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刘朋

作品数：57 被引量：5H指数：1
供职机构：清华大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 52篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 2篇化学工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 44篇激光
  • 41篇半导体
  • 40篇半导体制造
  • 37篇圆片
  • 29篇晶圆
  • 29篇晶圆片
  • 26篇半导体制造设...
  • 13篇光束
  • 10篇激光加工
  • 10篇半导体制造技...
  • 8篇激光光束
  • 7篇退火
  • 7篇激光退火
  • 6篇浅结
  • 6篇紫外激光
  • 6篇激光处理
  • 6篇激光热处理
  • 6篇光学
  • 6篇超浅结
  • 5篇深紫外

机构

  • 57篇清华大学

作者

  • 57篇刘朋
  • 52篇严利人
  • 51篇窦维治
  • 50篇周卫
  • 18篇刘志弘
  • 4篇张伟
  • 3篇陈为红
  • 3篇杨宝和
  • 2篇韩冰
  • 2篇王水弟
  • 1篇付玉霞
  • 1篇王玉东
  • 1篇刘爱华
  • 1篇熊小义
  • 1篇许军
  • 1篇单一林
  • 1篇钱佩信
  • 1篇张伟

传媒

  • 1篇工业水处理
  • 1篇实验技术与管...
  • 1篇'2003全...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 14篇2013
  • 10篇2012
  • 18篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2004
  • 3篇2003
共 57 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
IGBT高压功率器件圆片背面激光退火工艺
本发明公开了属于半导体制造技术范围的一种IGBT高压功率器件圆片背面激光退火工艺。采用扫描方式进行激光退火，控制硅圆片背面沿与长条形状激光光斑的垂直方向做往复的匀速直线运动，形成激光光斑对硅圆片背面进行全面积的扫描，使硅...
刘志弘严利人周卫刘朋
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一种用于深紫外激光退火的加热片台扫描装置
本发明公开了属于半导体制造设备及半导体超浅结制造技术范围的一种用于深紫外激光退火的加热片台扫描装置。该扫描装置为激光束固定不动，A、B双加热片台的结构完全相同，并排固定于加热片台固定板上面，加热片台固定板下面固定X2平移...
周卫严利人刘朋窦维治
采用投影成像方式获取特定激光加工束斑的方法
本发明公开了属于半导体制造设备范围的一种采用投影成像方式获取特定的激光加工束斑的方法。通过在光刻版上设计一系列的透光图形，通过驱动机构移动光刻版以选择特定的光刻版透光图形，入射激光光束通过光刻版透光图形后，进入投影成像透...
严利人周卫刘朋窦维治刘志弘
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一种用于激光加工位置量测的微测试结构制造方法
本发明公开了属于半导体制造技术范围的一种用于激光加工中位置量测的微测试结构制造方法。首先设计电阻结构，选取电阻结构类型，采用传统技术，制作出高掺杂区，采用两步退火法制作低掺杂区；采用传统的技术包括介质层淀积、光刻和介质层...
严利人周卫刘朋窦维治
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一种用于复杂结构半导体器件的激光退火方法
本发明公开了属于半导体制造工艺范围的涉及一种用于复杂结构半导体器件的激光退火方法。该激光退火方法采用倾斜入射方式，在实施激光退火时，激光束与晶圆的法线方向之间呈现一个夹角，激光束的束斑作用在晶圆上的三维器件结构上，晶圆的...
周卫严利人刘朋窦维治
一种超浅结深紫外激光退火设备中的屏蔽电极装置
本发明公开了属于半导体器件制作工艺的深紫外激光退火设备中的屏蔽电极装置。在被加工的圆片上方加一个屏蔽电极，该屏蔽电极位于承载片台和被加工的圆片的上方，与被加工圆片表面平行，电极中心有一个小孔可使深紫外激光透过，电极相对于...
周卫严利人刘朋窦维治
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一种晶圆片热缓冲栈及实现热缓冲的方法
本发明公开了属于半导体制造设备的一种晶圆片的热缓冲栈及实现热缓冲的方法。在缓冲栈的外壳的圆周壁上部两边分别设置晶圆片入口和晶圆片出口，在缓冲栈的外壳内，底部安装升降机和转动部件，升降机和转动部件中心的传动杆上部等距离固定...
严利人周卫刘朋窦维治
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多晶发射极微波SiGe/Si HBT
本文介绍一种多晶发射极微波功率SiGe/Si HBT.该器件采用清华大学微电子学研究所拥有自主知识产权的SGE500 UVC/CVD设备,外延均匀Ge组分应变SiGe基区材料,在 5'圆片0.8umCMOS工艺线上,研制...
张伟熊小义刘志弘许军付玉霞单一林刘爱华窦维治王玉东刘朋钱佩信
关键词：SIGEHBTUHV/CVD多晶发射极
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南渡时期的士风与文学
刘朋
关键词：南渡时期士风文学权术忧患意识
一种用于半导体制造的激光退火设备及退火工艺
本发明公开了属于半导体制造设备范围的一种用于半导体激光退火设备及退火工艺。该激光退火设备，由准分子激光源，激光光束的扩束、匀束、边沿处理等的光路，二维精确移动平台，预加热控温片台，以及整机自动控制系统构成。其中退火激光源...
严利人周卫刘朋刘志弘窦维治
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