刘昌举
- 作品数：118 被引量：82H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技支撑计划中国科学院西部之光基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信医药卫生文化科学更多>>
- CMOS图像传感器曝光时序控制方法
- 本发明公开了一种CMOS图像传感器曝光时序控制方法，其创新在于：在单个非初始帧周期的控制中，加入检测阶段，对当前曝光时间和前一帧周期的读出时间的时间大小关系进行检测，根据检测结果，对检测阶段的结束时刻进行调节，从而使得C...
- 任思伟祝晓笑刘昌举李明刘戈扬
- 文献传递
- CCD像元结构
- 本发明提出了一种CCD像元结构，由衬底、吸收区、感光区、保护区、信号转移通道、信道和沟阻区组成，其中，感光区由N型区和P型区组成，N型区和P型区形成能够实现电荷倍增的PN结二极管。本发明的有益技术效果是：提出了一种新的C...
- 熊平李立曾武贤刘昌举黄烈云杨洪吕玉冰
- 文献传递
- 一种大阵列高帧频面阵CCD
- 本发明涉及一种CCD图像传感器结，特别涉及一种大阵列高帧频面阵CCD，包括M×N阵列规模面阵CCD器件包括从上到下依次级联的上部水平CCD、上部存储区、上部光敏区、下部光敏区、下部存储区以及下部水平CCD，每个区域大小为...
- 杨洪刘昌举白雪平李金
- 文献传递
- 一种大阵列高帧频面阵CCD
- 本发明涉及一种CCD图像传感器结，特别涉及一种大阵列高帧频面阵CCD，包括M×N阵列规模面阵CCD器件包括从上到下依次级联的上部水平CCD、上部存储区、上部光敏区、下部光敏区、下部存储区以及下部水平CCD，每个区域大小为...
- 杨洪刘昌举白雪平李金
- 文献传递
- 全局/滚动曝光兼容高动态抗辐照CMOS图像传感器设计
- 2024年
- 针对高速目标的高精度探测及辐射环境的应用要求,为解决全局与滚动曝光模式兼容难度大、灵敏度和动态低、帧速不高、抗辐照水平低等问题,对CMOS图像传感器架构、像素结构、列并行高精度数字化、高速读出、抗辐照加固等技术进行研究。基于单边列并行DDS、多模兼容的架构方案,设计了一款7.5μm×7.5μm,2048×2048可见光CMOS图像传感器,采用双增益像素结构、高帧速数字化读出、多通道可选输出、像素和电路抗辐照加固等方法,实现了全局与滚动曝光兼容、高灵敏度高动态成像、高精度数字化和高速输出、抗辐照加固等技术验证,填补了国内多模曝光兼容抗辐照CMOS图像传感技术研究空白。测试结果表明:器件功能正常,成像效果良好,动态范围、满阱电荷、灵敏度、帧速、抗辐照等指标满足预期要求,对高速高动态成像及辐射环境的系统应用具有重要意义。
- 李明刘戈扬傅婧刘昌举倪飘蒋君贤任思伟
- 关键词：CMOS图像传感器抗辐照
- 一种输出通道数可变的模拟信号读出电路阵列及读取方法
- 本发明公开了一种输出通道数可变的模拟信号读出电路阵列及读取方法，所述电路阵列为对第四电路阵列的工作模式切换信号输入总线合并连接得到的电路阵列，将第四电路阵列中的第三电路阵列分为不同的集合，将每个集合中的第三电路阵列的工作...
- 刘戈扬刘业琦李毅强吕玉冰李明刘昌举
- CMOS图像传感器自动曝光方法及装置
- 本发明提出一种CMOS图像传感器自动曝光方法及装置，在获取当前拍摄的图像后，计算图像的当前曝光量和目标亮度阈值，计算当前曝光量到目标亮度阈值之间需要调整的传感器曝光量并将其划分为2n+1个曝光量分段；依据每个分段的曝光量...
- 祝晓笑刘昌举李毅强吴治军邓光平任思伟
- 基于石墨烯探测器的积分电路设计
- 2020年
- 为了解决石墨烯探测器光电探测的难题,针对石墨烯探测器受光照像元电阻发生变化的特点,设计了基于石墨烯探测器的新型积分电路结构。该积分电路结构主要包含前端偏置电路、运算放大器以及开关和反馈电容等部分,电路主要利用暗像元电阻不随光照变化,而感光像元电阻会随光照强度变化而变化的特点,将光照条件下暗像元支路的电流与感光像元支路电流的差作为光响应电流,并采用CTIA积分电路进行电流积分,将光响应电流转换为积分电压输出,进而实现石墨烯探测器对光响应信号的探测和输出。文中对相关的主要电路设计进行了分析,并基于Cadence ADE仿真环境完成了电路仿真。经仿真分析,基于文中的积分电路,可以将不同光照条件下石墨烯探测器的光响应转换为对应的积分电压输出。可见,所设计的积分电路能够满足石墨烯探测器对光响应探测的需求,对石墨烯材料进入光电探测器领域具有重要意义。
- 任思伟申钧刘昌举
- 关键词：石墨烯探测器近红外积分电路
- 质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究被引量：6
- 2015年
- 对某国产0.5μm工艺制造的互补金属氧化物半导体有源像素传感器进行了10 Me V质子辐射试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件暗信号的变化情况.试验结果表明,随着辐射注量的增加暗信号迅速增大.采用MULASSIS(multi-layered shielding simulation software)软件计算了电离损伤剂量和位移损伤剂量,在与γ辐射试验数据对比的基础上,结合器件结构和工艺参数,建立了分离质子辐射引起的电离效应和位移效应理论模型,深入分析了器件暗信号的退化机理.研究结果表明,对该国产器件而言,电离效应导致的表面暗信号和位移效应导致的体暗信号对整个器件暗信号退化的贡献大致相当.
- 汪波李豫东郭旗刘昌举文林任迪远曾骏哲玛丽娅
- 多种工作模式的焦平面读出电路及其控制方法
- 本发明公开了一种多种工作模式的焦平面读出电路，所述焦平面读出电路由多个CTIA采样单元构成，多个CTIA采样单元按阵列形式分布，所述阵列中，位于同一列上的多个CTIA采样单元记为一个采样列，各个采样列的结构相同；单个采样...
- 李毅强刘昌举吴治军刘戈扬翟江皞张鹏剑
- 文献传递
