冯雷
- 作品数：5 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程金属学及工艺更多>>
- MOCVD生长源流量对p型GaN薄膜特性影响的研究被引量：1
- 2012年
- 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长p型GaN:Mg薄膜,对不同二茂镁(CP2Mg)流量和Ⅴ族和Ⅲ族摩尔(Ⅴ/Ⅲ)比生长的p型GaN:Mg薄膜特性进行研究。研究表明,增加Ⅴ/Ⅲ比,可以降低螺旋位错密度,提高p型GaN晶体质量。当Ⅴ/Ⅲ比为3 800时,Cp2Mg流量最高为170sccm,获得p型GaN(002)面峰值半高宽(FWHM)最窄为232"。同时研究发现,单纯提高Ⅴ/Ⅲ比对降低刃型位错影响较不明显。
- 韩军冯雷邢艳辉邓军徐晨沈光地
- MOCVD生长的AlInN材料结构性质研究
- 用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法研究了生长压力和Ⅴ/Ⅲ对AlInN材料的生长模式及其结构和性质的影响。原子力显微镜(AFM)测试发现,随着反应室压力的升高,AlInN的生长模式由二维逐渐转向三维,形貌特征有...
- 张辉陈贵锋范亚明冯雷廉瑞凯邓旭光朱建军张宝顺
- 关键词：ALINN原子扩散
- 文献传递
- 预辅Al及AlN缓冲层厚度对GaN/Si(111)材料特性的影响被引量：8
- 2013年
- 主要研究了采用高温AlN缓冲层外延生长GaN/Si(111)材料的工艺技术。利用高分辨X射线双晶衍射(HRXRD)分析研究了GaN/Si(111)样品外延层的应变状态和晶体质量,通过原子力显微镜(AFM)分析研究了不同厚度的高温AlN缓冲层对GaN外延层的表面形貌的影响。实验结果表明,AlN缓冲层生长前预通三甲基铝(TMAl)的时间、AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的应变状态、外延层的晶体质量以及表面形貌都有显著影响。得到最优的预辅Al时间为10s,AlN缓冲层的厚度为40nm。在此条件下外延生长的GaN样品(厚度约为1μm)表面形貌较好,X射线衍射(XRD)双晶摇摆曲线半峰全宽(FWHM)(0002)面和(10-12)面分别为452″和722″。
- 廉瑞凯李林范亚明王勇邓旭光张辉冯雷朱建军张宝顺
- 关键词：GANSI(111)ALN缓冲层
- 生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响
- 2012年
- 研究了采用MOCVD技术分别在100与500Torr反应室压力下生长的非故意掺杂GaN薄膜的光学与电学性能。研究表明,低压100Torr外延生长条件可以有效地降低Ga与NH3气相反应造成GaN薄膜的碳杂质沾污,从而抑制造成光致发光中黄光峰与蓝光峰的深受主的形成,所制备的材料表现出较好的光学性能。同时,不同生长压力下的GaN薄膜表现出相异的电学性能,即在500Torr下生长的样品通常表现出更高的载流子浓度((4.6～6.4)×1016 cm-3)与更高的迁移率(446～561cm2/(V.s)),而100Torr下生长的样品通常表现为更低的载流子浓度(1.56～3.99)×1016 cm-3与更低迁移率(22.9～202cm2/(V.s))。
- 冯雷韩军邢艳辉范亚明
- 关键词：GANMOCVD光致发光载流子浓度载流子迁移率
- 高Al组分AlGaN材料优化生长与组分研究被引量：4
- 2012年
- 研究了金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)系统外延高Al组分较厚AlGaN薄膜材料的生长技术。实验发现,AlGaN/GaN结构中的AlGaN材料的相分离现象可能是由于过低的生长V/III以及材料所受的张应力状态所致,而V/III过高时则会出现Al源的并入效率饱和。采用AlN过渡层技术,外延生长了表面无裂纹的45%Al组分较厚(100～200nm)AlGaN薄膜材料。所得材料的Al组分与气相Al组分相同,(0002)面X射线衍射(XRD)双晶摇摆曲线半高宽(FWHM)为376arcsec,并发现AlN过渡层的质量影响着其上AlGaN材料的Al组分与晶体质量。实验观察到AlGaN材料的表面形貌随着样品中Al组分的增加从微坑主导模式逐步转变为微裂主导模式,采用AlN过渡层可延缓这一转变。
- 冯雷韩军邢艳辉邓旭光汪加兴范亚明张宝顺
- 关键词：ALGAN表面形貌AL组分
