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魏志鹏

作品数：70 被引量：214H指数：8
供职机构：长春理工大学理学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 68篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 31篇理学
  • 29篇电子电信
  • 13篇一般工业技术
  • 2篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇核科学技术

主题

  • 15篇激光
  • 15篇发光
  • 14篇激光器
  • 12篇纳米
  • 11篇半导体
  • 11篇ZNO
  • 10篇光学
  • 10篇半导体激光
  • 10篇半导体激光器
  • 7篇光催化
  • 7篇掺杂
  • 7篇催化
  • 6篇氧化锌
  • 6篇光致
  • 6篇光致发光
  • 5篇腔面
  • 5篇面发射
  • 5篇发光性
  • 5篇垂直腔
  • 5篇垂直腔面

机构

  • 67篇长春理工大学
  • 13篇中国科学院
  • 10篇中国科学院长...
  • 3篇南昌大学
  • 1篇哈尔滨师范大...
  • 1篇长春大学
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇北京有色金属...
  • 1篇东北师范大学
  • 1篇吉林农业大学
  • 1篇空军航空大学
  • 1篇中国科学院光...
  • 1篇香港中文大学...

作者

  • 70篇魏志鹏
  • 44篇方铉
  • 38篇王晓华
  • 30篇李金华
  • 26篇唐吉龙
  • 25篇方芳
  • 24篇房丹
  • 23篇楚学影
  • 19篇刘国军
  • 19篇马晓辉
  • 11篇安宁
  • 11篇贾慧民
  • 8篇王菲
  • 7篇张宝顺
  • 7篇赵海峰
  • 7篇徐莉
  • 7篇李占国
  • 6篇王双鹏
  • 6篇陈新影
  • 5篇高娴

传媒

  • 14篇发光学报
  • 9篇纳米科技
  • 8篇长春理工大学...
  • 5篇光子学报
  • 4篇红外与激光工...
  • 4篇光谱学与光谱...
  • 3篇中国激光
  • 3篇材料导报
  • 3篇中国光学
  • 2篇激光与光电子...
  • 2篇强激光与粒子...
  • 2篇兵工学报
  • 2篇第12届全国...
  • 1篇物理学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇光电工程
  • 1篇核电子学与探...
  • 1篇激光与红外

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 5篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 10篇2015
  • 17篇2014
  • 10篇2013
  • 6篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 3篇2006
共 70 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
InGaAsSb四元合金材料禁带宽度的计算方法被引量：2
2014年
讨论了计算In Ga As Sb四元合金材料禁带宽度常用的Glisson方法和Moon方法,比较了它们的计算结果.将两者化成相同形式下的等价公式后发现,二者都只考虑了Γ点带隙弯曲因子对禁带宽度的影响.通过考虑自旋轨道分裂带对价带的影响,提出一种将自旋轨道分裂带弯曲因子引入计算In Ga As Sb禁带宽度的新方法.研究结果表明,该方法计算结果的准确性要优于两种常见的方法.
刘超魏志鹏安宁何斌太刘鹏程刘国军
关键词：INGAASSB禁带宽度
莫板法制备ZnO纳米管及其光催化性能的研究
2013年
以碳纤维为模板，用原子层沉积（ALD）方法在其上包覆ZnO层，将样品分别进行不同温度的退火处理，利用X-射线衍射和扫描电子显微镜测试样品的结构和形貌，当退火温度为700℃时，获得ZnO纳米管，测试ZnO纳米管的光催化性能对甲基橙的降解作用，随着催化剂用量的增加和光照时间的延长，对甲基橙降解率明显提高。
陈新影李金华方铉楚学影方芳魏志鹏李霜王菲王晓华
关键词：光催化活性降解率
掺杂型ZnS纳米晶的发光性质及其在生物检测方面的研究进展被引量：2
2013年
主要围绕ZnS纳米晶的制备、掺杂和表面修饰剂所引起的光学性质以及生物分子检测等问题展开了一系列的讨论。由于纳米晶体表面晶面的定向生长,控制着纳米晶形貌的变化,因此综述了多种制备纳米晶的方法。系统总结了对纳米晶进行掺杂而引起了本征发射波长的变化,并对其进行表面修饰从而达到改变其荧光性质的目的。国内外研究表明,对纳米晶进行表面修饰,可以利用表面修饰制备出量子产率高,易于生物分子偶联的水溶性的掺杂型ZnS纳米晶,因此可在生物标记、示踪、检测等多个领域发挥重要的作用,为在生物医学领域中的应用奠定基础,最后展望了ZnS纳米晶未来的发展前景。
杜鸿延魏志鹏楚学影方铉方芳李金华王菲王晓华
关键词：ZNS掺杂荧光生物检测
碱性（NH4）2对n型GaSb钝化表面的研究
2012年
利用光致发光光谱（Photoluminescence。简称PL）、光扫描系统（PLMapping）、原子力显微镜（Atomic Force Microscope，简称AFM）等测试手段，研究碱性（Nil4）2s对n型GaSbSE4L表面的影响，发现与未处理的GaSb表面相比，其光学性质明显提高。当硫化时间为180s时，光学强度提高了10倍左右，发光均匀性和表面平整度也达到了最优。同时，分析了钝化效果的时效性，发现当钝化后的样品放置于空气中48h时，钝化效果基本消失。
安宁刘国军魏志鹏马晓辉
关键词：钝化
CdS纳米粒子包覆对ZnO纳米棒发光性质的影响
半导体材料纳米结构在制作多种光电器件如发光二极管和激光器等方面有广泛的应用前景.但是纳米材料由于表面-体积比很高,光学性质会受到表面态的强烈影响,会导发光效率低等问题.对纳米材料进行表面处理、发光机理研究十分必要.可以采...
罗添元王相虎魏志鹏王晓华方铉李金华方芳王菲唐吉龙赵东旭
扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究被引量：1
2015年
采用原子层沉积技术(atomic layer deposition)在InP衬底上生长ZnO薄膜,并在不同温度下(500和700℃)进行热退火处理,将P掺杂进入ZnO,得到p型ZnO薄膜。样品的光学特性通过光致发光光谱(photoluminescence,PL)来测定,得出热退火温度是影响P扩散掺杂的重要因素,低温PL光谱中,700℃热退火1h样品的光谱展现出四个与受主相关的发射峰:3.351,3.311,3.246和3.177eV,分别来自受主束缚激子的辐射复合(A°X)、自由电子到受主的发射(FA)、施主受主对的发射(DAP)以及施主受主对的第一纵向声子伴线(DAP-1LO),计算得到受主束缚能为122meV,与理论计算结果一致。通过热扩散方式实现了ZnO薄膜的p型掺杂,解决了制约ZnO基光电器件发展的主要问题,对ZnO基半导体材料及其光电器件的发展有重要意义。
陈芳房丹王双鹏方铉唐吉龙赵海峰方芳楚学影李金华王菲王晓华刘国军马晓辉魏志鹏
关键词：P型ZNO原子层沉积光致发光
硫钝化可提高GaSb表面光学性质被引量：1
2015年
由于锑化镓(GaSb)表面存在着大量的氧化物及悬挂键,使得材料具有较高的表面态密度,这将导致GaSb费米能级钉扎,严重限制了其器件的应用和发展。同时,这些氧化物及悬挂键将构成非辐射复合中心,影响表面发光。本文通过酸性饱和S2Cl2溶液(最优钝化时间为5s)对n型Ga Sb进行表面钝化后发现:该溶液钝化可有效减少GaSb表面的氧化物及悬挂键,改善光学性质。从理论上分析了S2Cl2溶液的钝化机理,同时利用PL、PL mapping、XPS及AFM等测试手段验证了该分析的准确性。另外,与常规的碱性(NH4)2S溶液(最优钝化时间为180s)对比,发现经S2Cl2钝化后样品的单点发光强度是(NH4)2S溶液处理过的样品1.5倍,是未处理样品的25倍。但S2Cl2溶液中含有较高的硫浓度,操作时不宜控制,极易腐蚀Ga Sb表面,钝化后样品表面有大量单质S析出,其发光均匀性及表面平整度不如(NH4)2S溶液。
安宁刘国军李占国魏志鹏马晓辉
关键词：钝化
CVD法制备的高结晶质量二维β-Ga_(2)O_(3)薄膜性质研究
2022年
为了能够得到高质量的薄膜,降低实验成本,通过化学气相沉积(CVD)方法以GaTe粉作为Ga源在云母衬底上合成了β-Ga_(2)O_(3)薄膜。通过改变生长温度、载气和生长时间得到高结晶质量的β-Ga_(2)O_(3)薄膜,并通过X射线衍射(XRD)和拉曼光谱进行证实。XRD结果显示,薄膜的最佳生长温度为750℃。对比不同载气下合成的β-Ga_(2)O_(3)薄膜可知,Ar气是生长薄膜材料的最佳环境。为了实现高结晶质量的β-Ga_(2)O_(3)薄膜,在Ar气环境下改变薄膜的生长时间,XRD结果发现,生长时间20 min的薄膜具有高结晶质量。最后,将其转移到300 nm厚氧化层的Si/SiO_(2)衬底上,并通过原子力显微镜测试,证实了16 nm厚的二维Ga_(2)O_(3)薄膜。
李星晨林逢源贾慧民亢玉彬石永吉孟兵恒房丹唐吉龙王登魁李科学楚学影魏志鹏
关键词：化学气相沉积
基于束腰劈裂偏振合束高亮度窄线宽半导体激光器
2024年
将一个808 nm宽发射区半导体激光器应用于纵模选择束腰劈裂偏振合束外腔中,实现了高光束质量、高亮度和窄线宽的激光输出。所获激光输出功率为5.08 W,快慢轴光束质量M2=1.85×18.2,慢轴光束质量较自由运转激光器提高48%,输出激光亮度B=22.74 MW·cm^(-2)·sr^(-1),是原激光器自由运转的1.3倍。所获激光光谱线宽为0.47 nm,压缩至原激光器自由运转的光谱宽度的0.14。
赵宇飞佟存柱魏志鹏
关键词：半导体激光器外腔
PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文）被引量：2
2016年
研究通过等离子增强原子层沉积（PEALD）在不同沉积温度下生长的A1N温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA，在300oC、350oC和370oC沉积温度下分别沉积了200、500、800、1000、1500周期的A1N层，并讨论了A1N薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度。结果表明，在300—370℃范围内，随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加，而薄膜表面粗糙度减小。
陈芳方铉王双鹏牛守柱方芳房丹唐吉龙王晓华刘国军魏志鹏
关键词：氮化铝生长速率结晶化沉积温度
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