边形螺旋结构的生成方法
本发明提供一种平面八边形螺旋结构的生成方法，在满足版图设计规则的前提下，以版图参数为输入值，设定分段渐变量并进行分段渐变内边或外边到原点的距离得到各圈线圈各段内边或外边，同时设定相对于正八边形的顶点偏移量并进行顶点偏移得...
全冯溪叶红波周伟
文献传递
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