齐胜利
- 作品数：19 被引量：6H指数：2
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- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 采用AlGaN/GaN阻挡层的大功率InGaN/GaN MQWs蓝光LED
- 大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下,载流子泄漏而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在p型GaN和InGaN/GaN多量子阱(MQW)有源区之间插入p...
- 齐胜利陈志忠潘尧波郝茂盛邓俊静田朋飞张国义颜建锋朱广敏陈诚李士涛
- 关键词：氮化镓外量子效率
- 文献传递
- InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究被引量：3
- 2007年
- 研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)的结构和发光特性.在透射电子显微镜(TEM)下可以发现量子阱的宽度不一致,电致发光谱(EL)发现了位于2.45eV的绿光发光峰和2.81eV处的蓝光发光峰.随着电流密度增加,双峰的峰位没有移动,直到注入电流密度达到2×104mA/cm2时,绿光发光峰发生蓝移,而蓝光发光峰没有变化.单色的阴极荧光谱(CL)发现绿光发射对应的发光区包括絮状区域和发光点,而蓝光发射对应的发光区仅包含絮状区域.通过以上的结果,我们认为蓝光发射基本上源于InGaN量子阱发光,而绿光发射则起源于量子阱和量子点的发光.
- 陈志忠徐科秦志新于彤军童玉珍宋金德林亮刘鹏齐胜利张国义
- 关键词：氮化镓发光二极管多量子阱透射电子显微镜电致发光谱
- 一种薄膜型LED制备方法
- 本发明公开了一种薄膜型LED制备方法，属于半导体芯片制备技术领域。本发明通过在外延层上激光划片得到锲型凹槽，然后利用反应离子刻蚀得到侧面倾斜的P型梯形台面，接着在该梯形台面上制备p型欧姆接触和反射电极，在除电极外的其余部...
- 陈志忠齐胜利孙永健田朋飞康香宁秦志新于彤军张国义
- 文献传递
- 采用AlGaN/GaN阻挡层的大功率InGaN/GaN MQWs蓝光LED被引量：1
- 2008年
- 大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下,载流子泄漏而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在p型GaN和InGaN/GaN多量子阱(MQW)有源区之间插入p型AlGaN/GaN多量子势垒(MQB)电子阻挡层,利用多量子势垒对电子的量子反射作用,有效地解决了大注入下载流子泄漏问题。与未使用多量子势垒电子阻挡层的样品相比,MQB样品的光功率和外量子效率分别提高了约80%和100%。
- 齐胜利陈志忠潘尧波郝茂盛邓俊静田朋飞张国义颜建锋朱广敏陈诚李士涛
- 关键词：氮化镓外量子效率
- 激光剥离转移衬底的薄膜GaN基LED器件特性分析被引量：2
- 2008年
- 制备了基于蓝宝石衬底的GaN基LED(C-LED)以及由激光剥离技术(LLO)制作的基于Cu衬底的相同电学结构的薄膜GaN基LED(LLO-LED)。通过研究发现,经过激光剥离过程后,器件的反向漏电流明显增加,其等效并联电阻下降了近两个数量级。通过对变温I-V曲线的分析,反向偏压下隧穿漏电机制的主导地位被发现并证实,而激光剥离前后样品腐蚀后的AFM照片显示缺陷密度没有明显改变。隧穿机制的增加是由于激光剥离过程激发了更多缺陷的隧穿活性。然而,蓝宝石衬底LED以及激光剥离薄膜Cu衬底LED的相似的理想因子和等效串联电阻说明激光剥离过程并未对器件的正向电学特性造成大的伤害。因此,高质量、高功率的激光剥离LED器件是可以期待的。对L-I曲线的分析显示,激光剥离过程引入了更多的非辐射复合中心,但激光剥离薄膜Cu衬底LED器件在大电流注入下仍然有着超出常规器件的表现。在300mA注入电流内,激光剥离薄膜Cu衬底LED展示的最大光功率是蓝宝石衬底GaN基LED的1.8倍,饱和电流超过2.5倍。这些结果显示,激光剥离Cu衬底LED仍然是高功率高亮LED的首选方案。
- 孙永健陈志忠齐胜利于彤军康香宁刘鹏张国义朱广敏潘尧波陈诚李仕涛颜建峰郝茂盛
- 关键词：氮化镓发光二极管激光剥离漏电流
- 一种发光二极管芯片
- 本实用新型提出一种发光二极管芯片，包括：衬底；外延结构，位于所述衬底上，包括第二半导体层，发光层，第一半导体层；金属层，位于所述位于结构上的第一半导体层上；凹槽，位于衬底上，暴露部分所述第二半导体层；金属电极，位于所述金...
- 唐军齐胜利刘亚柱潘尧波陈志忠詹景麟康香宁焦飞张国义沈波
- 文献传递
- 氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法
- 本发明提供了一种氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法，先用盐酸溶液浸泡去除金属镓，然后依次进行反应气氛为氮气或惰性气体的ICP预处理，反应气氛为氯气、四氯化硅和氩气的ICP处理，以及反应气氛为氧气和三氟甲烷的ICP后处理...
- 齐胜利陈志忠孙永健张国义郝茂盛潘尧波邓俊静颜建锋朱广敏陈诚李士涛
- 一种发光二极管芯片及其制造方法
- 本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；其中，所述外延结构依次包括第二半导体层，发光层，第一半导体层；形成金属层于所述外延结构上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽，所述...
- 唐军齐胜利刘亚柱潘尧波陈志忠詹景麟康香宁焦飞张国义沈波
- 一种薄膜型LED制备方法
- 本发明公开了一种薄膜型LED制备方法，属于半导体芯片制备技术领域。本发明通过在外延层上激光划片得到锲型凹槽，然后利用反应离子刻蚀得到侧面倾斜的P型梯形台面，接着在该梯形台面上制备p型欧姆接触和反射电极，在除电极外的其余部...
- 陈志忠齐胜利孙永健田朋飞康香宁秦志新于彤军张国义
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- 应力调制氮化镓基无荧光粉白光LED光电子学特性的研究
- 本文中我们利用插入应力调制InGaN层的方法制备了无荧光粉的氮化镓基单芯片白光LED。利用X射线衍射倒空间分析和扫描电子显微镜对LED器件在室温下形状随注入电流变化的电致发光谱和光致荧光表征结果进行研究。InGaN插入层...
- 方浩桑立雯齐胜利张延召杨学林杨志坚郝茂盛潘尧波张国义
- 关键词：白光LEDX射线衍射电致发光谱
- 文献传递
