您的位置： 专家智库 > >

刘键

作品数：8 被引量：8H指数：1
供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
发文基金：中国科学院重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 3篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 6篇中子
  • 6篇中子辐照
  • 5篇砷化镓
  • 3篇正电子
  • 3篇正电子湮没
  • 3篇GAAS
  • 2篇多孔硅
  • 2篇扫描电子显微...
  • 2篇退火
  • 1篇阳极
  • 1篇阳极氧化法
  • 1篇荧光
  • 1篇荧光法
  • 1篇散射
  • 1篇退火行为
  • 1篇自由电子
  • 1篇自由电子激光
  • 1篇离子注入
  • 1篇卢瑟福
  • 1篇卢瑟福背散射

机构

  • 6篇北京科技大学
  • 5篇中国科学院

作者

  • 8篇刘键
  • 4篇王佩璇
  • 2篇魏龙
  • 1篇柯俊
  • 1篇马创新
  • 1篇朱沛然
  • 1篇王宝义
  • 1篇王耘波
  • 1篇张灶利
  • 1篇张天保
  • 1篇殷士端
  • 1篇王辉耀
  • 1篇王文华
  • 1篇扬峰

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇核技术
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇半导体杂志

年份

  • 1篇2000
  • 3篇1999
  • 1篇1998
  • 3篇1997
共 8 条 记 录，以下是 1-8
全选 清除 导出
排序方式：
中子辐照GaAs的X射线漫散射研究
1999年
用X射线漫散射研究了中子辐照GaAs中的缺陷．结果表明：中子辐照产生点缺陷团．辐照剂量为1019m－2和1021m－2时，缺陷团的平均半径分别为387nm和455nm．这可能是高剂量辐照下损伤区域交叠的结果．平均半径随退火温度的升高而减小是间隙原子与空位复合造成的．
刘键王佩璇
关键词：中子辐照砷化镓半导体
砷化镓的中子辐照缺陷研究
刘键
关键词：砷化镓中子辐照
中子辐照砷化镓的快速退火行为的正电子寿命研究被引量：6
1997年
用正电子湮没技术研究了中子辐照半绝缘ＧａＡｓ的快速退火行为。结果表明：辐照引入的空位缺陷浓度与辐照剂量有关。退火过程中的空位团的分解和聚合与退火温度和辐照剂量关。
刘键王佩璇王耘波王文华魏龙张天保
关键词：中子辐照正电子湮没快速退火砷化镓
中子辐照 GaAs 缺陷的退火行为研究
1999年
采用霍尔测量、沟道卢瑟福背散射（ 沟道 Ｒ Ｂ Ｓ） 以及低温光荧光方法对中子辐照 Ｇａ Ａｓ 缺陷的快速退火行为进行了研究。嬗变杂质锗未能全部激活的原因之一是部分锗原子占据砷位形成受主。在快速退火过程中可形成反位缺陷 Ｇａ Ａｓ（ Ｅｖ ＋ ２００ ｍｅ Ｖ） 以及复合缺陷 Ｉ Ｇａ － Ｖ Ａｓ 。
刘键王佩璇张灶利
关键词：中子辐照砷化镓退火
阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究被引量：1
2000年
用正电子湮没技术和扫描电子显微镜研究了阳极氧化法制备的多孔硅材料。正电子湮没实验表明，随着阳极氧化时间的延长，平均寿命值增大，空位缺陷增多。长寿命（正电子素）成分较少。扫描电子显微镜显示，在阳极氧化过程中有尺寸为几um的单晶球形成。并观察到部分单晶球脱离后形成的微米坑。空位缺陷增多的原因可能是随着阳极氧化时间的延长，多孔硅结构向内层延伸增加了空位缺陷。但扫描电子显微镜的观察结果并不排除另一种可能：部分表面结构的变化增大了表面层的空位缺陷浓度。
刘键魏龙王辉耀马创新王宝义
关键词：正电子湮没扫描电子显微镜多孔硅阳极氧化法
中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究被引量：1
1998年
用沟道ＲＢＳ方法研究了中子辐照ＧａＡｓ的缺陷在快速退火过程中的恢复行为．结果表明，在１０１４～１０１７／ｃｍ２范围内离位原子浓度近似按辐照剂量量级的平方关系增长．中子辐照效应对ψ１／２没有影响．经一定剂量辐照后，退火温度越高，退火时间越长，离位原子的恢复效果越明显．１０１５／ｃｍ２剂量辐照损伤的恢复激活能Ｅ１０．３５ｅＶ，可能对应空位与迁移而来的填隙原子的复合；而１０１７／ｃｍ２剂量辐照损伤的恢复激活能Ｅ２０．１３ｅＶ，对应空位与其附近的填隙原子的复合．
刘键王佩璇柯俊朱沛然扬峰殷士端
关键词：砷化镓中子辐照
阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究及微量元素价态的离子荧光法初探
第一部分:利用正电子湮没实验和扫描电子显微镜研究了阳极氧化法制备的多孔硅.利用扫描电子显微镜对同一样品进行了不同阳极氧化时间下的形貌观察.第二部分:离子荧光法是在离子束激发样品的特征X射线进行定量分析的过程中,利用外壳层...
刘键
关键词：多孔硅正电子湮没扫描电子显微镜离子注入自由电子激光
砷化钾的中子辐照缺陷研究
刘键
关键词：中子辐照
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0