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伍伟

作品数：84 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 83篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 25篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 26篇IGBT
  • 14篇栅极
  • 14篇集电极
  • 13篇电力
  • 13篇电力电子
  • 13篇损耗
  • 12篇关断
  • 12篇关断损耗
  • 10篇停机
  • 10篇不停机
  • 9篇电力电子系统
  • 9篇电压
  • 9篇栅极电压
  • 9篇二极管
  • 8篇发射极
  • 7篇绝缘栅
  • 7篇SIC
  • 7篇槽栅
  • 6篇导通
  • 6篇电流

机构

  • 84篇电子科技大学

作者

  • 84篇伍伟
  • 42篇陈勇
  • 26篇李岩松
  • 2篇赵麟
  • 2篇向勇
  • 2篇薛鹏
  • 1篇张波
  • 1篇罗小蓉
  • 1篇李肇基

年份

  • 8篇2024
  • 22篇2023
  • 18篇2022
  • 22篇2021
  • 8篇2020
  • 2篇2018
  • 2篇2016
  • 2篇2014
共 84 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种绝缘栅器件阈值电压的不停机测量方法
本发明公开了一种绝缘栅器件阈值电压的不停机测量方法，其包括以下步骤：S1、查询并根据器件手册中给出的集电极电流和跨导计算结构特征参数；S2、实时获取绝缘栅器件的栅极米勒平台电压和集电极电流；S3、根据结构特征参数、栅极米...
伍伟李文哲陈勇
文献传递
一种快速软恢复二极管新结构
本发明提供了一种快速软恢复二极管新结构，相对于传统二极管结构，在阳极侧引入重掺杂N型区和轻掺杂P型区，这与N型漂移区形成NPN三极管，并在阴极侧引入一个P型区。在二极管导通时，NPN三极管的P型区被穿通，导致N型漂移区内...
伍伟舒玉露高崇兵
一种降低集成二极管反向恢复损耗的RC-IGBT结构
本发明公开了一种降低集成二极管反向恢复损耗的RC‑IGBT结构，该结构在常规RC‑IGBT结构的基础上，刻蚀RC‑IGBT的集成二极管区域的IGBT栅极与集成二极管阳极之间的部分SiO<Sub>2</Sub>氧化层，并利...
伍伟李岩松陈勇
一种自适应耗尽空穴路径的新型IGBT结构
本发明提供了一种自适应耗尽空穴路径的新型IGBT结构，该结构在常规IGBT结构的基础上，在P型浮空区上方引入低掺杂的P‑掺杂区。该P‑掺杂区会在器件刚开启时提供空穴路径并钳位P型浮空区的电位，从而降低位移电流，提高栅极可...
伍伟喻明康高崇兵
一种基于伏安关系变化的IGBT健康评估系统及方法
本发明公开了一种基于伏安关系变化的IGBT健康评估系统及方法，方法包括以下步骤：S1、搭建IGBT集电极与发射极间的电压、集电极电流和管壳温度的数据采集平台；S2、实时监测和采集IGBT集电极与发射极间的电压、集电极电流...
伍伟古湧乾李岩松
文献传递
一种具有N-top区的SiC MOSFET结构
本发明公开了一种具有N‑top区的SiC MOSFET结构，该结构在常规SiC MOSFET结构的基础上，在JFET区与栅极界面中心加入了一个低掺杂的N‑top区。当MOSFET进入短路状态时，短路电流在靠近JFET区中...
伍伟高崇兵喻明康
横向超结器件模型与新结构研究
功率集成电路要求功率器件具有高功率、高速、低功耗和易集成的特点,横向功率器件作为功率集成电路的核心成为了研究的热点之一,其中横向超结(Super Junction,简称SJ)器件是一类极具发展潜力的新型器件。超结技术将纵...
伍伟
关键词：电荷补偿比导通电阻表面电场
一种IGBT过流预警系统及方法
本发明公开了一种IGBT过流预警系统及方法，系统包括驱动模块、与目标IGBT同规格的IGBT、温度采集模块、电压采集模块和信号处理及控制模块；驱动模块分别连接与目标IGBT同规格的IGBT和信号处理及控制模块，与目标IG...
伍伟古湧乾陈勇
文献传递
一种基于无迹卡尔曼粒子滤波的IGBT寿命预测方法
本发明公开了一种基于无迹卡尔曼粒子滤波的IGBT寿命预测方法，其包括以下步骤：S1、获取IGBT器件的历史数据；S2、数据预处理并建立IGBT的寿命模型；S3、利用无迹卡尔曼粒子滤波算法建立预测方程；S4、预测IGBT的...
伍伟古湧乾陈勇
文献传递
一种带P-well层的SiC MOSFET结构
本发明公开了一种带P‑well层的SiC MOSFET结构，该结构在常规SiC MOSFET结构的基础上，在P型基区的右下方位置引入了一个P‑well结构。当MOSFET承受超出额定值的反向电压进入雪崩状态时，P‑wel...
伍伟高崇兵喻明康
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