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刘洪图: 作品数：27 被引量：44H指数：4; 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>; 发文基金：安徽省自然科学基金安徽省人才开发基金国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>

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超大规模集成电路的一些材料物理问题(Ⅱ)──尺寸缩小带来的巨大挑战被引量：3: 2002年; 随着CMOS技术缩至 10 0nm或更小 ,在CMOS器件结构、接触电阻以及大直径硅晶片等方面均遇到一些材料物理的巨大挑战 .; 刘洪图吴自勤; 关键词：超大规模集成电路接触电阻自对准硅化物材料物理尺寸缩小

周期顺序蒸发工艺生长的Cu(In,Ga)Se_2薄膜结构被引量：8: 2003年; 采用新颖的周期顺序蒸发和真空硒化退火工艺生长出p型CuIn0 7Ga0 3 Se2 薄膜 .通过XPS谱、Raman谱、XRD谱分析了预生长层以及硒化后的CuIn0 7Ga0 3 Se2 薄膜 ,对四元化合物Cu(In ,Ga)Se2 的Raman谱进行了讨论 ,并观察到Ga对A1模式峰位的移动影响 ,同时发现薄膜倾向于沿 (112 )晶面生长 ,薄膜贫Cu会加剧 (2 2 0 ) / (2 0 4)表面自发分解成 { 112 }小晶面 .研究表明 ,薄膜具有良好的电学特性和结构特性 .; 徐传明许小亮闵海军徐军杨晓杰黄文浩刘洪图; 关键词：CIGS

ZnO同质p-n结的研究被引量：3: 2005年; 调节反应气体中O2的比例和RF电源的功率可以增加本征施主V0的形成焓,降低本征受主VZn和Oi的形成焓,制备出p型ZnO薄膜;采用掺杂金属Al制备出低电阻n型ZnO薄膜,在此基础上得到性能可观的ZnO同质p-n结.; 杨晓杰许小亮谢家纯徐传明徐军刘洪图; 关键词：ZNO薄膜 P-N结 P型

Pd/a-Si:H界面的光电子能谱研究: 1989年; 本文利用光电子能谱(XPS、UPS)技术研究了Pd淀积层与离子注入制备的a-Si∶H层组成的系统.本工作分析了Pd/a-Si∶H的界面键合状态及组分分布的变化对价带谱与芯能级谱的影响,并与Pd/C-Si系统的结果进行了比较.结果表明:Pd/a-Si∶H界面具有与Pd/C-Si界面相似的电子结构;但是,Pd原子在a-Si∶H中具有较大的扩散速率,因此,处于更富Si的环境中。; 赵特秀沈波刘洪图季明荣吴建新许振嘉; 关键词：半导体非晶硅硅化物

Pd/W/Si(111)双层膜界面X射线光电子能谱与俄歇电子能谱研究: 1992年; The Pd/W/Si(lll) interface reaction has been investigated by XRD, XPS and AES. As the annealing temperature was low, no reaction among Pd, W and Si can be detected, but W started to diffuse into Pd and Si started to diffuse into. W. When the annealing temperature was raised, Pd and W were mixed and Pd diffused into Si substrate. When the annealing temperature was raised further, the interface reaction leads to a redistribution of the two metals with accumulation of the refractory metal at the outer layer, such a layer can be used as a diffusion barrier to protect the inner shallow contact layer.; 施一生赵特秀刘洪图王晓平; 关键词：钯俄歇电子谱法 XPS

退火对离子注入GaN产生的深能级的影响: 2002年; 我们最近报道了大剂量Al+注入原生GaN后对其光学性质的影响。表明Al+的注入可能产生了某种深能级电子陷阱 ,由于电子陷阱俘获导带电子 ,导致发光猝灭。而经一定条件的退火处理 ,可使深的电子陷阱发生变化 ,因而与缺陷间的跃迁相关的黄色荧光可得到一定程度的恢复。由于注入样品的电阻率高达 1 0 1 2 Ω·cm ,因此不能用已有的常规方法测量。我们为此发展了一种称为“光增强电流谱”(PSCS)新方法 ,用于测量高阻样品中的深能级。研究发现 ,在经过快速退火处理的样品中 ,不能消除由于注入产生的准连续深能级带 ;而在某种常规条件退火的样品中 ,发现了 5个位于导带下 1 .77eV ,1 .2 4eV ,1 .1 6eV ,0 .90eV和 0 .86eV的深电子陷阱 ,它们都是Al+注入经退火后形成的稳定结构。实验发现退火使注入产生的准连续深能级带转变为独立的深能级结构 ,虽不能使GaN的本征发光得到恢复 ,但对黄色荧光的恢复是有利的。此研究有助于了解退火处理对离子注入的GaN的电学结构与发光产生的影响。PSCS的意义在于它适用于测量一切高阻半导体样品中与非辐射跃迁相联系的深陷阱能级。; 许小亮何海燕刘洪图施朝淑葛惟昆Luo E ZSundaravel BWilson I H; 关键词：退火离子注入 GAN 深能级光学性质电子陷阱

Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体电学输运和发光特性的研究: 许小亮赵有文施朝淑刘洪图; 磷化铟、氮化镓和氧化锌是国际上近年来新兴的半导体光电功能材料和短波激光材料，在军事、航天和显像设备等领域具备十分广阔的发展前景。申请人在大量调研和理论分析基础上，围绕制约磷化铟、氮化镓和氧化锌器件光传导和发光效率的三个主...; 关键词：; 关键词：半导体发光特性

镨和铕离子注入硅的快速热退火研究被引量：1: 1996年; 利用离子注入技术将稀土Ｐｒ和Ｅｕ离子引入外延硅片中，经快速热退火（ＲＴＡ）使注入层再结晶和电激活。对Ｐｔ离子注入（剂量１×１０１４ｃｍ－２，３５０ｋｅＶ）样品，在较低温度９４０℃下退火，样品具有电子导电性，注入离子起施主作用，而在较高温度１２４０℃下退火，则具有空穴导电性，注入离子起受主作用，即有两种导电行为。对高剂量（２×１０１５ｃｍ－２，）Ｅｕ离子注入硅样品，经高温ＲＴＡ处理后，发现了明显的Ｒａｍａｎ增强效应。本文对以上两种现象给出了解释并进行了讨论。; 刘世祥石万全柳雪君刘洪图刘峰奇刘磁辉; 关键词：离子注入硅快速热退火镨铕

Pd/W/Si(111)多层膜形成硅化物的研究被引量：1: 1991年; 本文对 Pd/W/Si(111)多层膜系统在稳定退火条件下形成硅化物作了研究.实验结果表明,富Pd组分的多层膜对WSi_x的晶化有明显的诱导作用.多层膜中单层膜厚的增加减弱了诱导晶化作用.利用多层膜可模拟共淀积多元膜,实现硅化物的浅接触.; 施一生赵特秀刘洪图王晓平; 关键词：硅化物多层膜退火

退火对sol-gel法生长的SiO2薄膜特性的影响被引量：1: 2004年; 用正硅酸乙酯(ETOS),乙醇(EtOH),水以及盐酸以一定的比例混合配制溶胶(其中盐酸为催化剂).以普通浮法玻璃为衬底,用浸渍提拉法制备了厚度为100nm左右的SiO2薄膜.对其进行等温和等时退火,用台阶仪测定其厚度变化,给出经验拟合公式.研究了退火对透过率、折射率以及气孔率的影响,并做出比较详细的理论解释.; 郭嘉龚明许小亮张慰萍郭海王燎原陈滢滢刘佩尧刘洪图; 关键词：退火 SOL-GEL SIO2薄膜膜厚