齐志华
- 作品数：8 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 不同熔体配比InP材料中的缺陷研究被引量：3
- 2007年
- 采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内分别合成了富铟、近化学配比、富磷的InP熔体,利用液封直拉法(LEC)分别从不同化学计量比条件下的InP熔体中生长InP单晶材料。对材料分别进行了室温Hall,变温Hall的测试。结果表明富磷熔体条件下具有较高浓度的VInH4复合体,富铟熔体条件VInH4的浓度最低。
- 齐志华李昌青孙聂枫
- 关键词：磷化铟
- 在片S参数测量系统校准方法及电子设备
- 本发明提供一种在片S参数测量系统校准方法及电子设备。该方法包括：采用待校准的在片S参数测量系统的两个端口分别测量在片直通标准、在片负载标准和在片反射标准，对应得到直通S参数、负载S参数和反射S参数；基于转移参数与S参数的...
- 王一帮齐志华吴爱华霍晔梁法国栾鹏刘晨李彦丽孙静
- 文献传递
- 扭摆式MEMS电容加速度计动态性能分析被引量：1
- 2021年
- 针对扭摆式MEMS电容加速度计的结构及功能特点,建立系统特征模型,从检测质量、弹性梁、固定端和检测电极等方面详细探讨器件工作原理及动态性能,并通过数学推导得出系统刚度、转动惯量、扭转系数和阻尼系数的解析公式。针对一组特定的结构参数,在气体压强为1标准大气压和100Pa时,对具有不同厚度薄膜气体的系统动态性能进行分析。探讨不同气体压强条件下对应的阻尼状态及其对动态性能的影响。实验最终得到该MEMS器件获得最佳动态响应特性时对应的压强值与气体薄膜厚度值。
- 齐志华张志勇
- 关键词：MEMS器件雷诺方程动态性能
- 在片S参数测量系统校准方法及电子设备
- 本发明提供一种在片S参数测量系统校准方法及电子设备。该方法包括：采用待校准的在片S参数测量系统的两个端口分别测量在片直通标准、在片负载标准和在片反射标准，对应得到直通S参数、负载S参数和反射S参数；基于转移参数与S参数的...
- 王一帮齐志华吴爱华霍晔梁法国栾鹏刘晨李彦丽孙静
- AlN单晶衬底的制备及研究进展
- 2021年
- 氮化铝(AlN)作为直接带隙半导体且禁带宽度为6.2 eV,使其在深紫外光电子器件(如半导体激光器、日盲光探测器等)、高频大功率射频器件等领域具有广泛的应用前景,而高性能器件的实现需要高质量AlN衬底作为基础。对AlN材料的基本性质进行了阐述,着重对AlN单晶衬底的制备方法进行了介绍:物理气相传输法(PVT)、氢化物气相外延法(HVPE)和基本元素气相沉积法(EVPE),并对AlN材料在光学、电学、化学、磁学领域的应用进行了展望。
- 齐志华
- GaN MMIC六位数字衰减器的设计被引量：1
- 2021年
- 基于GaN HEMT工艺成功研制出一款宽带六位数字衰减器,衰减范围为0~31.5 dB。通过研究GaN HEMT开关器件模型及电阻式衰减网络,选取合适的衰减器拓扑,减小了衰减器的插入损耗,提高了衰减精度,缩小了芯片尺寸。测试结果表明,在2~18 GHz频带内,该衰减器的插入损耗小于4.8 dB,64态衰减精度均方根误差小于0.6 dB,输入回波损耗小于-13 dB,输出回波损耗小于-12.5 dB,附加相移为-14°~4°。在10 GHz下,其1 dB压缩点输入功率达到34.5 dBm。裸片尺寸为2.30 mm×1.10 mm。
- 齐志华谢媛媛
- 关键词：GAN数字衰减器
- InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ)被引量：2
- 2009年
- 齐志华李献杰
- 关键词：双异质结双极晶体管欧姆接触电极INGAAS
- InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ)
- 2009年
- InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与生长、器件结构设计、器件制造工艺与优化以及国内外发展情况研究水平、发展趋势和商业化情况进行了系统的回顾和展望。指出结合垂直方向材料结构优化缩小器件尺寸和采用微空气桥隔离基极电极结构是InP/GaAsSb/InPDHBT向THz截止频率发展的最重要的技术路线。
- 齐志华李献杰
- 关键词：双异质结双极晶体管
